《电子技术基础》（三）场效晶体管放大电路（2）- 知识点训练卷 河北省电子电工类 考纲百套卷 第37卷

编写说明：河北省《电子电工类考纲百套卷》依据河北省《河北省普通高等学校对口招生电子电工类专业考试大纲》编写，本套试卷共106份分为三个部分，第一部分是根据考试说明的各考点的范围与要求编写的76份知识点训练卷，第二部分是针对三门课程的重点内容，编写的20份常考题训练卷，第三个部分是参考近几年全国和河北省电子电工类专业理论考试真题，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是河北省《电子电工类考纲百套卷》的第37卷，是知识点训练卷，按考纲中的《电子技术基础》---（三）场效晶体管放大电路的第1点范围与要求编写。其1点范围与要求是：1．熟悉结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管的结构、符号、工作原理、特性曲线及主要参数。 河北省《电子电工类考纲百套卷》 第37卷 电子技术基础 （三）场效晶体管放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题（本大题共8小题，每题2分，共16分） 1.结型场效应晶体管的特性曲线表示漏极电流与________的关系。 【答案】漏源电压 2.场效应管的主要参数包括________。 【答案】漏源电流、击穿电压、输入电容 3.绝缘栅场效应晶体管的栅极与沟道之间通过________隔离。 【答案】氧化层 4.在结型场效应晶体管中，饱和区是指漏极电流基本不再随________变化。 【答案】漏源电压 5.绝缘栅场效应晶体管分为________和________两种基本类型。 【答案】增强型、耗尽型 6.结型场效应晶体管的栅极与源极之间为________偏置时，漏极电流开始减小。 【答案】反向 7.场效应管的一个重要特点是其输出特性与________无关。 【答案】输入电流 8.在MOSFET中，导通电阻与________成反比。 【答案】栅源电压 二、单项选择题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.电路如图所示，M为一块100μA直流微安表，电阻不计，某同学将其改装成电压表，图中电阻R1=100 kΩ,表上读出最大值的Ui是( )。 A.1 V B.10 V C.1mV D.100mV 【答案】B 2.电容器在交流电路中，其作用是（ ）。 A. 储能 B. 隔直 C. 滤波 D. 限流 【答案】C 3.在放大电路中，为了提高输出功率，常采用（ ）。 A. 单级放大电路 B. 多级放大电路 C. 差分放大电路 D. 射极跟随器 【答案】B 4.如图所示电路，运算放大器的饱和电压为±12 V,稳压管VZ的稳定电压为8 V,设正向压降为0,当输入电压ui=1 V时，输出电压u0等于( )。 A.-12 V B.0 C.-8 V D.无法确定 【答案】C 5.负反馈对放大电路的主要作用是（ ）。 A. 增加增益 B. 稳定增益 C. 降低输入阻抗 D. 提高输出阻抗 【答案】B 6. 如图所示电路,二极管D1为硅管,其中VZ的稳压值为6 v,则电路的输出电压VO为（ ）。 A.6 v B.0 C.6. 7 v D.5. 3 v 【答案】B 7.串联型石英晶体振荡电路中，石英晶体相当于什么元件？（ ） A. 电容元件 B. 电感元件 C. 电阻元件 D. 短路线 【答案】B 8.电感三点式振荡器与电容三点式振荡器相比，哪个输出波形更好？（ ） A. 电感三点式 B. 电容三点式 C. 两者相同 D. 无法比较 【答案】A 9.反馈式振荡器只要满足哪个条件就可以振荡？（ ） A. 振幅条件 B. 相位条件 C. 频率条件 D. 温度条件 【答案】B 10.放大器必须同时满足哪两个条件才能产生自激振荡？（ ） A. 振幅条件和频率条件 B. 相位条件和频率条件 C. 振幅条件和相位条件 D. 温度条件和频率条件 【答案】C 11.放大器的电压增益Av可以通过（　　）估算。 A. 输出电压与输入电压的比值 B. 输出电流与输入电流的比值 C. 输入阻抗与输出阻抗的比值 D. 电源电压与负载电阻的比值 【答案】A 12.在估算分析法中，如果放大器的输入阻抗ri较小，通常会导致（　　）。 A. 增益减小 B. 失真增加 C. 输出电压增大 D. 输入电流增大 【答案】A 13.如图所示集成运算放大器实物与引脚分布图，可以知道1引脚是此集成运算放大器其中1个集成运算放大器的输（ ）端。 