《电子技术基础与技能》第二章 课题二 场效应管的认识 45分钟专题训练（原卷版+解析版)

四川省对口升学考试《电子技术基础与技能》45分钟专题训练专辑，共30份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子信息类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息类高考的学生。与本专辑配套的还有四川省单独招生考试《电工技术基础与技能》《单片机原理及应用》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 第二章 三极管及其基本放大电路 课题二 场效应管的认识 时间：45分钟 总分：100分 班级 姓名 学号 成绩 一、选择题（本大题共20小题，每小题 2 分，共40分） 1.场效应管按结构可分为（ ） A. N 沟道和 P 沟道 B. 增强型和耗尽型 C. 结型和绝缘栅型 D. 以上都不对 2.绝缘栅型场效应管又称为（ ） A. MOS 管 B. JFET 管 C. 双极型晶体管 D. 以上都不是 3.结型场效应管正常工作时，栅源之间的 PN 结应（ ） A. 正偏 B. 反偏 C. 零偏 D. 以上都可以 4.增强型 N 沟道 MOS 管的开启电压 UGS(th)( ) A.大于零 B.小于零 C.等于零 D.不确定 5.场效应管是一种（ ）控制器件。 A. 电流 B. 电压 C. 电阻 D. 电容 6.对于耗尽型 N沟道 MOS管，当 UGS=0时( ) A.没有导电沟道 B.有导电沟道 C.处于截止状态 D.以上都不对 7.当场效应管工作在可变电阻区时，它相当于一个（ ） A. 固定电阻 B. 可变电阻 C. 电容 D. 电感 8.用万用表判断结型场效应管的栅极时，若某引脚与另外两个引脚之间的正反向电阻都很大，则该引脚是（ ） A. 栅极 B. 源极 C. 漏极 D. 无法确定 9.下列哪种场效应管没有原始导电沟道（ ） A. 耗尽型 N 沟道 MOS 管 B. 耗尽型 P 沟道 MOS 管 C. 增强型 N 沟道 MOS 管 D. 结型 N 沟道场效应管 10.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻（ ） A. 大 B. 小 C. 相等 D. 不确定 11.对于 P 沟道结型场效应管，夹断电压UGS(off) （ ） A. 大于零 B. 小于零 C. 等于零 D. 不确定 12.场效应管的输出特性曲线可以分为三个区域，不包括（ ） A. 截止区 B. 放大区 C. 可变电阻区 D. 恒流区（饱和区） 13.若要使增强型 P沟道 MOS 管导通，应满足( ) A.UGS < UGS(th)(UGS(th)<0 ) B.UGS >UGS(th)(UGS(th)>0 ) C.UGS = UGS(th) D. 以上都不对 14.在识别场效应管的管脚时，若某场效应管三个引脚分别为 1、2、3，用万用表测量发现引脚 1 与 2、3 之间的电阻都非常大，引脚 2 和 3 之间电阻较小且有一定变化规律，则引脚 1 可能是（ ） A. 栅极 B. 源极 C. 漏极 D. 无法确定 15.场效应管的噪声比三极管的噪声（ ） A. 大 B. 小 C. 相等 D. 不确定 16.场效应管工作在截止区时，漏极电流ID （ ） A. 近似为零 B. 达到最大值 C. 随UGS线性变化 D. 以上都不对17.下列关于场效应管命名的说法，错误的是（ ） A. 国产场效应管命名有一定规则 B. 型号中一般会体现其类型和参数 C. 国外场效应管命名规则与国产完全相同 D. 不同厂家的场效应管命名可能有差异 18.若一个场效应管的符号中，栅极的箭头指向沟道，则该场效应管是（ ） A. N 沟道 B. P 沟道 C. 