《电子技术基础与技能》第一章 课题一 半导体的基本特性 45分钟专题训练（原卷版+解析版)

四川省对口升学考试《电子技术基础与技能》45分钟专题训练专辑，共30份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子信息类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息类高考的学生。与本专辑配套的还有四川省单独招生考试《电工技术基础与技能》《单片机原理及应用》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 第一章 晶体二极管及整流滤波电路 课题一 半导体的基本特性 时间：45分钟 总分：100分 班级 姓名 学号 成绩 一、选择题（本大题共20小题，每小题 2 分，共40分） 1.以下关于半导体的概念，正确的是（ ） A. 导电性能介于导体和绝缘体之间的材料叫半导体 B. 所有的金属都是半导体 C. 半导体的导电性能比导体好 D. 绝缘体在任何条件下都不能导电 【答案】A 【解析】半导体是指导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，这是半导体的基本定义。金属是导体，不是半导体，B 错误；半导体导电性能不如导体，C 错误；绝缘体在某些特殊条件下，如高电压等，可能会被击穿导电，D 错误。故选A。 2.半导体的主要特性不包括（ ） A. 热敏性 B. 光敏性 C. 掺杂性 D. 超导性 【答案】D 【解析】半导体具有热敏性（其导电能力随温度变化明显）、光敏性（受光照时导电性能改变）、掺杂性（掺入杂质改变导电特性），而超导性是指某些材料在极低温度下电阻突然消失的特性，不属于半导体特性。故选D。 3.当温度升高时，半导体的电阻通常会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 先增大后减小 【答案】B 【解析】由于半导体的热敏性，温度升高时，其内部载流子（电子和空穴）运动加剧，导电能力增强，电阻减小。答案选 B。 4.纯净的半导体称为本征半导体，硅和锗是常见的本征半导体材料，硅原子最外层电子数是（ ） A. 1 B. 2 C. 3 D. 4 【答案】D 【解析】硅是四价元素，其原子最外层电子数为 4 个，这决定了硅在形成共价键等半导体特性方面的基础性质。答案选 D。 5.在本征半导体中加入五价元素杂质，形成的半导体是（ ） A. P 型半导体 B. N 型半导体 C. 本征半导体 D. 复合型半导体 【答案】B 【解析】在本征半导体中加入五价元素杂质，五价元素会提供一个多余的电子，成为自由电子，这种以电子为多数载流子的半导体称为 N 型半导体。答案选 B。 6.P 型半导体中的多数载流子是（ ） A. 电子 B. 空穴 C. 离子 D. 质子 【答案】B 【解析】 P 型半导体是在本征半导体中掺入三价元素杂质，三价元素会形成空穴，空穴成为多数载流子。故答案选 B。 7.以下关于 N 型半导体的说法，错误的是（ ） A. 多数载流子是电子 B. 少数载流子是空穴 C. 靠电子导电 D. 不含有空穴 【答案】D 【解析】N 型半导体中多数载流子是电子，少数载流子是空穴，它靠电子导电，但并不是不含有空穴，只是空穴数量相对较少。答案选 D。 8.PN 结是由（ ） A. P 型半导体组成 B. N 型半导体组成 C. P 型和 N 型半导体结合而成 D. 本征半导体组成 【答案】C 【解析】PN 结是将 P 型半导体和 N 型半导体通过特殊工艺紧密结合在一起形成的特殊结构。答案选C。 9.PN 结具有（ ） A. 单向导电性 B. 双向导电性 C. 绝缘性 D. 超导性 【答案】A 【解析】PN 结最重要的特性就是单向导电性，正向偏置时导通，反向偏置时截止。答案选 A。 10.当 PN 结正向偏置时，（ ） A. P 区接电源正极，N 区接电源负极 B. P 区接电源负极，N 区接电源正极 C. P 区和 N 区都接电源正极 D. P 区和 N 区都接电源负极 【答案】A 【解析】PN 结正向偏置就是 P 区接电源正极，使 P 区的多数载流子（空穴）向 N 区移动，N 区接电源负极，使 N 区多数载流子（电子）向 P 区移动，形成较大电流，此时 PN 结导通。答案选 A。 11.当 PN 结反向偏置时，（ ） A. 电流很大 B. 电流很小，近似为零 C. 