《电子技术基础》项目一 课题一 半导体器件的基础知识 45分钟专题训练（原卷版+解析版）

湖南省单独招生考试《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共26份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子电工专业类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子电工专业类高考的学生。欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础》 项目一： 半导体器件的基础知识 课题二 三极管、场效应管 时间：45分钟 总分：100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题3分，共60分) 在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的，错选、多选均无分。 1.三极管超过 所示极限参数时，必定被损坏。（ ） A.集电极最大允许电流ICM B.集—射极间反向击穿电压 U（BR）CEO C.集电极最大允许耗散功率PCM D.管子的电流放大倍数β  2.测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 VE ＝2.1V，VB ＝2.8V，VC ＝4.4V， 说明此三极管处在 。（ ） A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.反向击穿区 3.三极管工作在饱和状态时，它的将 。 ( ) A. 随增加而增加 B. 随增加而减小 C.与无关，只决定于和 D. 不发生变化 4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=0.3V，则此时三极管工作于 状态。 （ ） A．饱和 B．截止 C．放大 D．无法判断 5.三极管当发射结和集电结都反偏时，工作于 状态。 ( ) A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 6. 测得某三极管的 PCM = 100mW，ICM = 20mA，U (BR)CEO = 15V，则下列状态下三极管能正常工作的 是 。( ) A. UCE = 3V,IC = 10mA B. UCE = 2V,IC = 40mA C. UCE = 6V,IC = 20mA D. UCE = 20V,IC = 2mA 7.下面的电路符号代表 管。（ ） A.耗尽型 PMOS B.耗尽型 NMOS C.增强型 PMOS D.增强型 NMOS 8.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是 。 ( ) A. U (BR)CEO >U (BR)CBO >U (BR)EBO B. U (BR)CBO >U (BR)CEO >U (BR)EBO C. U (BR)CEO >U (BR)EBO >U (BR)CBO D.U (BR)EBO >U (BR)CEO >U (BR)CBO 9.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是 。（ ） A． B． C． D． 10.场效应管本质上是一个 。（ ） A．电流控制电流源器件 B．电流控制电压源器件 C．电压控制电流源器件 D．电压控制电压源器件 11.三极管的 作用是三极管最基本和最重要的特性。（ ） A.电流放大 B.电压放大 C.功率放大 D.电压放大和电流放大 12.如果测得硅三极管的三级对地电位分别为 VB ＝0.7V，VC ＝5V，VE ＝0V说明此三极管处于 状态。（ ） A.截止 B.放大 C.饱和 D.不能确定 13.设三极管的三个电极分别为a、b、c，用指针式万用表的黑表笔接a，分别用红表笔接b、c，指针偏转幅度都较大，则 。 （ ） A.该管为NPN型，a为基极 B.该管为PNP型，a为基极 C.该管为PNP型，c为基极 D.该管为NPN型，b为基极 14.三极管工作在放大区域时， 。（ ） A．发射结正向偏置，集电结反向偏置 B．发射结正向偏置，集电结正向偏置 C．发射结反向偏置，集电结反向偏置 D．发射结反向偏置，集电结正向偏置 15.三极管是一种 的半导体器件。( ) A.电压控制 B. 电流控制 C.功率控制 D.既是电压控制又是电流控制 16.在三极管的输出特性曲线簇中，每条曲线与 对应。( ) A. B. C. D. 17.共基极放大电路中三极管的三个电极的电流关系是 。（ ） A. B. C. D. 18.用万用表R×100挡测量三极管各电极间的正、反向电阻，若都呈现出很低的阻值，则这只三极管 。( ) A.两个PN结都烧毁 B.两个PN结都击穿 C.只有发射结击穿 D.只有集电结烧毁 19.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。( ) A.83 B.91 C.100 D.50 20.欲使NPN型三极管具有放大功能，其外部条件是 。 ( ) A. ， B. ， C. ， D. ， 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1.双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有 结和 结及向外引出的三个铝电极。 2.双极型三极管简称晶体管，属于 控制型器件，单极型三极管称为MOS 管，属于 控制型器件。MOS 管只有 载流子构成导通电流。 3.双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种。 4.反映 态时集电极电流与基极电流之比；反映 态时的电流放大特性。 5. 当温度升高时，三极管的参数会 ，会 ，会 。 6. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 。 