无法判断沟道类型 D. 以上都不对 19.已知某增强型 N沟道MOS管UGS=2V，UGs(th)=1V，UDS=3V在判断场效应管的工作状态时， 则该管工作在( ) A.截止区 B.可变电阻区 C.恒流区(饱和区) D.无法确定 20.对于一个未知类型的场效应管，若通过测量发现当 UGS增大时，ID也增大，且 UGS =0时ID≠0，则该场效应管可能是( ) A.增强型 N 沟道 MOS 管 B.耗尽型 N 沟道 MOS 管 C.增强型 P沟道 MOS 管 D.以上都不对 二、判断题（本大题共10小题，每题 2分，共 20 分） 1.场效应管也称单极型晶体管。( ) 2.场效应管是电流控制型器件。（ ） 3.场效应管的输出特性曲线有可变电阻区、恒流区和击穿区。（ ） 4. PMOS 管与 PNP 型三极管工作原理相同。（ ） 5.结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。（ ） 6. 可以用万用表来检测绝缘栅场效应管的电极。（ ） 7. 场效应管放大电路具有很高的输入阻抗。（ ） 8. N 沟道增强型 MOS 管的开启电压大于零。（ ） 9. N 沟道耗尽型 MOS 管的夹断电压大于零。（ ） 10. 焊接场效应管时，电烙铁必须要可靠接地。（ ） 3、 分析简答题（本大题共2小题，每题 10 分，共20 分） 1. 试将场效应管栅极和漏极电压对电流的控制原理，与双极型晶体管基极和集电极电压对电流的控制原理做比较。 2. 沟道结型场效应晶体管的转移特性如图所示。试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电 Vp。 4、 综合题（共计20 分） N沟道结型场效应晶体管的输出特性如图所示。漏源电压的 VDS=15V,试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电压Vp，并计算栅源电压VGS=-2V时的跨导gm。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 四川省对口升学考试《电子技术基础与技能》45分钟专题训练专辑，共30份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子信息类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息类高考的学生。与本专辑配套的还有四川省单独招生考试《电工技术基础与技能》《单片机原理及应用》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 第二章 三极管及其基本放大电路 课题二 场效应管的认识 时间：45分钟 总分：100分 班级 姓名 学号 成绩 一、选择题（本大题共20小题，每小题 2 分，共40分） 1.场效应管按结构可分为（ ） A. N 沟道和 P 沟道 B. 增强型和耗尽型 C. 结型和绝缘栅型 D. 以上都不对 【答案】C 【解析】场效应管按结构分类，可分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。A 选项 N 沟道和 P 沟道是按沟道类型分类；B 选项增强型和耗尽型是按工作方式分类。所以选 C。 2.绝缘栅型场效应管又称为（ ） A. MOS 管 B. JFET 管 C. 双极型晶体管 D. 以上都不是 【答案】A 【解析】绝缘栅型场效应管也叫 MOS 管。JFET 管是结型场效应管；双极型晶体管是三极管，与场效应管不同。所以选 A。 3.结型场效应管正常工作时，栅源之间的 PN 结应（ ） A. 正偏 B. 反偏 C. 零偏 D. 以上都可以 【答案】B 【解析】结型场效应管正常工作时，为了使栅极电流近似为零，栅源之间的 PN 结要反偏。