内容正文:
培优点2 带电粒子在立体空间中的运动
情境示意图
分析方法
沿电场方向做匀变速运动,垂直于磁场方向做圆周运动,粒子做螺距逐渐增大(或减小)的螺旋线运动
按时间先后分析粒子进入电场(磁场)时速度的大小和方向,然后分析带电粒子在各场中的运动情况。粒子运动轨迹所在平面可能不在同一平面内
(山东高考2022·17)
分析电场和磁场方向,分析粒子在各段受力情况、运动轨迹及轨迹所在平面,画出运动轨迹示意图
1.(2023·江苏苏锡常镇二模)如图所示,水平放置的平行板电容器内存在相互垂直的匀强电场和匀强磁场(磁感应强度大小为B1),电容器右侧的矩形区域以对角线QM为界分布有等大反向的匀强磁场(磁感应强度大小为B2,包含边界),QM与水平方向夹角α=30°(图中未画),在矩形区域上方有区域足够大竖直向下的匀强磁场(磁感应强度大小为B3),一质量为m,带电荷量为q的正粒子从P点以速度v水平射入平行板电容器,能沿水平直线PQ运动,并从Q点进入矩形磁场区域,一段时间后恰能从M点进入匀强磁场B3区域。不考虑带电粒子对电磁场的影响,不计粒子重力。求:
(1)匀强电场的电场强度大小E;
(2)粒子从Q点运动到M点的时间;
(3)粒子在B3区域运动过程中回到竖直线MN时上升的高度h。
答案 见解析
解析 (1)粒子从P到Q点做匀速直线运动,有qE=qvB1,解得E=vB1
(2)粒子进入矩形区域后做圆周运动qvB2=
运动周期T1=
粒子发生一次偏转时转过的圆心角θ=60°,沿QM方向运动距离为R1,运动时间t=T1
①粒子完成奇数次偏转运动到M点,则t总=(2n+1)t=(2n+1)(n=0,1,2,3,…)
②粒子完成偶数次偏转运动到M点,则t总=2nt=(n=1,2,3,…)
(3)①若粒子完成奇数次偏转从M点进入B3磁场区域,速度与竖直方向夹角为α=30°,竖直方向分速度v1=vcos 30°
水平方向分速度v2=vsin 30°
由于磁场方向竖直向下,粒子将做螺旋上升的运动,水平方向做匀速圆周运动qv2B3=
圆周运动周期T2=
粒子会多次旋转交于MN竖直线,则再次相交时上升高度h=v1·kT2(k=1,2,3,…)
解得h=(k=1,2,3,…)
②若粒子完成偶数次偏转到达M点,水平射入B3区域后完成水平方向圆周运动回到M点,则h=0。
2.在芯片制造过程中,离子注入是其中一道重要的工序。如图所示是离子注入工作原理示意图,离子经加速后沿水平方向进入速度选择器,然后通过磁分析器,选择出特定比荷的离子,经偏转系统后注入处在水平面内的晶圆(硅片)。速度选择器、磁分析器和偏转系统中的匀强磁场的磁感应强度大小均为B,方向均垂直纸面向外;速度选择器和偏转系统中的匀强电场的电场强度大小均为E,方向分别为竖直向上和垂直纸面向外。磁分析器截面是内、外半径分别为R1和R2的四分之一圆环,其两端中心位置M和N处各有一个小孔;偏转系统中电场和磁场的分布区域是同一棱长为L的正方体,其底面与晶圆所在水平面平行,间距也为L。当偏转系统不加电场及磁场时,离子恰好竖直注入到晶圆上的O点(即图中坐标原点,x轴垂直纸面向外)。整个系统置于真空中,不计离子重力,打在晶圆上的离子经过电场和磁场偏转的角度都很小。当α很小时,有sin α≈tan α≈α,cos α≈1-α2。求:
(1)通过速度选择器的离子速度大小v和磁分析器选择出来离子的比荷;
(2)偏转系统仅加电场时离子注入晶圆的位置,用坐标(x,y)表示;
(3)偏转系统仅加磁场时离子注入晶圆的位置,用坐标(x,y)表示。
答案 (1) (2)(,0) (3)(0,)
解析 (1)离子在速度选择器内做匀速直线运动,由qvB=qE,得通过速度选择器的离子速度v=
从磁分析器中心孔N射出的离子运动半径为
R=
由qvB=得==
(2)经过电场后,离子在x轴正方向偏转的距离
x1=··()2
tan θ===
