内容正文:
第一章 第一节 半导体的主要特性
同步练习
一、选择题
1.常见的半导体材料有( )。
A.铅 B.铁 C.锗 D.铜
2.半导体掺入杂质后,其导电能力会( )
A.不变 B.增强 C.减弱 D.不确定
3.P型半导体是指本征半导体中掺入( )元素。
A.铁 B.硼 C.磷 D.硅
4.PN加反向电压时,相当于开关( )。
A.闭合 B.导通 C.断开 D.不确定
5.热击穿和电击穿相比较,( )对二极管的损坏比较严重。
A.热击穿 B.热击穿 C.相同 D.无法比较
6.二极管主要特性是( )。
A.饱和失真 B. 单相导电性 C. 回差特性 D. 空翻
7.PN结加反向电压,引起反向电流增大的主要原因是( )。
A.温度升高 B.反向电压增大 C.PN结变宽 D.PN结变窄
8.硅二极管的死区电压是( )。
A.0.7V B. 0.5V C. 0.2V D.0.3V
9.电路中某稳压二极管的在100C时反向电流是1mA,则温度升高400C时,工作电流是( )mA.
A.1.1mA B.1mA C.8 mA D.16mA
10.当二极管加反向电压时,( )是主要运动。
A.漂移运动 B. 扩散运动 C. 空穴 D.电子
11. 室温附近,当温度升高时,杂质半导体中( )浓度明显增加。
A. 载流子 B. 多数载流子 C. 少数载流子 D. 空穴
12. 在P型半导体中( )。
A. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子
B. 电子是多数载流子,空穴是少数载流子
C. 空穴的数量略多于电子
D. 电子、空穴一样多
12. 温度不变时,PN结反向电压增大时,将导致( )。
A. 空间电荷区不变,反向电流减小
B. 空间电荷区变窄,反向电流减小
C. 空间电荷区变宽,反向电流基本不变
D. 空间电荷区和反向电流均保持不变
13. 在PN结外加电正向电压时,扩散电流( )漂移电流,当PN结外加反向电压时,扩散电流( )漂移电流。
A. 小于,大于 B. 大于,小于 C. 大于,大于 D. 小于,小于
14. PN结加反向电压后,电流剧变,当反向电压撤出后,仍能恢复单向导电性,则这种击穿称为( )。
A. 正击穿 B. 热击穿 C. 电击穿 D. 反击穿
15.N型半导体改为P型半导体,需要在其内部掺入足够多的( )。
A.二价元素 B.三价元素 C.四价元素 D.五价元素
二、判断题
1. N型半导体自由电子数量多,而自由电子是带负电荷的,所以带负电。( )
2. 在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。( )
3. PN结击穿后,立即烧毁,不能恢复其单向导电性。( )
4. 杂质型半导体的多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。 ( )
5. PN结的正向电阻比较小,反向电阻比较大。( )
6. PN结加正向电压时导通,加反向电压时截止。( )
7. PN结的正向偏置是指P接电源负极,N接电源正极。( )
8. 杂质型半导体只有多数载流子参与导电。( )
9. 本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。( )
10. 在半导体内部,只有电子是载流子。( )
三、填空题
1. 半导体具有 性、 性和 性。
2. 半导体的两类载流子是 和 。
3. 在导体中导电的是 ,在半导体中导电的不仅有 ,而且有 ,这是半导体区别于导体导电的重要特征。
4. 半导体的类型有 、 、 。
5. PN结正向偏置时 ,反向偏置时 ,这种特性称为PN结的 。
6. 当硅材料的PN结正向偏压小于 V,锗材料的PN结正向偏压小于 V时,PN结仍不导通,这个区域称为 。
7. PN 结的空间电荷区变厚,是由于 PN 结加了 电压,PN 结的空间电荷区变窄,是由于PN结加的是 电压。
8. N型半导体中多数载流子是 ,P型半导体中多数载流子是 。
9. P型半导体中空穴为 载流子,自由电子为 载流子。
10. 反向电流是由 载流子形成,其大小与 有关,而与外加电压 。
11. PN结正偏是指P区电位 N区电位。
12. PN结的内电场对载流子的扩散运动起 作用,对漂移运动起 作用。
13. 在PN结形成的过程中,载流子扩散运动是 作用下产生的,漂移运动是 作用下产生的。
14. PN结加正向电压时形成的电流称为 电流,加反向电压时形成的电流称为 电流。
15. PN结又称为空间电荷区,其又称为 层或 层。
16. PN结的击穿包括 击穿和 击穿, 击穿后,PN结立即烧毁。
17. 没有掺入任何杂质的半导体称为 半导体,其不 电,也不 电。
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第一章 第一节 半导体的主要特性
一、选择题
1.C 2.B 3.B 4.C 5.B 6.B 7.B 8.B 9.C 10.A
11.C 12.A 13.C 14.B 15.B
二、判断题
1.× 2.√ 3.× 4. √ 5. √ 6. √ 7.× 8.× 9. √ 10.×
三、填空题
1.热敏 光敏 掺杂
2.空穴 自由电子
3.自由电子 自由电子 空穴
4.N型半导体 P型半导体 本征半导体
5.导通 截止 单向导电性
6.0.5 0.2 死区
7.反向 正向
8.自由电子 空穴
9.多数 少数
10.少数 温度 无关
11.高于
12.阻碍 有利
13. 多子 少子
14.扩散电流 漂移电流
15.阻挡 耗尽
16.电 热 热
17.本征 导 带
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