正偏会使栅极有较大电流，不符合其工作要求。零偏一般不满足其正常工作条件。所以选 B。 4.增强型 N 沟道 MOS 管的开启电压 UGS(th)( ) A.大于零 B.小于零 C.等于零 D.不确定 【答案】A 【解析】增强型 N 沟道 MOS 管需要在栅源电压 UGS 大于开启电压 UGS（th） 时才会形成导电沟道，开启电压UGS(th) 大于零。增强型 P沟道 MOS 管的开启电压小于零。所以选 A。 5.场效应管是一种（ ）控制器件。 A. 电流 B. 电压 C. 电阻 D. 电容 【答案】B 【解析】场效应管是电压控制器件，通过改变栅源电压来控制漏极电流。三极管是电流控制器件。所以选 B。 6.对于耗尽型 N沟道 MOS管，当 UGS=0时( ) A.没有导电沟道 B.有导电沟道 C.处于截止状态 D.以上都不对 【答案】B 【解析】耗尽型 N 沟道 MOS 管在制造时就已经存在导电沟道，当 UGS=0时，沟道是存在的。只有当加上合适的负栅源电压时才可能使沟道消失进入截止状态。所以选 B。 7.当场效应管工作在可变电阻区时，它相当于一个（ ） A. 固定电阻 B. 可变电阻 C. 电容 D. 电感 【答案】B 【解析】场效应管工作在可变电阻区时，其漏源之间的电阻会随着栅源电压 的变化而变化，相当于一个可变电阻。所以选 B。 8.用万用表判断结型场效应管的栅极时，若某引脚与另外两个引脚之间的正反向电阻都很大，则该引脚是（ ） A. 栅极 B. 源极 C. 漏极 D. 无法确定 【答案】A 【解析】结型场效应管的栅极与源极、漏极之间是 PN 结，正常测量时，栅极与另外两极之间的正反向电阻都很大。源极和漏极在结构上有一定的对称性，一般需要结合其他方法进一步区分。所以选 A。 9.下列哪种场效应管没有原始导电沟道（ ） A. 耗尽型 N 沟道 MOS 管 B. 耗尽型 P 沟道 MOS 管 C. 增强型 N 沟道 MOS 管 D. 结型 N 沟道场效应管 【答案】C 【解析】增强型 MOS 管在UGS=0时没有导电沟道，需要加上合适的栅源电压才能形成导电沟道。耗尽型 MOS 管和结型场效应管在一定条件下本身就存在导电沟道。所以选 C。 10.场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻（ ） A. 大 B. 小 C. 相等 D. 不确定 【答案】A 【解析】场效应管是电压控制器件，栅极几乎不取电流，输入电阻很大，一般可达107以上；三极管是电流控制器件，基极需要一定的电流，输入电阻相对较小。所以选 A。 11.对于 P 沟道结型场效应管，夹断电压UGS(off) （ ） A. 大于零 B. 小于零 C. 等于零 D. 不确定 【答案】A 【解析】P沟道结型场效应管，当栅源电压 UGS 大于夹断电压 UGS(off) 时，管子导通;当 UGS >UGS(off) 时，沟道夹断，电流截止，夹断电压 UGS(off) 大于零。N 沟道结型场效应管夹断电压小于零。所以选 A。 12.场效应管的输出特性曲线可以分为三个区域，不包括（ ） A. 截止区 B. 放大区 C. 可变电阻区 D. 恒流区（饱和区） 【答案】B 【解析】场效应管的输出特性曲线分为截止区、可变电阻区和恒流区（饱和区）。放大区一般是三极管输出特性曲线中的概念。所以选 B。 13.若要使增强型 P沟道 MOS 管导通，应满足( ) A.UGS < UGS(th)(UGS(th)<0 ) B.UGS >UGS(th)(UGS(th)>0 ) C.UGS = UGS(th) D. 以上都不对 【答案】A 【解析】增强型 P沟道 MOS 管的开启电压 UGS(th)<0，当 UGS <UGS(th) 时，管子导通形成导电沟道。所以选 A。 14.