电阻为零 D. 变成导体 【答案】B 【解析】PN 结反向偏置时，P 区接电源负极，N 区接电源正极，多数载流子的扩散运动受阻，只有少数载流子的漂移运动形成微弱电流，电流很小，近似为零。答案选 B。 12.利用 PN 结单向导电性可以制作（ ） A. 电阻 B. 电容 C. 二极管 D. 电感 【答案】C 【解析】二极管就是基于 PN 结的单向导电性制成的半导体器件，电阻、电容、电感原理与 PN 结单向导电性无关。答案选 C。 13.在半导体中，光照强度增加，半导体的导电能力（ ） A. 减弱 B. 不变 C. 增强 D. 先减弱后增强 【答案】C 【解析】因为半导体具有光敏性，光照强度增加，会激发更多的载流子，使导电能力增强。答案选 C。 14.要使 P 型半导体的导电性能增强，可采取的措施是（ ） A. 升高温度 B. 降低温度 C. 减少杂质 D. 增加绝缘层 【答案】A 【解析】升高温度，无论是 P 型还是 N 型半导体，其内部载流子运动都会加剧，导电性能增强；降低温度会使导电性能减弱，减少杂质不利于改变导电性能，增加绝缘层反而阻碍导电。答案选 A。 15.以下关于半导体掺杂的说法，正确的是（ ） A. 掺杂只能改变半导体的导电类型，不能改变导电性能 B. 掺杂对半导体性能没有影响 C. 适当掺杂可以显著改变半导体的导电性能 D. 掺杂越多越好 【答案】C 【解析】适当掺杂能改变半导体是 P 型还是 N 型，同时极大地改变其导电性能，但不是掺杂越多越好，过多掺杂会引入缺陷等问题，影响半导体质量。答案选 C。 16.对于一块本征半导体，若掺入少量硼元素，它会变成（ ） A. N 型半导体 B. P 型半导体 C. 仍为本征半导体 D. 不确定 【答案】B 【解析】硼是三价元素，本征半导体掺入三价硼元素杂质后，会形成以空穴为多数载流子的 P 型半导体。答案选 B。 17.PN 结形成的过程中，会发生（ ） A. 扩散运动和漂移运动，最终达到动态平衡 B. 只有扩散运动 C. 只有漂移运动 D. 既无扩散运动也无漂移运动 【答案】A 【解析】P 型和 N 型半导体结合时，P 区的空穴向 N 区扩散，N 区的电子向 P 区扩散，同时由于电荷分布变化产生内电场，在内电场作用下又有少数载流子的漂移运动，最终扩散与漂移达到动态平衡，形成稳定的 PN 结。答案选 A。 18.若给 PN 结加反向电压过大，可能会出现（ ） A. PN 结正常工作 B. PN 结正向导通 C. PN 结被击穿 D. PN 结电阻增大 【答案】C 【解析】当反向电压过大超过 PN 结的承受能力时，PN 结会被击穿，失去单向导电性，可能损坏。答案选 C。 19.半导体的热敏性在实际应用中可用于制作（ ） A. 热敏电阻 B. 光敏电阻 C. 普通电阻 D. 定值电阻 【答案】A 【解析】利用半导体热敏性，其电阻随温度变化明显的特点，可制作热敏电阻用于温度测量、控制等领域；光敏电阻利用光敏性，普通电阻和定值电阻一般不利用半导体热敏性。答案选 A。 20.与导体相比，半导体的导电性能（ ） A. 在任何情况下都更差 B. 在低温下更好 C. 受外界因素影响大 D. 固定不变 【答案】C 【解析】半导体导电性能介于导体和绝缘体之间，且受温度、光照、掺杂等外界因素影响极大，不像导体导电性能相对稳定，它不是在任何情况下都比导体差，低温下一般导电性能变差，也不是固定不变的。答案选C。 二、判断题（本大题共10小题，每题 2分，共 20 分） 1.一块半导体材料，如果它的导电性能受温度影响很小，那它就不是真正的半导体。( ) 【答案】× 【解析】半导体是导电性能介于导体和绝缘体之间的材料，并非单纯比导体导电性能稍差，它具有独特的热敏性、光敏性和掺杂性等，与导体特性有本质区别。所以该说法是错误的。 2.所有半导体在温度升高时电阻都会增大。（ ） 【答案】× 【解析】由于半导体的热敏性，一般情况下温度升高，其内部载流子运动加剧，导电能力增强，电阻是减小的，而不是增大。这个说法是错误的。 3.本征半导体是完全纯净的半导体，不含任何杂质原子。（ ） 【答案】√ 【解析】本征半导体的定义就是纯净的、没有杂质的半导体，其内部的载流子由热激发产生，硅和锗是常见的本征半导体材料。所以这一说法是正确的。 4.在本征半导体中加入三价元素杂质后就变成了 N 型半导体。（ ） 【答案】× 【解析】在本征半导体中加入三价元素杂质，会形成空穴作为多数载流子，变成 P 型半导体；加入五价元素杂质才会形成以电子为多数载流子的 N 型半导体。