《电子技术基础》（三）场效晶体管放大电路（1）- 知识点训练卷 河北省电子电工类 考纲百套卷 第36卷

编写说明：河北省《电子电工类考纲百套卷》依据河北省《河北省普通高等学校对口招生电子电工类专业考试大纲》编写，本套试卷共106份分为三个部分，第一部分是根据考试说明的各考点的范围与要求编写的76份知识点训练卷，第二部分是针对三门课程的重点内容，编写的20份常考题训练卷，第三个部分是参考近几年全国和河北省电子电工类专业理论考试真题，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是河北省《电子电工类考纲百套卷》的第36卷，是知识点训练卷，按考纲中的《电子技术基础》---（三）场效晶体管放大电路的第1点范围与要求编写。其1点范围与要求是：1．熟悉结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管的结构、符号、工作原理、特性曲线及主要参数。 河北省《电子电工类考纲百套卷》 第36卷 电子技术基础 （三）场效晶体管放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题（本大题共8小题，每题2分，共16分） 1.结型场效应晶体管的输入阻抗通常________。 2.绝缘栅场效应晶体管的控制电极称为________。 3.结型场效应晶体管工作时，漏极电流主要由________控制。 4.在N沟道结型场效应晶体管中，当栅源电压变负时，漏极电流将________。 5.绝缘栅场效应晶体管的主要优点是________。 6.场效应管的导通与关断主要通过控制________实现。 7.结型场效应晶体管的符号中，箭头方向表示________。 8.在增强型MOSFET中，只有________时才有导通电流。 二、单项选择题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.三极管在截止状态下，集电极电流（　　）。 A. 等于基极电流 B. 最大 C. 最小 D. 等于发射极电流 2.场效应管的源极（Source）符号为（　　）。 A. S B. D C. G D. C 3.图中场效晶体管为（ ）。 A.增强型P沟道 B.增强型N沟道 C.耗尽型N沟道 D.耗尽型P沟道 4.BJT的三个基本引脚是（　　）。 A. 基极、发射极、集电极 B. 栅极、漏极、源极 C. 输入极、输出极、公共极 D. 正极、负极、公共端 5.MOSFET中的栅极控制电压与源极电压之差称为（　　）。 A. 阈值电压 B. 饱和电压 C. 导通电压 D. 关断电压 6.二极管的主要参数中，表示二极管最大允许电流的是（　　）。 A. 最大功率 B. 最大反向电压 C. 最大正向电流 D. 最大反向电流 7.测量二极管时，若万用表红表笔接二极管正极，黑表笔接负极，万用表显示（　　）。 A. 零 B. 正向电压 C. 反向电压 D. 无显示 8.稳压二极管的特点是（　　）。 A. 正向导通，反向截止 B. 正向截止，反向导通 C. 正向和反向均导通 D. 正向和反向均截止 9.半导体材料与导体和绝缘体相比，其导电性（ ）。 A. 更高 B. 介于导体和绝缘体之间 C. 更低 D. 与导体和绝缘体相同 10.半导体材料在一定条件下，其导电性会发生显著变化，这种特性称为（　　）。 A. 温度特性 B. 光电效应 C. 掺杂特性 D. 整流特性 11.使用电感滤波器的单相桥式整流电路，其输出电压的脉动（ ）。 A. 增加 B. 减少 C. 不变 D. 先增加后减少 12.单相半波整流电路的输出电流平均值取决于（ ）。 A. 输入电压频率 B. 输入电压幅值 C. 负载电阻 D. 以上全部 13.单相桥式整流电路中，二极管的反向恢复时间影响电路的（ ）。 A. 效率 B. 输出电压 C. 输出电流 D. 频率响应 14.对于单相半波整流电路，输出电压平均值的提高可以通过（ ）实现。 A. 增加输入电压频率 B. 减少负载电阻 C. 增加输入电压峰值 D. 增加二极管数量 15.在单相桥式整流电路中，若滤波电容的容量过大，会导致（ ）。 A. 输出电压脉动增加 B. 二极管电流增加 C. 负载电压减少 D. 电路效率降低 三、判断题（本大题共6小题，每题2分，共12分） 1.结型场效应晶体管（JFET）的控制极被称为栅极。（ ） 2.绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的输入阻抗通常比结型场效应晶体管低。