在识别场效应管的管脚时，若某场效应管三个引脚分别为 1、2、3，用万用表测量发现引脚 1 与 2、3 之间的电阻都非常大，引脚 2 和 3 之间电阻较小且有一定变化规律，则引脚 1 可能是（ ） A. 栅极 B. 源极 C. 漏极 D. 无法确定 【答案】A 【解析】场效应管的栅极与源极、漏极之间电阻很大，结合测量情况可知引脚 1 可能是栅极。引脚 2 和 3 一般为源极和漏极。所以选 A。 15.场效应管的噪声比三极管的噪声（ ） A. 大 B. 小 C. 相等 D. 不确定 【答案】B 【解析】场效应管是单极型器件，噪声主要来源于热噪声等，相对较小；三极管是双极型器件，存在多种噪声源，噪声相对较大。所以场效应管的噪声比三极管的噪声小。选 B。 16.场效应管工作在截止区时，漏极电流ID （ ） A. 近似为零 B. 达到最大值 C. 随UGS线性变化 D. 以上都不对 【答案】A 【解析】场效应管工作在截止区时，导电沟道消失或几乎消失，漏极电流 ID近似为零。在恒流区(饱和区)可能有较大且相对稳定的电流;在可变电阻区电流随 UGS 和 UDS 变化。所以选 A。 17.下列关于场效应管命名的说法，错误的是（ ） A. 国产场效应管命名有一定规则 B. 型号中一般会体现其类型和参数 C. 国外场效应管命名规则与国产完全相同 D. 不同厂家的场效应管命名可能有差异 【答案】C 【解析】国产场效应管命名有自己的规则，型号中一般会体现其类型和一些参数信息。不同厂家的场效应管命名可能存在差异，而且国外场效应管命名规则与国产通常是不同的。所以选 C。 18.若一个场效应管的符号中，栅极的箭头指向沟道，则该场效应管是（ ） A. N 沟道 B. P 沟道 C. 无法判断沟道类型 D. 以上都不对 【答案】B 【解析】在场效应管符号中，栅极箭头指向沟道表示 P 沟道；栅极箭头背离沟道表示 N 沟道。所以选 B。 19.已知某增强型 N沟道MOS管UGS=2V，UGs(th)=1V，UDS=3V在判断场效应管的工作状态时， 则该管工作在( ) A.截止区 B.可变电阻区 C.恒流区(饱和区) D.无法确定 【答案】C 【解析】因为UGS=2V>UGS(th)=1V，目UDS=3V>UGS-UGS(th)=2V-1V=1V，满足增强型 N 沟道 MOS 管工作在恒流区(饱和区)的条件 UGS >UGS(th)且UDS >UGS-UGS(th) 。所以选C。 20.对于一个未知类型的场效应管，若通过测量发现当 UGS增大时，ID也增大，且 UGS =0时ID≠0，则该场效应管可能是( ) A.增强型 N 沟道 MOS 管 B.耗尽型 N 沟道 MOS 管 C.增强型 P沟道 MOS 管 D.以上都不对 【答案】B 【解析】增强型 MOS 管在 UGS =0时 ID =0，不符合条件。耗尽型 N 沟道 MOS 管在 UGS =0时有导电沟道， ID ≠0，且当 UGS 增大(为正)时，沟道变宽，ID增大。所以选 B。 二、判断题（本大题共10小题，每题 2分，共 20 分） 1.场效应管也称单极型晶体管。( ) 【答案】√ 【解析】场效应管是通过一种载流子（多数载流子）参与导电的半导体器件，所以被称为单极型晶体管。与之相对的三极管是双极型晶体管，因为它的导电过程有两种载流子（多数载流子和少数载流子）参与。该判断题的说法是正确的。 2.场效应管是电流控制型器件。（ ） 【答案】× 【解析】场效应管是电压控制型器件，它是通过栅源电压 UGS 来控制漏极电流 ID 的大小。而三极管是电流控制型器件，通过基极电流 IB 来控制集电极电流 IC。场效应管的输出特性曲线有可变电阻区、恒流区和击穿区。这个说法是错误的。 3.场效应管的输出特性曲线有可变电阻区、恒流区和击穿区。（ ） 【答案】√ 【解析】场效应管的输出特性曲线一般分为三个区域。