第三章 场效晶体管放大电路《电子技术基础与技能》（高教版第二版）练习题

第三章 场效晶体管放大电路 同步训练 一、选择题 1.场效应管的线形放大区是（ ）。 A. 可调电阻区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 击穿区 2.场效应管的主要特点是（ ）。 A.输入电阻高 B.输入电阻小 C.躁声大 D.耗电大 3.结型场效应管的输入电阻为（ ）。 A.几十欧姆 B.可达1015欧姆 C.107~108欧姆 D. 不可知 4.如图3.1代表（ ）绝缘栅场效应管的符号 D S G 图3.1 A.P沟道增强型 B.N沟道耗尽型 C.N沟道增强型 D.P沟道耗尽型 5.场效应管的跨导表征的控制作用（ ）。 A. 对 B. 对 C. 对 D. 对 6.场效应管三个电极中，用G表示的电极称为（ ）极。 A.控制极 B. 漏极 C.源极 D. 栅极 7.场效应管的转移特性曲线反映的是（ ）之间的关系。 A.与 B. 与 C. 与 D. 与 8. N沟道结型场效应管工作时，应加上（ ）源电压。 A.正向 B.反向 C.0 D. 正向或反向。 9.场效应管的输出特性曲线反映的是（ ）之间的关系。 A. 与 B. 与 C. 对 D. 对 10.UGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管是（ ）。 A.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 D.均可 11.当场效应管的漏极电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（ ）。 A.增大 B.减小 C.不变 D.均可 12. P沟道结型场效应管工作时，应加上（ ）源电压。 A.正向 B.反向 C.o D. 正向或反向 二、判断题 1.根据导电沟道不同，场效应管分为N沟道和P沟道。（ ） 2.场效应管的突出特点是输出电阻高，并且结型场效应管比绝缘栅场效管的要大。（ ） 3.管子存放时，应使MOS管栅极与源极短接，避免栅极悬空。 （ ） 4.MOSFET在结构上对称的是漏极和源极两个电极，因此有时候这两个电极可互换使用。（ ） 5.结型场效应晶体管的输入电阻是PN结的正向电阻。（ ） 6.在MOSFET场效应管中，其源极与栅极和漏极是绝缘的。（ ） 7.三极管的温度稳定性好于场效应管。（ ） 8.场效应晶体管是利用输入电流产生的电场效应来控制输出电压的。（ ） 9.夹断电压是使耗尽型绝缘栅型场效应管处于刚开始截止时的源电压。（ ） 10.对于N沟道增强型场效应管只有当 时，管子才开始出现电流。（ ） 三、填空题 1.结型场效应管的输入电阻很大，一般可达 。 2.场效应管属于 控制元件，是用 来控制 的。 3.绝缘栅型场效应管分为 型和 型两大类。各类又有 沟道和 沟道两种。 4.结型场效应管可分为 和 两大类。 5.对于N沟道结型场效应管，正常放大时的栅源电压的极性应为 。 6.结型场效应管的输出特性曲线有三个区 、 和 。 7.场效应管的跨导是表征 对 控制能力重要参数。 8.场效应管三个电极中，用D表示的电极称为 ，用S表示的电极称为 ，用G表示的电极称为 。 9.场效应管正常工作时，应工作在 区，此区又称为恒流区和 区。 10.增强型场效应管中，可以互换的两个电极分别是 极和 极。 四、简答题 1.晶体三极管与场效应晶体管在性能上有何区别。 学科网（北京）股份有限公司 $$ 第三章 场效晶体管放大电路 一、选择题 1.B 2.A 3.C 4.C 5.C 6.D 7.D 8.B 9.A 10.AC 11.A 12.A 二、判断题 1.√ 2.X 3.√ 4.√ 5.X 6.X 7.X 8.X 9.√ 10.√ 三、填空题 1.108Ω 2.电压型 栅源电压 漏极电流 3.结 绝缘栅 N P 4.N沟道 P沟道 5.负值 6.可调电阻区 放大区 击穿区 7.VGS ID 8.漏极 源极 栅极 9.放大 饱和 10.漏极 源极 四、简答 1.（1）晶体三极管受温度影响大，而场效应晶体管受温度影响小。 （2）场效应管的输入电阻大，而晶体管的输入电阻小。 （3）场效应管是电压控制型器件，晶体三极管是电流控制型器件。 学科网（北京）股份有限公司 $$