5.4 场效应管基本原理（同步练习）-《汽车电工电子基础》同步精品课堂（人交版·第2版）

任务5.4场效应管基本原理 同步练习答案及解析 一、选择题 1. 场效应管的开关速度比双极型晶体管（ ）。 A. 快 B. 慢 C. 相同 D. 无法比较 【答案】：A 【解析】：场效应管没有少数载流子的存储效应，开关速度比双极型晶体管快。 2. 在汽车电子控制系统中，场效应管的高输入阻抗特性使其适合用于（ ）。 A. 电源管理 B. 信号放大 C. 传感器信号处理 D. 以上都是 【答案】：C 【解析】：高输入阻抗特性使场效应管适合用于传感器信号处理，避免信号源负载过重。 3. 场效应管的漏极电流（Id）主要由（ ）决定。 A. 栅源电压（Vgs） B. 漏源电压（Vds） C. 栅极电流（Ig） D. 源极电流（Is） 【答案】：A 【解析】：漏极电流（Id）主要由栅源电压（Vgs）决定，这是场效应管作为电压控制器件的核心特性。 4. 场效应管的阈值电压（Vth）是指（ ）。 A. 导通时的最小栅源电压 B. 截止时的最大栅源电压 C. 导通时的最大漏源电压 D. 截止时的最小漏源电压 【答案】：A 【解析】：阈值电压（Vth）是使场效应管开始导通的最小栅源电压。 5. 在汽车电子系统中，场效应管的低功耗特性使其适合用于（ ）。 A. 高功率输出 B. 低功耗电源管理 C. 高频信号放大 D. 以上都是 【答案】：B 【解析】：场效应管的低功耗特性使其适合用于低功耗电源管理，减少能量损耗。 二、判断题 1.场效应管的输入阻抗很高，因此适合用作阻抗变换。（ ） 【答案】：正确 【解析】：场效应管的输入阻抗非常高（10⁷～10¹²Ω），因此非常适合用于阻抗变换。 2.场效应管的开关速度比双极型晶体管慢。（ ） 【答案】：错误 【解析】：场效应管的开关速度非常快，能够实现高频率操作，比双极型晶体管快。 3.场效应管的噪声系数很小，适合用于低噪声放大电路。（ ） 【答案】：正确 【解析】：场效应管不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，因此噪声低，适合用于低噪声放大电路。 4.场效应管的温度稳定性较差，不适合在高温环境下使用。（ ） 【答案】：错误 【解析】：场效应管利用多数载流子导电，温度稳定性较好，适合在环境条件变化较大的场合使用。 5.场效应管的漏极电流由栅源电压控制，是一种电压控制型器件。（ ） 【答案】：正确 【解析】：场效应管通过栅源电压（Vgs）来控制漏极电流（Id），是一种电压控制型器件。 6.使用万用表测量场效应管时，N沟道MOSFET的源极到漏极之间应有一定的导通电压（通常为0.4V到0.9V左右），若表现为开路或非常高阻值，则可能损坏。（ ） 【答案】：正确 【解析】：N沟道MOSFET在正常工作时，源极到漏极之间会有一定的导通电压，若测量结果异常，则说明管子可能损坏。 7.场效应管的栅极控制能力检测时，将万用表的表笔接触栅极和漏极，另一个表笔接触源极和栅极，良好的MOSFET应有明显的导通现象。（ ） 【答案】：错误 【解析】：良好的MOSFET在这种测试下应无明显的导通现象，因为栅极对源极和漏极之间的导通状态有控制作用，而不是直接导通。 8.在测试场效应管时，半导体参数分析仪可以测量其阈值电压（Vth）、导通电阻（Rds(on)）、最大漏极电流（Idmax）等参数。（ ） 【答案】：正确 【解析】：半导体参数分析仪是一种专业的测试仪器，能够精确测量场效应管的各项参数，为评估其性能提供数据支持。 9.场效应管的性能检测中，输出特性曲线（IDS－VDS）和转移特性曲线（IDS－VGS）是重要的参考依据。（ ） 【答案】：正确 【解析】：输出特性曲线和转移特性曲线能够反映场效应管的工作状态和性能，是检测和分析的重要依据。 10.在实际电路中评估场效应管性能时，其开关速度和稳定性是关键指标。（ ） 【答案】：正确 【解析】：场效应管在实际电路中的开关速度和稳定性直接影响其工作性能，是评估其是否合格的重要指标。 三、简答题： 1.简述场效应管的分类。 【答案】：场效应管分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅场效应管(MOS管)两大类。 2.简述场效应管的测量。 【答案】：一般情况下，G极与D极和S极无论怎样测量都是不通的。用万用表欧姆挡可以触发场效应管，让它工作。方法是：红表笔接G极，黑表笔接S极，然后黑表笔不动，红表笔接D极，可发现场效应管开通了，就是有很小的阻值了，说明管子在正常工作了。然后红表笔接S极，黑表笔接G极，再次用红表笔接D极，黑表笔接S极，会发现场效应管关断了，也就是G极控制D极与S极的导通与关断。给G极加正电压，D与S开通，加反向电压是关断。 3.简述场效应管？ 【答案】：场效应晶体管，简称场效应管，由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 任务5.4场效应管基本原理 同步练习 一、选择题 1. 场效应管的开关速度比双极型晶体管（ ）。 A. 快 B. 慢 C. 相同 D. 无法比较 2. 在汽车电子控制系统中，场效应管的高输入阻抗特性使其适合用于（ ）。 A. 电源管理 B. 信号放大 C. 传感器信号处理 D. 以上都是 3. 场效应管的漏极电流（Id）主要由（ ）决定。 A. 栅源电压（Vgs） B. 漏源电压（Vds） C. 栅极电流（Ig） D. 源极电流（Is） 4. 场效应管的阈值电压（Vth）是指（ ）。 A. 导通时的最小栅源电压 B. 截止时的最大栅源电压 C. 导通时的最大漏源电压 D. 截止时的最小漏源电压 5. 在汽车电子系统中，场效应管的低功耗特性使其适合用于（ ）。 A. 高功率输出 B. 低功耗电源管理 C. 高频信号放大 D. 以上都是 二、判断题 1.场效应管的输入阻抗很高，因此适合用作阻抗变换。（ ） 2.场效应管的开关速度比双极型晶体管慢。（ ） 3.场效应管的噪声系数很小，适合用于低噪声放大电路。（ ） 4.场效应管的温度稳定性较差，不适合在高温环境下使用。（ ） 5.场效应管的漏极电流由栅源电压控制，是一种电压控制型器件。（ ） 6.使用万用表测量场效应管时，N沟道MOSFET的源极到漏极之间应有一定的导通电压（通常为0.4V到0.9V左右），若表现为开路或非常高阻值，则可能损坏。（ ） 7.场效应管的栅极控制能力检测时，将万用表的表笔接触栅极和漏极，另一个表笔接触源极和栅极，良好的MOSFET应有明显的导通现象。（ ） 8.在测试场效应管时，半导体参数分析仪可以测量其阈值电压（Vth）、导通电阻（Rds(on)）、最大漏极电流（Idmax）等参数。（ ） 9.场效应管的性能检测中，输出特性曲线（IDS－VDS）和转移特性曲线（IDS－VGS）是重要的参考依据。（ ） 10.在实际电路中评估场效应管性能时，其开关速度和稳定性是关键指标。（ ） 三、简答题： 1.简述场效应管的分类。 2.简述场效应管的测量。 3.简述场效应管？ 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$