第一章 第二节 晶体二极管《电子技术基础与技能》（高教版第二版）练习题

第一章 第二节 晶体二极管 一、选择题 1.B 2.A 3.C 4.A 5.A 6.B 7.D 8.B 9.B 10.B 二、判断题 1.× 2.× 3.× 4.√ 5.√ 6.√ 7.× 8. × 9.√ 10.× 三、填空题 1.点接触 面接触 2.电击穿 热击穿 3.增大 增大 下 4.减少 增大 5. 5 0 四、问答 1. A.导通，-6V B.截止，-12V C.导通，8V D.截止，3V。 学科网（北京）股份有限公司 $$ 第一章 第二节 晶体二极管 同步练习 一、选择题 1.二极管两端加上正向电压时（ ）。 A. 一定导通 B. 超过死区电压才能导通 C. 超过0.7V才导通 D. 超过0.3V才导通 2.二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（ ）的关系曲线。 A. B. C. D. 3.若把二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电源实行正向连接，则该管（ ）。 A.击穿 B.电流为零 C.电流过大而损坏 D.正向电压偏低而截止 4.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A.左移，下移 B.右移,上移 C.左移，上移 D.右移，下移 5.如图1.2.1所示，V为理想二极管（ ）。 A. V截止，VAB=12V B. V导通，VAB=6V C. V导通，VAB=18V D. V 截止，VAB=0V B A V R 12V 6V 图1.2.1 6.电路如图1.2.2所示，图中三个二极管的正向压降均可忽略不计，三个灯的规格一样，则最亮的是（ ）。 A. A灯 B. B灯 C. C灯 D. 一样5V 4V 4kΩ 1kΩ 1kΩ 图1.2.4 A VD2 VD1 - + VD VOB R 3V 8V 图1.2.3 ~ 图1.2.2 VD1 VD2 VD3 A B C 7.电路如图1.2.3所示，设二极管的正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压Uo为（ ）。 A. -3V B.5V C.8V D.-8V 8.如图1.2.4所示，设二极管为理想二极管，则A点电位为（ ）。 A. 5V B.4V C.0V D.1V 9.用万用表R×100挡和R×1kΩ挡分别测得一个正常的二极管的正向电阻，两次测量结果（ ）。 A.R×100挡的测量值比R×1kΩ挡测量值大 B.R×100挡的测量值比R×1kΩ挡测量值小 C.相同 D.不清楚 10.晶体二极管的内阻是（ ）。 A.常数 B.不是常数 C.不一定 D.没有电阻 二、判断题 1.选择整流二极管主要考虑两个参数:反向击穿电压和正向平均电流。（ ） 2.晶体二极管击穿后立即烧毁。（ ） 3.一般来说硅晶体二管的死电压(门坎电压)小于锗晶体二极管的死区电压。（ ） 4.二极管的导电性能由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流来决定。（ ） 5.普通二极管正常使用时，不允许出现反向击穿现象。（ ） 6.二极管的内阻不是常数，所以其属于非线性器件。 （ ） 7.最大整流电流是指二极管长时间工作时允许通过的最大电流。（ ） 8.在反向截止区,随着反向电压的增加,反向电流迅速变大。（ ） 9.硅二极管比锗二极管的稳定性要好。（ ） 10.最高反向工作电压是指二极管正常使用时所允许加的反向电压。（ ） 三、填空题 1.二极管按 PN 结面积大小的不同分为点接触型和面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 2.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况,其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 3.当温度升高时,由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。 4.温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。 5.电路如图1.2.5所示，各二极管的导通电压均为0.7V，当VA=VB=0V时，流过VD3的电流ID= mA，输出端VO= V。 VO -5V VD1 VD2 R1 VD3 VB VA ID R2 1kΩ 1kΩ +5V 图1.2.5 四、问答题 1.在图1.2.6所示电路中，设二极管为理想状态，判断图中二极管是导通还是截止，并求输出电压UAB。 1KΩ A B 8V D 3V 15V 12V A B 3KΩ D 1KΩ A B 3V D 8V D B 12V 3KΩ A 6V 图1.2.6 学科网（北京）股份有限公司 $$