3.2.2 三极管 课件-2024-2025学年高中通用技术苏教版（2019）选择性必修1《电子控制技术》

半导体三极管 复习二极管的结构 P区 N区 PN结 1、基本结构及电路符号 三极管发射极和集电极不能对调使用 面积大， 掺杂浓度适度 区域薄， 掺杂浓度低 掺杂浓度高 一、三极管的结构与符号 也不能用两个二极管代替一个三极管使用。 硅管 三极管 锗管 NPN管 PNP管 NPN管 PNP管 NPN PNP 2、分类 按用途： 按材料： 按功率： 普通放大管、开关三极管 小型三极管塑料封装 小型三极管金属封装 中功率三极管 大功率三极管 二、三极管的基本连接方式 电路连接时三极管 三个电极上电流方 向与发射极箭头方 向一致 Ie Ic Ib 思考： PNP三极管电路基本连接方式？ 电源电压Vcc比Vbb大的多 Ie =Ic +Ib 三、三极管的工作过程 1. 当发射结正偏时，发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE 。 2. 电子到达基区，少数与空穴复合形成基极电流 Ib。 3. 扩散到基区的大部分电子漂移到集电极形成集电极电流 Ic。 b e Rc Rb I E IB 截止状态 当IB≈0时， IC≈0。这时，晶体管的集电极c与发射集e之间就像一个断开的开关。 b e Rc Rb I E IB 四、三极管的三种工作状态 发射结反偏或电压低于门槛电压 放大状态 当IB 在某范围内时， IC随着IB的增加而增加，IC 与IB 的比值约为常数，称为放大倍数，用β表示。 IC =β IB 三极管的放大倍数一般在20~200之间。 发射结正偏、集电结反偏 Ube=0.7V，Uce＞0.7V b e Rc Rb I E IB 饱和状态 当IB增加到一定程度时， IB再增加， IC也不再增加了。这时，集电极c与发射集e之间就像一个闭合的开关。 b e Rc Rb I E IB 发射结、集电结都正偏 Ube=0.7V，Uce＜0.7V（Uce=0.3V） β IB >IC 三极管输入输出特性曲线 Ie Ic Ib Uce =Vcc -IcRc Vcc 五、三极管放大电路画法 六、三极管的三种连接方式 简单判断方法： 哪一电极上没有电阻即为共哪一极接法 $$