A．入 B．出 C．电源 D．地 【答案】B 14.在放大器电路中，避免波形失真的方法之一是（　　）。 A. 增加输入信号的幅度 B. 减少电源电压 C. 调整负载线的位置 D. 增大输出电阻 【答案】C 15.放大器的频率响应通常通过（　　）来测量。 A. 输入电流的变化 B. 输出电流的变化 C. 增益随频率的变化 D. 功率随频率的变化 【答案】C 三、判断题（本大题共6小题，每题2分，共12分） 1.JFET的漏极电流主要由漏源电压控制。（ ） 【答案】× 2.MOSFET的栅极与沟道之间存在直接的电气连接。（ ） 【答案】× 3.JFET的导通和关断是通过改变漏源电压来实现的。（ ） 【答案】× 4.在N沟道JFET中，栅源电压为正时，漏极电流为零。（ ） 【答案】× 5.MOSFET的增强型和耗尽型的区别在于是否需要栅源电压来导通。（ ） 【答案】√ 6.JFET的输入阻抗通常比MOSFET的输入阻抗低。（ ） 【答案】× 四、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 1.论述场效应晶体管的最大漏源电压对电路设计的影响。 【答案】场效应晶体管的最大漏源电压（VDSmax）是指晶体管能够承受的最大漏源电压，超过这个值可能导致晶体管损坏。VDSmax对电路设计有重要影响，因为它限制了晶体管可以安全工作的最大电压。在设计电路时，必须确保在所有工作条件下，晶体管的VDS不会超过VDSmax，以保证电路的可靠性和安全性。 2.论述场效应晶体管的热稳定性对电路性能的影响。 【答案】场效应晶体管的热稳定性是指晶体管在长时间工作或在高温环境下保持性能不变的能力。热稳定性对电路性能有显著影响，因为温度的升高可能导致晶体管参数如阈值电压、漏极电流和最大漏源电压的变化，从而影响电路的性能和可靠性。设计时需要考虑晶体管的热特性，并采取适当的散热措施，以确保电路在预期的工作条件下稳定运行。 3.论述场效应晶体管的频率响应对高频电路设计的影响。 【答案】场效应晶体管的频率响应是指晶体管对不同频率信号的放大能力。晶体管的截止频率（fT）是衡量其频率响应的重要参数，它表示晶体管能够提供有效放大的最大频率。频率响应对高频电路设计至关重要，因为它决定了晶体管在高频信号放大时的性能。设计高频电路时，需要选择具有足够高截止频率的晶体管，以确保信号在高频下仍能被有效放大。 五、计算题（本大题共2小题，每题15分，共30分） 1.电路如图所示，三极管为了3DG6，其 =50，（1）画直流通路，求静态工作点ICQ、UCEQ；（2）画出交流通路。 【答案】（1）直流通路如图所示： ∵IBQRB+0.7V+(1+)IBQRE=18V ∴IBQ×820k+51×IBQ×1k=17.3V ∴IBQ≈0.02mA ICQ=IBQ=0.02×50=1mA UCEQ=18-( ICQ（RC1+ RC2）+(1+)IBQRE)=18-12-1.02≈5V （2）交流通路如图所示： 2.下图中，，要使电路的输出功率为10W，电源电压应为多少？若保持电源电压不变，，则输出功率是多少？ 【答案】3V，20W。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 RC1 RB RE + (18V) 6k 820k RC2 6k VCC 1k 直流通路 RB ui RL RE + - 交流通路 3k RC2 - 1k uo + $$ 编写说明：河北省《电子电工类考纲百套卷》依据河北省《河北省普通高等学校对口招生电子电工类专业考试大纲》编写，本套试卷共106份分为三个部分，第一部分是根据考试说明的各考点的范围与要求编写的76份知识点训练卷，第二部分是针对三门课程的重点内容，编写的20份常考题训练卷，第三个部分是参考近几年全国和河北省电子电工类专业理论考试真题，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是河北省《电子电工类考纲百套卷》的第37卷，是知识点训练卷，按考纲中的《电子技术基础》---（三）场效晶体管放大电路的第1点范围与要求编写。其1点范围与要求是：1．熟悉结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管的结构、符号、工作原理、特性曲线及主要参数。 河北省《电子电工类考纲百套卷》 第37卷 电子技术基础 （三）场效晶体管放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题（本大题共8小题，每题2分，共16分） 1.