该说法是错误的。 5.P 型半导体中只有空穴，没有电子。（ ） 【答案】× 【解析】P 型半导体中多数载流子是空穴，但同时也存在少量电子作为少数载流子，只是电子数量相对空穴少很多。所以这一说法是错误的。 6.N 型半导体的导电主要依靠电子，所以空穴对其导电性能没有影响。（ ） 【答案】× 【解析】N 型半导体虽然多数载流子是电子，靠电子导电，但少数载流子空穴在一些特殊情况下，如 PN 结反向偏置时的漂移运动等过程中，也对半导体的电学特性有作用，并非没有影响。所以这一说法是错误的。 7.PN 结是将 P 型半导体和 N 型半导体简单拼接在一起形成的。（ ） 【答案】× 【解析】PN 结是通过特殊工艺将 P 型和 N 型半导体紧密结合，在结合过程中会发生扩散运动和漂移运动，最终达到动态平衡才形成稳定的 PN 结，并非简单拼接。该说法是错误的。 8.PN 结具有双向导电性，电流可以随意从 P 区流向 N 区或从 N 区流向 P 区。（ ） 【答案】× 【解析】PN 结最重要的特性是单向导电性，正向偏置时（P 区接电源正极，N 区接电源负极）导通，反向偏置时（P 区接电源负极，N 区接电源正极）截止，电流不能随意双向流动。故表述错误。 9.当 PN 结正向偏置时，电阻很小，电流容易通过。（ ） 【答案】√ 【解析】正向偏置时，P 区的多数载流子空穴向 N 区移动，N 区的多数载流子电子向 P 区移动，形成较大电流，此时相当于电阻很小，电路导通。所以这一说法是正确的。 10.给 PN 结加反向电压，无论电压大小，电流都为零。（ ） 【答案】× 【解析】 PN 结反向偏置时，多数载流子的扩散运动受阻，只有少数载流子的漂移运动形成微弱电流，电流很小但不是零，只有当反向电压过大导致 PN 结被击穿时，电流才会突然增大。所以这一说法是错误的。 3、 分析简答题（本大题共2小题，每题 10 分，共20 分） 1.说明 P 型半导体是如何形成的，以及其多数载流子和少数载流子分别是什么。 【答案】 P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素杂质（如硼）形成的。由于三价元素最外层有 3 个电子，与硅或锗等四价本征半导体原子形成共价键时，会缺少一个电子，从而产生一个空穴，大量空穴成为多数载流子；而本征半导体中原本存在的少量电子就成为少数载流子。 2．简述半导体的特性。 【答案】 ①热敏特性：半导体的电阻率随温度变化明显，温度升高时，电阻率降低，导电能力显著增强。这是因为温度升高，半导体内部原子热运动加剧，更多价电子挣脱共价键束缚成为自由电子和空穴，载流子浓度增加，从而增强导电能力. ②光敏特性：半导体的电阻率对光照敏感，光照时，电阻率降低。光照为电子提供能量，使其挣脱原子束缚成为载流子，进而改变半导体的电导率. ③掺杂特性：在纯净的半导体中掺入少量杂质，可显著改变其导电能力。如掺入三价元素形成 P 型半导体，空穴为多数载流子；掺入五价元素形成 N 型半导体，电子为多数载流子 4、 综合题（共计20 分） 简述 PN 结的形成过程。 【答案】 将 P 型半导体和 N 型半导体通过特殊工艺紧密结合在一起，由于 P 区空穴浓度高，N 区电子浓度高，在交界面处，P 区的空穴会向 N 区扩散，N 区的电子会向 P 区扩散，扩散的结果使得在交界面附近 P 区一侧留下带负电的杂质离子，N 区一侧留下带正电的杂质离子，从而形成一个从 N 区指向 P 区的内电场。内电场又会阻碍多数载流子的继续扩散，但促使少数载流子的漂移运动，随着扩散与漂移运动逐渐达到动态平衡，最终形成稳定的 PN 结。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 四川省对口升学考试《电子技术基础与技能》45分钟专题训练专辑，共30份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子信息类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子信息类高考的学生。与本专辑配套的还有四川省单独招生考试《电工技术基础与技能》《单片机原理及应用》45分钟专题训练专辑，欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础与技能》 第一章 晶体二极管及整流滤波电路 课题一 半导体的基本特性 时间：45分钟 总分：100分 班级 姓名 学号 成绩 一、选择题（本大题共20小题，每小题 2 分，共40分） 1.