内容正文:
5.晶体结构与晶胞计算
主观题突破
核心精讲
01
1.常见共价晶体结构分析
(1)金刚石
①每个C与相邻4个C以共价键结合,形成正四面体结构;
②键角均为109°28′;
③最小碳环由6个C组成且6个C不在同一平面内;
④每个C参与4个C—C的形成,C原子数与C—C数之比为1∶2;
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(2)SiO2
①每个Si与4个O以共价键结合,形成正四面体结构;
②每个正四面体占有1个Si,4个“ O”,因此二氧化
硅晶体中Si与O的个数之比为1∶2;
③最小环上有12个原子,即6个O、6个Si;
(3)SiC、BP、AlN
①每个原子与另外4个不同种类的原子形成正四面体结构;
2.常见分子晶体结构分析
(1)干冰
①8个CO2位于立方体的顶角且在6个面的面心各
有1个CO2;
②每个CO2分子周围紧邻的CO2分子有12个;
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(2)白磷
①面心立方最密堆积;
3.常见离子晶体结构分析
典型离子晶体模型的配位数
晶体 晶胞 配位数
NaCl Na+、Cl-的配位数均为6
CsCl Cs+、Cl-的配位数均为8
8
晶体 晶胞 配位数
ZnS Zn2+、S2-的配位数均为4
CaF2 Ca2+( )的配位数为8;F-( )的配位数为4
晶格能
知识拓展
(1)定义:气态离子形成1摩离子晶体释放的能量。晶格能是反映离子晶体稳定性的数据,可以用来衡量离子键的强弱,晶格能越大,离子键越强。
(2)影响因素:晶格能的大小与阴阳离子所带电荷数、阴阳离子间的距离、离子晶体的结构类型有关。离子所带电荷数越多,半径越小,晶格能越大。
(3)对离子晶体性质的影响:晶格能越大,形成的离子晶体越稳定,而且熔点越高,硬度越大。
真题演练
02
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1.[2021·山东,16(4)]XeF2晶体属四方晶系,晶胞参
数如图所示,晶胞棱边夹角均为90°,该晶胞中有
____个XeF2分子。以晶胞参数为单位长度建立的坐
标系可以表示晶胞中各原子的位置,称为原子的分
数坐标,如A点原子的分数坐标为( )。已
知Xe—F键长为r pm,则B点原子的分数坐标为__________;晶胞中A、
B间距离d=_______________pm。
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图中y是底面对角线的一半,y=
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2.[2021·广东,20(6)]理论计算预测,由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb)形成的一种新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为Ge晶体(晶胞如图a所示)中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成。
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①图b为Ge晶胞中部分Ge原子被Hg和Sb取代后形成的一种单元结构,它不是晶胞单元,理由是__________________________________________
_________________。
由图c可知,图b中Sb、Hg原子取代位置除图b外还有其他形式
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对比图b和图c可得X晶体的晶胞中上下两个单元内的原子位置不完全相同,不符合晶胞是晶体的最小重复单元要求。
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②图c为X的晶胞,X的晶体中与Hg距离最近的Sb的数目为___;该晶胞中粒子个数比Hg∶Ge∶Sb=__________。
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1∶1∶2
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以晶胞立方体中右侧面心中Hg原子为例,同一晶胞中与Hg距离最近的Sb的数目为2,右侧晶胞中有2个Sb原子与Hg原子距离最近,因此X的晶体中与
Hg距离最近的Sb的数目为4。该晶胞中Sb原子均位于晶胞内,因此
1个晶胞中含有Sb原子数为8;
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则该晶胞中粒子个数比Hg∶Ge∶Sb=4∶4∶8=1∶1∶2。
③设X的最简式的式量为Mr,则X晶体的
密度为____________g·cm-3(列出算式)。