离子离开电场后到晶圆所在平面间,离子在x轴正方向偏移的距离x2=Ltan θ=
x=x1+x2==
故位置坐标为(,0)
(3)离子进入磁场后做匀速圆周运动
半径R=
sin α=
经过磁场后,离子在y轴正方向偏转距离
y1=R(1-cos α)≈
离开磁场后,离子在y轴正方向偏移距离y2=Ltan α≈,则y=y1+y2≈
故位置坐标为(0,)
3.如图所示,O-xyz坐标系的y轴竖直向上,在yOz平面左侧-2L<x<-L区域内存在着沿y轴负方向的匀强电场E1(大小未知),-L<x<0区域内存在着沿z轴负方向的匀强磁场,在yOz平面右侧区域同时存在着沿x轴正方向的匀强电场和匀强磁场,其中电场强度大小为E2=,磁感应强度大小与yOz平面左侧磁感强度大小相等,电磁场均具有理想边界,在x轴正方向距离O点x0=处,有一垂直于x轴放置的足够大的荧光屏(未画出)。一个质量为m、电荷量为+q的粒子从M点(-2L,,0)以速度v0沿x轴正方向射入电场,经N点(-L,0,0)点进入磁场区域,然后从O点进入到平面yOz右侧区域,不计粒子重力。求:
(1)-2L<x<-L区域内的匀强电场的电场强度E1大小;
(2)匀强磁场的磁感应强度B的大小;
(3)带电粒子打到荧光屏的位置坐标。
答案 (1) (2) (3)(,-L,-L)
解析 (1)粒子在电场中运动做类平抛运动,则沿x轴方向L=v0t
y轴方向L=at2
由牛顿第二定律得qE1=ma
解得E1=,a=
(2)设粒子在N点时速度v的方向与x轴正方向间的夹角为θ,沿y轴负方向的分速度大小为vy
则vy=at=v0,tan θ==1
解得θ=45°
粒子进入磁场时的速度大小v==v0
粒子在磁场中做匀速圆周运动,粒子运动轨迹如图所示:
由几何知识可知,粒子做圆周运动轨迹的半径
R=
粒子在磁场中做匀速圆周运动,洛伦兹力提供向心力,由牛顿第二定律得qvB=
解得B=
(3)粒子在xOy平面内沿着与x轴正方向成45°角的方向以速度v从O点进入E2和B的区域,沿x轴正方向的速度分量和沿y轴正方向的速度分量均为v0,则粒子在yOz平面内做匀速圆周运动,半径r==
粒子沿x轴正方向做匀加速运动,加速度
a′==
设粒子到达荧光屏的时间为t,则
x0=v0t+a′t2,解得t=
粒子做圆周运动的周期T==
则t=T=1T
则粒子打在屏上的坐标y=-rsin 45°=-L
z=-(r+rcos 45°)=-L
x=x0=
即位置坐标(,-L,-L)。
1.我国最北的城市漠河地处高纬度地区,在晴朗的夏夜偶尔会出现美丽的彩色“极光”,如图甲。极光是宇宙中高速运动的带电粒子受地球磁场影响,与空气分子作用的发光现象,若宇宙粒子带正电,因入射速度与地磁场方向不垂直,故其轨迹成螺旋状如图乙(相邻两个旋转圆之间的距离称为螺距Δx)。下列说法正确的是( )
A.带电粒子进入大气层后与空气发生相互作用,在地磁场作用下的旋转半径会越来越大
B.若越靠近两极,地磁场越强,则随着纬度的增加,以相同速度入射的宇宙粒子的半径越大
C.漠河地区看到的“极光”将以逆时针方向(从下往上看)向前旋进
D.当不计空气阻力时,若入射粒子的速率不变,仅减小与地磁场的夹角,则旋转半径减小,而螺距Δx增大
答案 D
解析 带电粒子进入大气层后,由于与空气相互作用,粒子的运动速度会变小,在洛伦兹力作用下的偏转半径 r= 会变小,故A错误;若越靠近两极,地磁场越强,则随着纬度的增加地磁场的磁感应强度增大,其他条件不变,由r=可知半径变小,故B错误;漠河地区的地磁场竖直分量是竖直向下的,宇宙粒子入射后,由左手定则可知,从下往上看将以顺时针的方向向前旋进,故C错误;当不计空气阻力时,将带电粒子的运动沿磁场方向和垂直于磁场方向进行分解,沿磁场方向将做匀速直线运动,垂直于磁场方向做匀速圆周运动。若带电粒子运动速率不变,与磁场的夹角变小,则垂直于磁场方向的速度分量变小,由r=可知粒子在垂直于磁场方向的运动半径会变小,即旋转半径减小;而速度沿磁场方向的分量变大,故沿磁场方向的运动将变快,则螺距Δx将增大,故D正确。