以下关于半导体的概念，正确的是（ ） A. 导电性能介于导体和绝缘体之间的材料叫半导体 B. 所有的金属都是半导体 C. 半导体的导电性能比导体好 D. 绝缘体在任何条件下都不能导电 2.半导体的主要特性不包括（ ） A. 热敏性 B. 光敏性 C. 掺杂性 D. 超导性 3.当温度升高时，半导体的电阻通常会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 先增大后减小 4.纯净的半导体称为本征半导体，硅和锗是常见的本征半导体材料，硅原子最外层电子数是（ ） A. 1 B. 2 C. 3 D. 4 5.在本征半导体中加入五价元素杂质，形成的半导体是（ ） A. P 型半导体 B. N 型半导体 C. 本征半导体 D. 复合型半导体 6.P 型半导体中的多数载流子是（ ） A. 电子 B. 空穴 C. 离子 D. 质子 7.以下关于 N 型半导体的说法，错误的是（ ） A. 多数载流子是电子 B. 少数载流子是空穴 C. 靠电子导电 D. 不含有空穴 8.PN 结是由（ ） A. P 型半导体组成 B. N 型半导体组成 C. P 型和 N 型半导体结合而成 D. 本征半导体组成 9.PN 结具有（ ） A. 单向导电性 B. 双向导电性 C. 绝缘性 D. 超导性 10.当 PN 结正向偏置时，（ ） A. P 区接电源正极，N 区接电源负极 B. P 区接电源负极，N 区接电源正极 C. P 区和 N 区都接电源正极 D. P 区和 N 区都接电源负极 11.当 PN 结反向偏置时，（ ） A. 电流很大 B. 电流很小，近似为零 C. 电阻为零 D. 变成导体 12.利用 PN 结单向导电性可以制作（ ） A. 电阻 B. 电容 C. 二极管 D. 电感 13.在半导体中，光照强度增加，半导体的导电能力（ ） A. 减弱 B. 不变 C. 增强 D. 先减弱后增强 14.要使 P 型半导体的导电性能增强，可采取的措施是（ ） A. 升高温度 B. 降低温度 C. 减少杂质 D. 增加绝缘层 15.以下关于半导体掺杂的说法，正确的是（ ） A. 掺杂只能改变半导体的导电类型，不能改变导电性能 B. 掺杂对半导体性能没有影响 C. 适当掺杂可以显著改变半导体的导电性能 D. 掺杂越多越好 16.对于一块本征半导体，若掺入少量硼元素，它会变成（ ） A. N 型半导体 B. P 型半导体 C. 仍为本征半导体 D. 不确定 17.PN 结形成的过程中，会发生（ ） A. 扩散运动和漂移运动，最终达到动态平衡 B. 只有扩散运动 C. 只有漂移运动 D. 既无扩散运动也无漂移运动 18.若给 PN 结加反向电压过大，可能会出现（ ） A. PN 结正常工作 B. PN 结正向导通 C. PN 结被击穿 D. PN 结电阻增大 19.半导体的热敏性在实际应用中可用于制作（ ） A. 热敏电阻 B. 光敏电阻 C. 普通电阻 D. 定值电阻 20.与导体相比，半导体的导电性能（ ） A. 在任何情况下都更差 B. 在低温下更好 C. 受外界因素影响大 D. 固定不变 二、判断题（本大题共10小题，每题 2分，共 20 分） 1.一块半导体材料，如果它的导电性能受温度影响很小，那它就不是真正的半导体。( ) 2.所有半导体在温度升高时电阻都会增大。（ ） 3.本征半导体是完全纯净的半导体，不含任何杂质原子。（ ） 4.在本征半导体中加入三价元素杂质后就变成了 N 型半导体。（ ） 5.P 型半导体中只有空穴，没有电子。（ ） 6.N 型半导体的导电主要依靠电子，所以空穴对其导电性能没有影响。（ ） 7.PN 结是将 P 型半导体和 N 型半导体简单拼接在一起形成的。（ ） 8.PN 结具有双向导电性，电流可以随意从 P 区流向 N 区或从 N 区流向 P 区。（ ） 9.当 PN 结正向偏置时，电阻很小，电流容易通过。（ ） 10.给 PN 结加反向电压，无论电压大小，电流都为零。（ ） 3、 分析简答题（本大题共2小题，每题 10 分，共20 分） 1. 说明 P 型半导体是如何形成的，以及其多数载流子和少数载流子分别是什么。 2. 简述半导体的特性。 4、 综合题（共计20 分） 简述 PN 结的形成过程。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$