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①若晶胞底边的边长均为a pm、高为c pm,阿伏加德罗常数的值为NA,
晶体的密度为______________g·cm-3(写出表达式)。
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②晶胞在x轴方向的投影图为____(填标号)。
B
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由图(a)、(b)、(c)可知,晶胞在x轴方向的投影图为 。
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4.[2021·湖南,18(3)]如图是Mg、Ge、O三种
元素形成的某化合物的晶胞示意图。
①已知化合物中Ge和O的原子个数比为1∶4,
图中Z表示___原子(填元素符号),该化合物的化学式为__________。
O
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Mg2GeO4
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②已知该晶胞的晶胞参数分别为a nm、b nm、c nm,α=β=γ=90°,则该晶体的密度ρ=
_____________g·cm-3(设阿伏加德罗常数的值为NA,用含a、b、c、NA的代数式表示)。
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5.[2022·全国甲卷,35(5)]萤石(CaF2)是自然界中常见的含氟矿物,其晶胞结构如图所示,X代表的离子是______;若该立方晶胞参数为a pm,正负离子的核间
距最小为______ pm。
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Ca2+
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6.[2022·全国乙卷,35(4)]α-AgI晶体中I-作体心立方堆积(如图所示),Ag+主要分布在由I-构成的四面体、八面体等空隙中。在电场作用下,Ag+不需要克服太大的阻力即可发生迁移。因此,α-AgI晶体在电池中可作为_______。
已知阿伏加德罗常数的值为NA,则α-AgI晶体的摩尔体积
Vm=_________________m3·mol-1(列出算式)。
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电解质
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7.[2021·全国甲卷,35(4)]我国科学家发明了高选择性的二氧化碳加氢合成甲醇的催化剂,其组成为ZnO/ZrO2固溶体。四方ZrO2晶胞如图所示。Zr4+离子在晶胞中的配位数是___,晶胞参数为a pm、a pm、c pm,该晶体密度
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为_______________ g·cm-3(写出表达式)。在ZrO2中掺杂少量ZnO后形成的催化剂,化学式可表示为ZnxZr1-xOy,则y=______(用x表达)。
2-x
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在ZrO2中掺杂少量ZnO后形成的催化剂,化学式可表示为ZnxZr1-xOy,其中Zn元素为+2价,Zr为+4价,O元素为-2价,根据化合物中各元素化合价代数和为0可知2x+4×(1-x)=2y,解得y=2-x。
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8.[2021·全国乙卷,35(4)]在金属材料中添加AlCr2颗粒,可以增强材料的耐腐蚀性、硬度和机械性能。AlCr2具有体心四方结构,如图所示。处于顶角位置的是____原子。设Cr和Al原子半径分别为rCr和rAl,则金属原子空间占有率
为____________________% (列出计算表达式)。
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Al
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考向预测
03
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1.已知TiN晶体的晶胞结构如图所示,若该晶胞的密度为ρ g·cm-3,阿伏加德罗常数的值为NA,则晶
胞中Ti原子与N原子的最近距离为_______________
(用含ρ、NA的代数式表示)pm。
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2.铜的晶胞结构如图所示。一种金铜合金晶胞可以看成是
铜晶胞面心上的铜被金取代,连接相邻面心上的金原子构
