《电子技术基础》项目一 课题二 二极管 45分钟专题训练（原卷版+解析版）

湖南省单独招生考试《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共26份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子电工专业类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子电工专业类高考的学生。欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础》 项目一： 半导体器件的基础知识 课题二 二极管 时间：45分钟 总分：100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题3分，共60分) 在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的，错选、多选均无分。 1.稳压二极管的正常工作状态是 。（ ） A.导通状态 B.截止状态 C.反向击穿状态 D.正向死区状态 2.PN结两端加正向电压时，其正向电流是 而成。（ ） A.多子扩散 B.少子扩散 C.少子漂移 D.多子漂移 3.P型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。 ( ) A. 三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价 4.用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，说明该二极管 。 （ ） A．已经击穿 B．完好状态 C．内部老化不通 D．无法判断 5.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别 。 ( ) A. 左移，下移 B.右移，上移 C.左移，上移 D. 右移，下移 6.在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂 移电流。 ( ) A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于 时处于正偏导通状态。（ ） A.0 B.死区电压 C.反向击穿电压 D.正向压降 8.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足 。 ( ) A. ID = 0 B. ID< IZ且ID > IZM C. IZ> ID> IZM D.IZ< ID< IZM 9.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于 。（ ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶体缺陷 10.硅管正偏导通时，其管压降约为 。（ ） A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V 11.ＰＮ结的最大特点是具有 。（ ） A.导电性 B.绝缘性 C.单相导电性 D.双向导电性 12.用万用表电阻挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把电阻挡置于 。( ) A. R×100或R×1K挡 B. R×1挡 C. R×10K挡 D.R×10挡 13.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，负载时，输出电压约为 。 （ ） A.24V B.18V C.9V D.28.2V 14.半导体中传导电流的载流子是 。（ ） A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．正电荷 15.P型半导体是 ( ) A.纯净半导体 B. 掺杂半导体 C. 带正电的 D.带负电的 【答案】 B 16.纯净半导体掺入五价元素后成为 。( ) A.N型半导体 B. P型半导体 C. 本征半导体 D. PN结 17.滤波电路位于整流电路 。（ ） A. 之前 B.之后 C.前后均可 D. 中间 18.晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于 。( ) A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上均不正确 19.下列元器件中 将电信号转变成光信号。( ) A.发光二极管 B.三极管 C.二极管 D.光电二极管 20.二极管加正向电压时，其导通后的正向电流为 。 ( ) A. 几百微安 B. 几微安至几百微安 C. 几安 D. 几十安 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1.N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 。 2.PN结正向偏置时，内、外电场方向 。 3.用指针式万用表检测二极管极性时，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 。 4.半导体随温度的升高，电阻会 。 5.二极管是 元件。 6.锗二极管的正向电压为 左右，硅二极管的正向电压为 左右。 7.二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、 区和 区四个工作 8.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 9.发光二极管在使用时需加 偏置电压，同时还应 接限流电阻。 10.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为___________、__________和__________三类。 三、综合分析题（本大题共2小题，共20分） 1.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压Uo。设二极管的导 通压降为0.7V。（本小题10分） 2.如图，变压器二次电压有效值U2=120V，未加电容C时负载两端电压为多少？加滤波电容并在空载情况下负载两端电压为多少？（本小题10分） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 湖南省单独招生考试《电子技术基础》45分钟专题训练专辑，共26份试卷。试卷命题与高考紧密相关，精选具有代表性和典型性的高考常考题。旨在帮助学生系统地复习和巩固电子电工专业类理论知识，熟悉高考题型和命题规律，提高解题能力和应试技巧，为高考取得优异成绩打下坚实的基础，本训练卷适用于即将参加电子电工专业类高考的学生。欢迎同学和老师们下载使用。 《电子技术基础》 项目一： 半导体器件的基础知识 课题二 二极管 时间：45分钟 总分：100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题(本大题共20小题，每小题3分，共60分) 在每小题列出的四个备选答案中，只有一个是符合题目要求的，错选、多选均无分。 1.稳压二极管的正常工作状态是 。（ ） A.导通状态 B.截止状态 C.反向击穿状态 D.正向死区状态 【答案】C 【解析】稳压二极管是一种用于稳定电压的半导体器件。它在反向击穿状态下工作，当电压超过其额定击穿电压时，它会开始导电，以保持电压稳定。 2.PN结两端加正向电压时，其正向电流是 而成。（ ） A.多子扩散 B.少子扩散 C.少子漂移 D.多子漂移 【答案】 A 【解析】如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。 在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。 这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。 3.P型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。 ( ) A. 三价 B. 四价 C. 五价 D. 六价 【答案】A 【解析】P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体，是在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代硅晶体中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 4.用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，说明该二极管 。 （ ） A．已经击穿 B．完好状态 C．内部老化不通 D．无法判断 【答案】 C 【解析】当二极管的正、反电阻都约等于1kΩ时，表明二极管的内部结构可能出现老化或损坏，无法正常工作。 5.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别 。 ( ) A. 左移，下移 B.右移，上移 C.左移，上移 D. 右移，下移 【答案】A 【解析】二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。 在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。 在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 6.在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂 移电流。 ( ) A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 【答案】PN结加正向电压：扩散电流>漂移电流，PN结加反向电压：扩散电流<漂移电流，PN结零偏 （即不加电压）：这就是热平衡态的PN结，扩散电流=漂移电流。 7.从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于 时处于正偏导通状态。（ ） A.0 B.死区电压 C.反向击穿电压 D.正向压降 【答案】B 【解析】只要正向压降大于二极管的死区电压，二极管就处于正偏导通状态。 8.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足 。 ( ) A. ID = 0 B. ID< IZ且ID > IZM C. IZ> ID> IZM D.IZ< ID< IZM 【答案】 D 【解析】稳压二极管的稳压，是利用PN结反向击穿时，在反向电流较大的变化情况下，其反向压降基本不变的特性。稳压二极管在正常稳压状态下，其反向电流ID应满足：IZ< ID< IZM。其中，IZ是最小稳压电流，ID≥IZ管子才能进入稳压工作区（进入稳压状态），IZM是最大稳压电流，超过它管子的功耗超过额定值将烧坏。 9.杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于 。（ ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶体缺陷 【答案】C 【解析】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度主要取决于温度。 10.硅管正偏导通时，其管压降约为 。（ ） A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V 【答案】 D 【解析】二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。 11.ＰＮ结的最大特点是具有 。（ ） A.导电性 B.绝缘性 C.单相导电性 D.双向导电性 【答案】C 12.用万用表电阻挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把电阻挡置于 。( ) A. R×100或R×1K挡 B. R×1挡 C. R×10K挡 D.R×10挡 【答案】 A 【解析】指针式万用表使用电阻挡R×1k或者R×100量程，数字万用表使用二极管挡。 13.桥式整流加电容滤波电路，设整流输入电压为20V，负载时，输出电压约为 。 （ ） A.24V B.18V C.9V D.28.2V 【答案】A 【解析】单相桥式整流电路中，如果接有滤波电容，在负载开路时，输出电压（也即电容两端的电压）为交流输入电压的峰值，即：U输出=1.414*U输入电压。该结论对桥式、全波、半波整流电路都适用。但负载时，一般设计为1.2倍U输入。滤波电容越大输出电压越高，反之越低。 14.半导体中传导电流的载流子是 。（ ） A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．正电荷 【答案】 C 【解析】半导体材料通常由两种不同类型的输运载流子组成：电子和空穴。 15.P型半导体是 ( ) A.纯净半导体 B. 掺杂半导体 C. 带正电的 D.带负电的 【答案】 B 【解析】 纯净半导体掺杂之后区分N型或P型半导体。 16.纯净半导体掺入五价元素后成为 。( ) A.N型半导体 B. P型半导体 C. 本征半导体 D. PN结 【答案】 A 【解析】在纯硅基础上，掺杂5价元素（外围电子5个）比如磷、砷等的称为N型半导体。掺杂3价元素比如硼、铝、铟的称为P型半导体。 17.滤波电路位于整流电路 。（ ） A. 之前 B.之后 C.前后均可 D. 中间 【答案】 B 【解析】交流电在经过整流电路后得到脉动的直流电，所含交流纹波很大，不能直接用作电路的电源，滤波电路可以大大降低纹波成份，让整流后的电压波形变得比较平滑。 18.晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于 。( ) A.零偏 B.反偏 C.正偏 D.以上均不正确 【答案】 B 【解析】因为-5>-10，所以二极管是反偏。 19.下列元器件中 将电信号转变成光信号。( ) A.发光二极管 B.三极管 C.二极管 D.光电二极管 【答案】 A 【解析】 发光二极管将电信号转变成光信号，光电二极管将光信号转变成电信号。 20.二极管加正向电压时，其导通后的正向电流为 。 ( ) A. 几百微安 B. 几微安至几百微安 C. 几安 D. 几十安 【答案】B 【解析】在二极管外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零。当正向电压大到足以克服PN结电场时，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升，为几微安至几百微安。 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1.N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 。 【答案】五 自由电子 2.PN结正向偏置时，内、外电场方向 。 【答案】相反 3.用指针式万用表检测二极管极性时，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的 极。检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经 ；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经 。 【答案】阴 被击穿 老化不通 4.半导体随温度的升高，电阻会 。 【答案】减小 【解析】在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。 5.二极管是 元件。 【答案】非线性 【解析】二极管是一种非线性元件，其电压和电流的关系不是一条直线，而是呈现弧线变化趋势。 6.锗二极管的正向电压为 左右，硅二极管的正向电压为 左右。 【答案】0.3V 0.7V 7.二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、 区和 区四个工作 【答案】反向截止 反向击穿 8.二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 【答案】电击穿 热击穿 9.发光二极管在使用时需加 偏置电压，同时还应 接限流电阻。 【答案】正向 串联 10.根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为___________、__________和__________三类。 【答案】导体 绝缘体 半导体 三、综合分析题（本大题共2小题，共20分） 1.二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止，并确定各电路的输出电压Uo。设二极管的导 通压降为0.7V。（本小题10分） 【答案】（a）图，-6V-0.7V>-10V，二极管导通，UO= - 6.7V； （b）图，-10V-0.7V<-6V，二极管截止，UO= - 6V。 2.如图，变压器二次电压有效值U2=120V，未加电容C时负载两端电压为多少？加滤波电容并在空载情况下负载两端电压为多少？（本小题10分） 【答案】电路未加电容C时，为桥式整流电路，此时，UO=0.9U2=108V； 加滤波电容并在空载情况下，UO=1.4U2=168V。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$