7.场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 8.某三极管的极限参数 ICM = 20mA 、 PCM =100mW、U (BR)CEO = 20V。当工作电压UCE =10V时，工作电流 IC 不得超过 mA；当工作电压UCE =10V 时， IC 不得超过 mA；当工作电流 IC =2mA时， UCE不得超过 V 。 9.三极管工作在饱和区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。 10.场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 三、综合分析题（本大题共2小题，共20分） 1.某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。（本小题10分） 2.如图，测得工作在放大状态的某三极管，其电流如图，在图中标出各管的管脚极性，并说明三极管的管型。（本小题10分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 湖南省单独招生考试《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共26份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子电工专业类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子电工专业类高考的学生。欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础》 项目一： 半导体器件的基础知识 课题二 三极管、场效应管 时间：45分钟 总分：100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题3分，共60分) 在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的，错选、多选均无分。 1.三极管超过 所示极限参数时，必定被损坏。（ ） A.集电极最大允许电流ICM B.集—射极间反向击穿电压 U（BR）CEO C.集电极最大允许耗散功率PCM D.管子的电流放大倍数β  【答案】C 【解析】三极管超过最大功耗时，会导致器件过热，甚至发生爆炸。 2.测得 NPN 型三极管上各电极对地电位分别为 VE ＝2.1V，VB ＝2.8V，VC ＝4.4V， 说明此三极管处在 。（ ） A.放大区 B.饱和区 C.截止区 D.反向击穿区 【答案】 A 【解析】VBE=VE-VB=2.8-2.1V=0.7V，为放大状态。 3.三极管工作在饱和状态时，它的将 。 ( ) A. 随增加而增加 B. 随增加而减小 C.与无关，只决定于和 D. 不发生变化 【答案】 C 【解析】饱和状态下的三极管无电流放大，不受的控制，随增大，急剧增大。 4. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压 UCE=0.3V，则此时三极管工作于 状态。 （ ） A．饱和 B．截止 C．放大 D．无法判断 【答案】 B 【解析】硅管的死区电压为0.5V，UCE=0.3V，0.3V<0.5V，故为截止状态。 5.三极管当发射结和集电结都反偏时，工作于 状态。 ( ) A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D. 无法确定 【答案】 B 【解析】放大状态：发射结正偏，集电结反偏；饱和状态：发射结正偏，集电结正偏；截止状态：发射结反偏，集电结反偏。 6. 测得某三极管的 PCM = 100mW，ICM = 20mA，U (BR)CEO = 15V，则下列状态下三极管能正常工作的 是 。( ) A. UCE = 3V,IC = 10mA B. UCE = 2V,IC = 40mA C. UCE = 6V,IC = 20mA D. UCE = 20V,IC = 2mA 【答案】 A 【解析】B项，IC = 40mA > ICM ； C项， P=120mA > PCM ； D项， UCE = 20V>U (BR)CEO 。 7.下面的电路符号代表 管。（ ） A.耗尽型 PMOS B.耗尽型 NMOS C.增强型 PMOS D.增强型 NMOS 【答案】 D 8.关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是 。 ( ) A. U (BR)CEO >U (BR)CBO >U (BR)EBO B. U (BR)CBO >U (BR)CEO >U (BR)EBO C. U (BR)CEO >U (BR)EBO >U (BR)CBO D.U (BR)EBO >U (BR)CEO >U (BR)CBO 【答案】 B 【解析】首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故U (BR)EBO反向击穿电压要求不高，通常U (BR)EBO<20V，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流Icbo经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流Iceo，故Iceo=βIcbo，而U (BR)CEO就小于U (BR)CBO。所以整体来看就有U (BR)CBO >U (BR)CEO >U (BR)EBO。 9.在三极管放大电路中，下列等式不正确的是 。（ ） A． B． C． D． 【答案】 C 【解析】C项应为 10.场效应管本质上是一个 。（ ） A．电流控制电流源器件 B．电流控制电压源器件 C．电压控制电流源器件 D．电压控制电压源器件 【答案】 C 【解析】场效应管是利用输入电压产生电场效应来控制输出电流的器件。 11.