成__________(填“正四面体”“正八面体”或“正四边
形”)。已知:NA表示阿伏加德罗常数的值,晶胞参数为a pm,则该金
铜合金晶体的密度为__________ g·cm-3(用含a、NA的代数式表示)。
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正八面体
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3.金属Ni可以与Mg、C形成一种化合物M,M是一
种新型超导体,它的临界温度为8 K。
已知M的晶胞(α=β=γ=90°)结构如图所示,则M
的化学式为________。其晶胞参数为d pm,该晶体的密度为__________
g·cm-3。(列出计算式)
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MgCNi3
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4.天然硅酸盐组成复杂阴离子的基本结构单元是 四面体,如图(a),通过共用顶角氧离子可形成链状、网状等结构,图(b)为一种无限长双链的多硅酸根,其中Si与O的原子数之比为_______,化学式为__________。
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2∶5.5
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n个 通过共用顶角氧离子可形成双链结构,找出重复的结构单元,如图:
,由于是双链,
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5.多聚磷酸由磷酸(H3PO4)加热脱水缩合而成。链状多聚磷酸是多个磷酸通过脱水后共有部分氧原子连接起来的,多聚磷酸根离子的部分结构投影图如图所示(由于P、O原子的半
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径大小不同,投影图中P与O之间存在部分或全部遮掩关系),则其化学式为_______________。
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6.从石墨晶体结构示意图中截取石墨的晶胞如图所示,设阿伏加德罗常数的值为NA,已知sin 60°= ,石
墨晶体的密度为________________g·cm-3(列出计算式)。
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7.“嫦娥五号”某核心部件主要成分为纳米钛铝合
金,其结构单元如图所示(Al、Ti各有一个原子在
结构单元内部),则该合金的化学式为__________
________。已知该结构单元底面(正六边形)边长为
a nm,高为b nm,该合金的密度为________________________________
__________________ g·cm-3。(只需列出计算式,NA为阿伏加德罗常数的值)
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Ti11Al5(或
Al5Ti11)
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8.硫化锂是目前正在研发的锂离子电池的新型固体电解质,为立方晶系晶体,其晶胞参数为a pm。该晶胞中离子的分数坐标为
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(1)在图上画出硫化锂晶胞沿x轴投影图。
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答案
根据硫离子的分数坐标参数,硫离子位于晶胞的面心、顶角;根据锂离子的分数坐标参数,锂离子位于晶胞的内部,结合坐标位置,
则硫化锂晶胞沿x轴投影图为 。
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(2)硫离子的配位数为____。
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根据(1)中的分析,从面心的S2-看,周围与之等距且最近的Li+有8个,所以S2-的配位数为8。
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(3)设NA为阿伏加德罗常数的值,硫化锂的晶体密度为
___________ g·cm-3(列出计算表达式)。
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9.硅和碳在同一主族。如图为SiO2晶体中Si原子沿z轴方向在xy平面的投影图(即俯视图),其中O原子略去,Si原子旁标注的数字表示每个Si原子位于z轴的高度,则
SiA与SiB之间的距离是______ nm。