2.如图所示,在空间直角坐标系中,yOz平面左侧存在沿z轴正方向的匀强磁场,右侧存在沿y轴正方向的匀强磁场,左、右两侧磁场的磁感应强度大小相等;yOz平面右侧还有沿y轴负方向的匀强电场。现从空间中坐标为(-d,0,0)的M点发射一质量为m、电荷量为+q的粒子,粒子的初速度大小为v0、方向沿xOy平面,与x轴正方向的夹角为60°;经一段时间后粒子恰好垂直于y轴进入yOz平面右侧,轨迹上离yOz平面最远的点恰好落在xOz平面上,不计粒子的重力。求:
(1)yOz平面左侧匀强磁场的磁感应强度B的大小;
(2)yOz平面右侧匀强电场的电场强度E的大小;
(3)粒子第2次经过yOz平面时的位置坐标。
答案 (1) (2) (3)(0,-3d,4d)
解析 (1)粒子在yOz平面左侧做匀速圆周运动的半径r1==2d,根据qv0B=m
可得左侧匀强磁场的磁感应强度B=
(2)粒子第一次经过y轴后沿y轴负方向做匀加速运动,同时在洛伦兹力作用下做圆周运动,因轨迹上离yOz平面最远的点恰好落在xOz平面上,可知粒子到达xOz平面上时恰好做了个周期的圆周运动,一个周期T==,则运动到xOz平面所用时间t==
竖直方向有r1-r1cos 60°=·t2
解得E=
(3)粒子第2次经过yOz平面时做了半个周期的圆周运动,则所用时间为t′==
沿y轴负方向做匀加速运动,因在xOz平面上方和下方用时间相等,由初速度为零的匀加速直线运动的推论可知位置坐标y=-3d
z轴坐标z=2r1=4d,即粒子第2次经过yOz平面时的位置坐标(0,-3d,4d)。
3.如图所示,三个相同的立方体并排放置,立方体的棱长为L。有匀强磁场垂直于dgg′d′面布满整个空间,磁感应强度大小为B,方向由c指向b。最右边立方体的底面e′f′g′h′放置有与底面等大的荧光屏,带电粒子打在荧光屏上会被吸收,并且荧光屏会发光。一束质量为m、电荷量为q的正电粒子,均匀分布于整个abcd面垂直向下射入磁场。不计粒子的重力和粒子间的相互作用。求:
(1)当粒子的速度为多大时,从c点入射的粒子能打在g′处;
(2)当荧光屏上没有发光,即没有粒子打在荧光屏上时,粒子的速度范围;
(3)当粒子入射速度v=,空间施加一个与匀强磁场相同方向的匀强电场,电场强度的大小为E=。此时荧光屏上的发光区域面积。
答案 (1) (2)v<或v>
(3)L2
解析 (1)从c点入射的粒子运动到g′的轨迹如图,
由几何关系有L2+(2L-r1)2=r12
带电粒子做匀速圆周运动有qv1B=,
解得v1=
(2)当从c点入射的粒子运动到h′时的轨迹如图,由几何关系有r2=L
带电粒子做匀速圆周运动有
qv2B=,v2=
当从d点入射的粒子运动到g′时的轨迹如图,由几何关系有
L2+(3L-r3)2=r32
带电粒子做匀速圆周运动有
qv3B=,v3=
当带电粒子的速度v<v2或v>v3时,没有粒子打在荧光屏上,所以当带电粒子的速度v<或v>时,荧光屏上没有发光。
(3)分析知,荧光屏发光区域为一长方形。当入射粒子的速度v=时,由qvB=
解得粒子在磁场中做圆周运动的半径r=L
如图,由几何关系知,从c点入射的粒子打在h′右侧L-L处,则荧光屏上发光区域的宽为L-L,打在荧光屏的粒子其在磁场中运动的圆弧对应圆心角为120°
粒子做圆周运动的周期为T=
则粒子从入射到打在荧光屏的时间t=T
沿电场的方向,粒子做初速度为0的匀加速直线运动,加速度a=
沿电场方向的位移y=at2,解得y=L
则荧光屏上发光区域的长为L-y=L
所以荧光屏上发光区域的面积为
S=L×(L-L)=L2。
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