《电子技术基础与技能》项目一 半导体器件的基础知识（举一反三考点练）课后自测（原卷版+答案版）

举一反三考点练 《电子技术基础与技能》 半导体器件的基础知识-课后自测 知识点一 半导体二极管 1. （单项选择题）在电路中测得一只二极管的正极电位为10 V, 负极电位为1 V, 请判定该二极管的工作状态是 A.导通 B.反向截止 C.二极管内部已击穿短路 D.二极管内部已开路 2. （单项选择题）为保证二极管导通后电流不会过大而烧坏二极管，所以二极管在使用时都要接一个限流电阻来保证安全，那么整流二极管的限流电阻是电路中的 A.变压器次级线圈的直流电阻 B.滤波电容的漏电阻 C.滤波电感的直流电阻 D.负载电阻 3. （单项选择题）要想使稳压二极管电路正常工作，下列说法不正确的是 A.稳压二极管与负载应处于串联状态 B.稳压二极管与负载应处于并联状态 C.输入电压应大于稳压二极管的稳压值，以便让稳压二极管能正常工作于反向击 穿状态 D.当输入电压小于稳压二极管的稳压值时，电路的输出电压将不稳定 4. （单项选择题）一个硅二极管反向击穿电压为150 V,则其最高反向工作电压 A.大于150 V B.略小于150 V C.不得超过40 V D.等于75 V 5. （判断题）稳压二极管只能用作稳压，不能作为普通二极管使用 6. （判断题）若将单相半波整流电路中的二极管接反，负载上得到的电压的极性也应该相反 知识点二 半导体三极管(晶体管) 1. （单项选择题）三极管工作在饱和状态时，是指 A. 集电结反偏，发射结正偏 B. 集电结正偏，发射结正偏 C. 集电结反偏，发射结反偏 D. 集电结正偏，发射结反偏 2. （单项选择题）在三极管放大电路中，以下关于三极管各电极电位最高的描述，正确的是 A. NPN型管的B极 B. NPN型管的C极 C. PNP 型管的C极 D. PNP型管的B极 3. （单项选择题）测得某NPN型三极管的c、b、e端对地电位分别为5.3 V、5.7 V、5V，则此三极管的工作状态为 A. 截止状态 B. 放大状态 C. 饱和状态 D. 击穿状态 4. （单项选择题）三极管是一种 的半导体器件 A. 电压控制型 B. 电流控制型 C. 功率控制型 D. 电压电流双重控制型 5. （判断题）三极管由两个PN 结构成，所以可选用两个二极管来构成一个三极管 6. （判断题）三极管的集电极c 和发射极e 可以交换使用 知识点三 场效晶体管 1. （单项选择题）场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。 A. 电流 B. 电场 C. 电压 D. 电阻 2. （单项选择题）如图所示电路符号代表 型场效应管。 A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS 3. （单项选择题）在放大电路中，晶体管电流的分配关系为 A. Ib=Ic+Ie B. Ie=Ic+Ib C. Ic=Ib+Ie D. Ib+Ic+Ie=0 4. （单项选择题）图中，场效应管为 A. 增强型N沟道MOS管 B. 增强型P沟道MOS管 C. 耗尽型N沟道MOS管 D. 耗尽型P沟道MOS管 5. （判断题）耗尽型MOS管在栅源电压UGS 为正或为负时，均能实现压控电流的作用 6. （判断题）结型场效应管利用栅源电压正向偏压，控制PN 结的宽度变化，最终控制漏极电流的大小 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！2 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$ 举一反三考点练 《电子技术基础与技能》 半导体器件的基础知识-课后自测 知识点一 半导体二极管 1. （单项选择题）在电路中测得一只二极管的正极电位为10 V, 负极电位为1 V, 请判定该二极管的工作状态是 A.导通 B.反向截止 C.二极管内部已击穿短路 D.二极管内部已开路 【答案】D 2. （单项选择题）为保证二极管导通后电流不会过大而烧坏二极管，所以二极管在使用时都要接一个限流电阻来保证安全，那么整流二极管的限流电阻是电路中的 A.变压器次级线圈的直流电阻 B.滤波电容的漏电阻 C.滤波电感的直流电阻 D.负载电阻 【答案】D 3. （单项选择题）要想使稳压二极管电路正常工作，下列说法不正确的是 A.稳压二极管与负载应处于串联状态 B.稳压二极管与负载应处于并联状态 C.输入电压应大于稳压二极管的稳压值，以便让稳压二极管能正常工作于反向击 穿状态 D.当输入电压小于稳压二极管的稳压值时，电路的输出电压将不稳定 【答案】A 4. （单项选择题）一个硅二极管反向击穿电压为150 V,则其最高反向工作电压 A.大于150 V B.略小于150 V C.不得超过40 V D.等于75 V 【答案】D 5. （判断题）稳压二极管只能用作稳压，不能作为普通二极管使用 【答案】错误 6. （判断题）若将单相半波整流电路中的二极管接反，负载上得到的电压的极性也应该相反 【答案】错误 知识点二 半导体三极管(晶体管) 1. （单项选择题）三极管工作在饱和状态时，是指 A. 集电结反偏，发射结正偏 B. 集电结正偏，发射结正偏 C. 集电结反偏，发射结反偏 D. 集电结正偏，发射结反偏 【答案】B 2. （单项选择题）在三极管放大电路中，以下关于三极管各电极电位最高的描述，正确的是 A. NPN型管的B极 B. NPN型管的C极 C. PNP 型管的C极 D. PNP型管的B极 【答案】B 3. （单项选择题）测得某NPN型三极管的c、b、e端对地电位分别为5.3 V、5.7 V、5V，则此三极管的工作状态为 A. 截止状态 B. 放大状态 C. 饱和状态 D. 击穿状态 【答案】C 4. （单项选择题）三极管是一种 的半导体器件 A. 电压控制型 B. 电流控制型 C. 功率控制型 D. 电压电流双重控制型 【答案】B 5. （判断题）三极管由两个PN 结构成，所以可选用两个二极管来构成一个三极管 【答案】错误 6. （判断题）三极管的集电极c 和发射极e 可以交换使用 【答案】错误 知识点三 场效晶体管 1. （单项选择题）场效应管是利用外加电压产生的 来控制漏极电流的大小的。 A. 电流 B. 电场 C. 电压 D. 电阻 【答案】B 2. （单项选择题）如图所示电路符号代表 型场效应管。 A. 耗尽型PMOS B. 耗尽型NMOS C. 增强型PMOS D. 增强型NMOS 【答案】D 3. （单项选择题）在放大电路中，晶体管电流的分配关系为 A. Ib=Ic+Ie B. Ie=Ic+Ib C. Ic=Ib+Ie D. Ib+Ic+Ie=0 【答案】B 4. （单项选择题）图中，场效应管为 A. 增强型N沟道MOS管 B. 增强型P沟道MOS管 C. 耗尽型N沟道MOS管 D. 耗尽型P沟道MOS管 【答案】A 5. （判断题）耗尽型MOS管在栅源电压UGS 为正或为负时，均能实现压控电流的作用 【答案】正确 6. （判断题）结型场效应管利用栅源电压正向偏压，控制PN 结的宽度变化，最终控制漏极电流的大小 【答案】错误 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！2 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$