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根据图可知其三维模型为 (图中黑球和
白球均为硅原子,氧原子位于两个硅原子之间,省
略),图中ABCD四个Si原子形成正四面体结构,且AB距离等于AC距离,AC距离在底面投影为底面面对角线长的一半,则SiA与SiB的距离为 d nm。
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10.金属合金MgCux的结构可看作以Cu4四面体
(相互共用顶点)替换立方金刚石结构中的碳原
子,形成三维骨架,在晶胞空隙处,有序地放
置Mg原子(四面体的4个顶点代表Cu原子,圆球
代表Mg原子),结构如图所示。
(1)x=____。
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(2)若Mg原子A的原子坐标为(0.25,0.25,0.75),则C的原子坐标为________________。
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(0.75,0.25,0.25)
由图可知,A原子位于左前上四面体空隙,C原子位于右前下四面体空隙,因此二者y坐标相同,x、z坐标相加为1,即C坐标为(0.75,0.25,0.25)。
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(3)晶胞参数为a nm,则AB原子之间的距离为
______ nm。
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由图可知,AB原子之间的距离为面对角线长的一半,晶胞参数为
a nm,则AB之间的距离为 nm。
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11.水催化氧化是“分子人工光合作用”的关键步骤。水的晶体有普通冰和重冰等不同类型。普通冰的晶胞结构与水分子间的氢键如图甲、乙所示。晶胞参数a=452 pm,c=737 pm,γ=120°;标注为1、2、3的氧原子在z轴的分数坐标分别为0.375c、0.5c、0.875c。
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(1)晶胞中氢键的长度(O—H…O的长度)为______ pm(结果保留一位小数)。
276.4
晶胞中氢键的长度(O—H…O的长度)为0.375×737 pm≈276.4 pm。
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(2)普通冰晶体的密度为________________
g·cm-3(列出含a、c的表达式)。
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⑤密度ρ=(a为晶胞边长,NA为阿伏加德罗常数的值)。
④密度ρ=(a为晶胞边长,NA为阿伏加德罗常数的值)。
②密度:ρ(SiC)=;ρ(BP)=;ρ(AlN)=
(a为晶胞边长,NA为阿伏加德罗常数的值)。
③密度ρ=(a为晶胞边长,NA为阿伏加德罗常数的值)。
②密度ρ=(a为晶胞边长,NA为阿伏加德罗常数的值)。
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(0,0,)
图中大球的个数为8×+1=2,小球的个数为8×+2=4,根据XeF2的原子个数比知大球是
Xe原子,小球是F原子,该晶胞中有2个XeF2分子;
由A点坐标知该原子位于晶胞的中心,且每个坐标系的单位长度都记为1,B点在棱的处,其坐标为(0,0,);
a pm,x=(-r)pm,所以d= pm= pm。
Ge原子位于晶胞顶角、面上、体心,因此1个晶胞中含有Ge原子数为1+8×+4×=4;
Hg原子位于棱边、面上,因此1个晶胞中含有Hg原子数为6×+4×=4;
×1021
1个晶胞的质量m= g,1个晶胞的体积V=(x×10-7cm)2×(y×
10-7 cm)=x2y×10-21cm3,则X晶体的密度为==
×1021 g·cm-3。
3.[2021·河北,17(7)]分别用 、 表示H2PO和K+,KH2PO4晶体的四方晶胞如图(a)所示,图(b)、图(c)分别显示的是H2PO、K+在晶胞xz面、
yz面上的位置:
由晶胞结构可知,H2PO位于
晶胞的顶角、面上和体心,顶
角上有8个、面上有4个、体
心有1个,故晶胞中H2PO的数目为8×+4×+1=4;K+位于面上
和棱上,面上有6个、棱上有4个,故晶胞中K+的数目为6×+4×
=4。因此,平均每个晶胞中占有的H2PO和K+的数目均为4,若晶胞
底边的边长均为a pm、高为c pm,则晶胞的体积为10-30a2c cm3,阿伏
加德罗常数的值为NA,则晶体的密度为 g·cm-3。
由晶胞结构可知,晶胞中位于顶角、面上、棱上和体内的X原子数为
8×+6×+4×+3=8,位于体内的Y原子数和Z原子数分别为
4和16,由Ge和O原子的个数比为1∶4可知,X为Mg原子、Y为Ge原子、Z为O原子,则晶胞的化学式为Mg2GeO4。