三极管的 作用是三极管最基本和最重要的特性。（ ） A.电流放大 B.电压放大 C.功率放大 D.电压放大和电流放大 【答案】A 12.如果测得硅三极管的三级对地电位分别为 VB ＝0.7V，VC ＝5V，VE ＝0V说明此三极管处于 状态。（ ） A.截止 B.放大 C.饱和 D.不能确定 【答案】 B 【解析】VB-VE=0.7-0V=0.7V，为放大状态。 13.设三极管的三个电极分别为a、b、c，用指针式万用表的黑表笔接a，分别用红表笔接b、c，指针偏转幅度都较大，则 。 （ ） A.该管为NPN型，a为基极 B.该管为PNP型，a为基极 C.该管为PNP型，c为基极 D.该管为NPN型，b为基极 【答案】 A 【解析】将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为NPN型管，a为基极；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为PNP型。 14.三极管工作在放大区域时， 。（ ） A．发射结正向偏置，集电结反向偏置 B．发射结正向偏置，集电结正向偏置 C．发射结反向偏置，集电结反向偏置 D．发射结反向偏置，集电结正向偏置 【答案】 A 15.三极管是一种 的半导体器件。( ) A.电压控制 B. 电流控制 C.功率控制 D.既是电压控制又是电流控制 【答案】 B 【解析】三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。 16.在三极管的输出特性曲线簇中，每条曲线与 对应。( ) A. B. C. D. 【答案】 C 【解析】三极管的输出特性曲线横坐标为uCE，纵坐标为iC，每条曲线对应IB。 17.共基极放大电路中三极管的三个电极的电流关系是 。（ ） A. B. C. D. 【答案】 A 18.用万用表R×100挡测量三极管各电极间的正、反向电阻，若都呈现出很低的阻值，则这只三极管 。( ) A.两个PN结都烧毁 B.两个PN结都击穿 C.只有发射结击穿 D.只有集电结烧毁 【答案】 B 【解析】检测三极管的好与坏，主要是测量极间阻值来判断PN结的好坏。用万用表R×100档测发射极和集电极的正向电阻，如果测出都是低阻值，说明管子质量是好的。如果发现测出的阻值正向电阻非常大或者反向电阻非常小，说明管子已被击穿。 19.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为 。( ) A.83 B.91 C.100 D.50 【答案】 C 【解析】 20.欲使NPN型三极管具有放大功能，其外部条件是 。 ( ) A. ， B. ， C. ， D. ， 【答案】C 【解析】三极管的放大状态，发射结正偏，集电结反偏，NPN型即 ，。 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1.双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有 结和 结及向外引出的三个铝电极。 【答案】发射 集电 2.双极型三极管简称晶体管，属于 控制型器件，单极型三极管称为MOS 管，属于 控制型器件。MOS 管只有 载流子构成导通电流。 【答案】电流 电压 多数 3.双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种。 【答案】 NPN PNP 4.反映 态时集电极电流与基极电流之比；反映 态时的电流放大特性。 【答案】 静 动 5. 当温度升高时，三极管的参数会 ，会 ，会 。 【答案】增大 增大 减小 【解析】三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％。是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，将下降2～2.5mV。 6. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 。 【答案】放大状态 7.场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。 【答案】电场 8.某三极管的极限参数 ICM = 20mA 、 PCM =100mW、U (BR)CEO = 20V。当工作电压UCE =10V时，工作电流 IC 不得超过 mA；当工作电压UCE =10V 时， IC 不得超过 mA；当工作电流 IC =2mA时， UCE不得超过 V 。 【答案】 20 10 20 9.三极管工作在饱和区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。 【答案】正向 正向 10.场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。 【答案】高 强 三、综合分析题（本大题共2小题，共20分） 1.某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。（本小题10分） 【答案】NPN 型硅管，管脚①是集电极，管脚②是发射极， 管脚③是基极。 【解析】管脚③和管脚②电压相差 0.7V，显然一个硅管，一个是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极， 管脚③是基极，管脚①是集电极。 2.如图，测得工作在放大状态的某三极管，其电流如图，在图中标出各管的管脚极性，并说明三极管的管型。（本小题10分） 【答案】管脚从左至右分别为基极、集电极、发射极。三极管的管型为PNP型。 【解析】，三个电流中，IE最大，IC比IE略小，IB最小，IB、IC方向一致，同时流出或流进，且与IE方向相反。所以5.1-0.1=5mA，管脚从左至右分别为基极、集电极、发射极。发射极IE方向为流进三极管，故三极管的管型为PNP型。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$