结型场效应晶体管的特性曲线表示漏极电流与________的关系。 2.场效应管的主要参数包括________。 3.绝缘栅场效应晶体管的栅极与沟道之间通过________隔离。 4.在结型场效应晶体管中，饱和区是指漏极电流基本不再随________变化。 5.绝缘栅场效应晶体管分为________和________两种基本类型。 6.结型场效应晶体管的栅极与源极之间为________偏置时，漏极电流开始减小。 7.场效应管的一个重要特点是其输出特性与________无关。 8.在MOSFET中，导通电阻与________成反比。 二、单项选择题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.电路如图所示，M为一块100μA直流微安表，电阻不计，某同学将其改装成电压表，图中电阻R1=100 kΩ,表上读出最大值的Ui是( )。 A.1 V B.10 V C.1mV D.100mV 2.电容器在交流电路中，其作用是（ ）。 A. 储能 B. 隔直 C. 滤波 D. 限流 3.在放大电路中，为了提高输出功率，常采用（ ）。 A. 单级放大电路 B. 多级放大电路 C. 差分放大电路 D. 射极跟随器 4.如图所示电路，运算放大器的饱和电压为±12 V,稳压管VZ的稳定电压为8 V,设正向压降为0,当输入电压ui=1 V时，输出电压u0等于( )。 A.-12 V B.0 C.-8 V D.无法确定 5.负反馈对放大电路的主要作用是（ ）。 A. 增加增益 B. 稳定增益 C. 降低输入阻抗 D. 提高输出阻抗 6. 如图所示电路,二极管D1为硅管,其中VZ的稳压值为6 v,则电路的输出电压VO为（ ）。 A.6 v B.0 C.6. 7 v D.5. 3 v 7.串联型石英晶体振荡电路中，石英晶体相当于什么元件？（ ） A. 电容元件 B. 电感元件 C. 电阻元件 D. 短路线 8.电感三点式振荡器与电容三点式振荡器相比，哪个输出波形更好？（ ） A. 电感三点式 B. 电容三点式 C. 两者相同 D. 无法比较 9.反馈式振荡器只要满足哪个条件就可以振荡？（ ） A. 振幅条件 B. 相位条件 C. 频率条件 D. 温度条件 10.放大器必须同时满足哪两个条件才能产生自激振荡？（ ） A. 振幅条件和频率条件 B. 相位条件和频率条件 C. 振幅条件和相位条件 D. 温度条件和频率条件 11.放大器的电压增益Av可以通过（　　）估算。 A. 输出电压与输入电压的比值 B. 输出电流与输入电流的比值 C. 输入阻抗与输出阻抗的比值 D. 电源电压与负载电阻的比值 12.在估算分析法中，如果放大器的输入阻抗ri较小，通常会导致（　　）。 A. 增益减小 B. 失真增加 C. 输出电压增大 D. 输入电流增大 13.如图所示集成运算放大器实物与引脚分布图，可以知道1引脚是此集成运算放大器其中1个集成运算放大器的输（ ）端。 A．入 B．出 C．电源 D．地 14.在放大器电路中，避免波形失真的方法之一是（　　）。 A. 增加输入信号的幅度 B. 减少电源电压 C. 调整负载线的位置 D. 增大输出电阻 15.放大器的频率响应通常通过（　　）来测量。 A. 输入电流的变化 B. 输出电流的变化 C. 增益随频率的变化 D. 功率随频率的变化 三、判断题（本大题共6小题，每题2分，共12分） 1.JFET的漏极电流主要由漏源电压控制。（ ） 2.MOSFET的栅极与沟道之间存在直接的电气连接。（ ） 3.JFET的导通和关断是通过改变漏源电压来实现的。（ ） 4.在N沟道JFET中，栅源电压为正时，漏极电流为零。（ ） 5.MOSFET的增强型和耗尽型的区别在于是否需要栅源电压来导通。（ ） 6.JFET的输入阻抗通常比MOSFET的输入阻抗低。（ ） 四、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 1.论述场效应晶体管的最大漏源电压对电路设计的影响。 2.论述场效应晶体管的热稳定性对电路性能的影响。 3.论述场效应晶体管的频率响应对高频电路设计的影响。 五、计算题（本大题共2小题，每题15分，共30分） 1.电路如图所示，三极管为了3DG6，其 =50，（1）画直流通路，求静态工作点ICQ、UCEQ；（2）画出交流通路。 2.下图中，，要使电路的输出功率为10W，电源电压应为多少？若保持电源电压不变，，则输出功率是多少？ 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$