×1021
由晶胞的质量公式可得: g=abc×10-21cm3×ρ,解得ρ=×1021 g·cm-3。
a
根据萤石晶胞结构,X离子分布在晶胞的顶点和面心上,
则1个晶胞中X离子共有8×+6×=4个,Y离子分
布在晶胞内部,则1个晶胞中共有8个Y离子,因此该
晶胞的化学式应为XY2,结合萤石的化学式可知,X为
Ca2+;根据晶胞,将晶胞分成8个相等的小正方体,仔细观察CaF2的晶胞结构不难发现F-位于晶胞中8个小立方体中互不相邻的4个小立方体的体
心,小立方体边长为a,体对角线为a,Ca2+与F-之间距离就是小晶胞体对角线的一半,因此晶体中正负离子的核间距的最小距离为a pm。
由题意可知,在电场作用下,Ag+不需要克服太大阻
力即可发生迁移,因此α-AgI晶体是优良的离子导体,
在电池中可作为电解质;每个晶胞中含碘离子的个数
为8×+1=2个,依据化学式AgI可知,银离子个数
也为2个,晶胞的物质的量n=mol= mol,晶胞体积V=a3 pm3=(504×10-12)3 m3,则α-AgI晶体的摩尔体积Vm=== m3·mol-1。
以晶胞中右侧面心的Zr4+为例,同一晶胞中与Zr4+
连接最近且等距的O2-数为4,同理可知右侧晶胞中
有4个O2-与Zr4+相连,因此Zr4+在晶胞中的配位数
是4+4=8;1个晶胞中含有4个ZrO2微粒,1个晶
胞的质量为m= g,1个晶胞的体积为(a×10-10cm)×(a×
10-10cm)×(c×10-10 cm)=a2c×10-30cm3,因此该晶体密度为== g·cm-3;
×100
,故金属原子空间占有率为×100%=×100%。
已知AlCr2具有体心四方结构,如图所示,灰球个数
为8×+1=2,白球个数为8×+2=4,结合化学
式AlCr2可知,白球为Cr,灰球为Al,即处于顶角位置的是Al原子。设Cr和Al原子半径分别为rCr和
rAl,则金属原子的体积为×4+×2=
×1010
据图可知晶胞中Ti原子与N原子的最近距离为
棱长的一半,根据均摊法,晶胞中N个数为8×
+6×=4,Ti个数为12×+1=4,则晶胞质
量m= g= g,晶胞体积V=== cm3,晶胞棱长为 cm=×1010 pm,则晶胞中Ti原子与N原子的最近距离为××1010 pm=×1010 pm。
铜晶胞面心上的铜被金取代,由图可知,连接相邻面
心上的金原子,上下面2个金原子与4个侧面的金原
子构成正八面体;晶胞中Cu原子位于顶角,一个晶
胞中Cu原子数目为8×=1,Au原子位于晶胞面心,
一个晶胞中Au原子数目为6×=3,则晶胞质量为 g= g;晶胞边长为a pm,则晶胞体积V=(a pm)3=a3×10-30 cm3,所以密度ρ=== g·cm-3。
根据均摊法,晶胞中Mg原子的个数为8×
=1,Ni原子的个数为6×=3,C原子的个
数为1,所以化学式为MgCNi3;晶胞的质量
m= g,晶胞的体积V=d3 pm3=d3×10-30 cm3,则晶体密度ρ== g·cm-3。
SiO
[Si4O11]
SiO
其中Si的原子数为4,顶角氧占,O原子数为4×+6×+4+2=11,其中Si与O的原子数之比为2∶5.5,化学式为[Si4O11]。
(PO3)(或PO)
根据图可知,每个三角锥形结构中P原
子是1个,O原子个数是2+×2=3,
所以P原子和O原子的个数比是1∶3,
3个O原子带6个单位负电荷,磷酸盐
中P的化合价为+5,故所形成离子的化学式为(PO3)或PO。
设晶胞的底边长为a cm,高为h cm,由图可知,
晶胞中含4个C原子,石墨晶体的密度为ρ=
g·cm-3= g·cm-3。
×1021(或×1021
或)
Al位于体内和顶角,Ti分别位于晶胞的顶角、
面心、体内和棱上,Ti原子个数为8×+2×
++1=,Al原子个数为4×+1=,所
以化学式为Ti11Al5或Al5Ti11;晶胞的质量m=
g= g,晶胞的体积V=S·h=a2b nm3,根据m=ρV=a2b×10-21 cm3×ρ= g,得ρ=×1021 g·cm-3。
硫离子:(0,0,0);(,,0);(,0,);(0,,);……
锂离子:(,,);(,,);(,,);(,,);……
1个晶胞中有S2-数目为8×+6×=4个,含有Li+数目为8个,晶
胞参数为a pm,晶胞体积V=a3 pm3=a3×10-30cm3,晶胞质量m=
g,所以晶体密度ρ===g·cm-3。
d
由图可知Cu4位于顶角、面心和四个四面体
空隙,根据均摊法可得Cu4个数为8×+6
×+4=8,每个铜原子由两个四面体共
用,因此铜原子个数为8×4×=16,Mg原子位于四个四面体空隙和八面体空隙中,八面体空隙有12×+1=4个,因此Mg原子共有8个,由此可知化学式为MgCu2,即x=2。
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由晶胞结构可知该晶胞中含有4个水分子,晶胞质量为 g,晶胞体积为a2c×
10-30 cm3,晶胞密度为 g·
cm-3。
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