可变电阻区中，场效应管可看作一个受栅源电压控制的可变电阻；恒流区(也叫饱和区)中，漏极电流ID主要由栅源电压 UGS 决定，基本不随漏源电压 UDS 变化；当漏源电压 UDS 过大时，场效应管会进入击穿区，此时电流急剧增大，可能会损坏管子。所以这一说法是正确的。 4. PMOS 管与 PNP 型三极管工作原理相同。（ ） 【答案】× 【解析】PMOS 管是场效应管，属于电压控制型器件，依靠多数载流子（空穴）导电。而 PNP 型三极管是电流控制型器件，其导电过程涉及多数载流子和少数载流子。二者的控制方式和导电机制都不同，工作原理并不相同。该说法是错误的。 5.结型场效应管可分为增强型与耗尽型两种。（ ） 【答案】× 【解析】增强型和耗尽型是绝缘栅型场效应管（MOS 管）的分类方式。结型场效应管根据沟道类型分为 N 沟道结型场效应管和 P 沟道结型场效应管。所以该说法错误。 6. 可以用万用表来检测绝缘栅场效应管的电极。（ ） 【答案】× 【解析】绝缘栅场效应管（MOS 管）的输入阻抗极高，栅极极易积累电荷，且绝缘层很薄，容易被静电击穿。用万用表检测时，人体和万用表上可能携带的静电会对其造成损坏，所以一般不能用万用表来检测绝缘栅场效应管的电极。所以答案为错误。 7. 场效应管放大电路具有很高的输入阻抗。（ ） 【答案】√ 【解析】场效应管是电压控制器件，栅极几乎不取电流，所以由场效应管构成的放大电路输入阻抗很高，一般可达 107 以上。这使得场效应管放大电路在一些对输入阻抗要求较高的场合具有很大优势。所以该题正确。 8. N 沟道增强型 MOS 管的开启电压大于零。（ ） 【答案】√ 【解析】N 沟道增强型 MOS 管在 UGS =0时没有导电沟道，只有当栅源电压 UGS 大于开启电压 UGS(th)时，才会形成 N 沟道，使管子导通，所以其开启电压 UGS(th) 大于零。答案为正确。 9. N 沟道耗尽型 MOS 管的夹断电压大于零。（ ） 【答案】× 【解析】N 沟道耗尽型 MOS 管在制造时就已经存在 N 沟道，当加上负的栅源电压 UGS 时，沟道会逐渐变窄，当UGS 达到夹断电压 UGS(off )时，沟道被夹断，电流截止。所以 N 沟道耗尽型 MOS 管的夹断电压 UGS(off) 小于零。所以该题错误。 10. 焊接场效应管时，电烙铁必须要可靠接地。（ ） 【答案】√ 【解析】 如前面所述，场效应管尤其是绝缘栅场效应管的栅极容易被静电击穿。电烙铁在使用过程中可能会产生静电，如果不接地，静电可能会通过烙铁传递到场效应管上，将其损坏。所以焊接场效应管时，电烙铁必须可靠接地，以避免静电对管子造成损害。所以该说法正确。 3、 分析简答题（本大题共2小题，每题 10 分，共20 分） 1.试将场效应管栅极和漏极电压对电流的控制原理，与双极型晶体管基极和集电极电压对电流的控制原理做比较。 【答案】 场效应管栅极电压是通过改变场效应管导电沟道的几何尺寸来控制电流的。漏极电压能改变导电沟道几何尺寸,加速载流子运动。双极型三极管基极电压是通过改变发射结势垒高度来控制电流的，集电极电压(在放大区)是通过改变基区宽度，从而改变基区少子密度梯度来控制电流的。 2.沟道结型场效应晶体管的转移特性如图所示。试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电 Vp。 【答案】 由图可知，此结型场效应晶体管的饱和漏电流IDSS≈4mA,夹断电压Vp=-4V。 4、 综合题（共计20 分） N沟道结型场效应晶体管的输出特性如图所示。漏源电压的 VDS=15V,试确定其饱和漏电流IDSS和夹断电压Vp，并计算栅源电压VGS=-2V时的跨导gm。 【答案】 由图可得:饱和漏电流IDSS≈4mA, 夹断电压Vp≈-4 V。VGS=-2V时， 用作图法求得跨导近似为。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$