（ ） 3.在N沟道JFET中，增加栅源电压会使漏极电流增加。（ ） 4.MOSFET的导通和关断是通过改变栅源电压来实现的。（ ） 5.JFET的漏极电流在饱和区不随漏源电压变化而变化。（ ） 6.MOSFET的阈值电压是其从截止区到导通区的转变电压。（ ） 四、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 1.论述结型场效应晶体管（JFET）的输入特性及其对电路设计的影响。 2.论述绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压对电路性能的影响。 3.论述场效应晶体管的漏极电流与漏源电压之间的关系。 五、计算题（本大题共2小题，每题15分，共30分） 1.电路如图所示，已知三极管rbe=1k,VBEQ=0.7V,试计算：(计算结果保留一位小数) (1)静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ分别为多少? (2)电压放大倍数Au为多少? (3)输入电阻Ri 输出电阻R。分别为多少? 2.考虑一个集-基偏置的共射放大电路，其中三极管的β = 100，V_BE = 0.7V。电源电压V_CC = 12V，集电极电阻R_C = 3kΩ，发射极电阻R_E = 500Ω，基极电阻R_B = 10kΩ。计算：基极电流I_B,集电极电流I_C,发射极电压V_E。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：河北省《电子电工类考纲百套卷》依据河北省《河北省普通高等学校对口招生电子电工类专业考试大纲》编写，本套试卷共106份分为三个部分，第一部分是根据考试说明的各考点的范围与要求编写的76份知识点训练卷，第二部分是针对三门课程的重点内容，编写的20份常考题训练卷，第三个部分是参考近几年全国和河北省电子电工类专业理论考试真题，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是河北省《电子电工类考纲百套卷》的第36卷，是知识点训练卷，按考纲中的《电子技术基础》---（三）场效晶体管放大电路的第1点范围与要求编写。其1点范围与要求是：1．熟悉结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管的结构、符号、工作原理、特性曲线及主要参数。 河北省《电子电工类考纲百套卷》 第36卷 电子技术基础 （三）场效晶体管放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题（本大题共8小题，每题2分，共16分） 1.结型场效应晶体管的输入阻抗通常________。 【答案】非常高 2.绝缘栅场效应晶体管的控制电极称为________。 【答案】栅极 3.结型场效应晶体管工作时，漏极电流主要由________控制。 【答案】栅源电压 4.在N沟道结型场效应晶体管中，当栅源电压变负时，漏极电流将________。 【答案】减小 5.绝缘栅场效应晶体管的主要优点是________。 【答案】输入阻抗高，功耗低 6.场效应管的导通与关断主要通过控制________实现。 【答案】栅源电压 7.结型场效应晶体管的符号中，箭头方向表示________。 【答案】本征沟道类型（箭头指向P型材料） 8.在增强型MOSFET中，只有________时才有导通电流。 【答案】栅源电压超过阈值电压 二、单项选择题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.三极管在截止状态下，集电极电流（　　）。 A. 等于基极电流 B. 最大 C. 最小 D. 等于发射极电流 【答案】C 2.场效应管的源极（Source）符号为（　　）。 A. S B. D C. G D. C 【答案】A 3.图中场效晶体管为（ ）。 A.增强型P沟道 B.增强型N沟道 C.耗尽型N沟道 D.耗尽型P沟道 【答案】B 4.BJT的三个基本引脚是（　　）。 A. 基极、发射极、集电极 B. 栅极、漏极、源极 C. 输入极、输出极、公共极 D. 正极、负极、公共端 【答案】A 5.MOSFET中的栅极控制电压与源极电压之差称为（　　）。 A. 阈值电压 B. 饱和电压 C. 导通电压 D. 关断电压 【答案】A 6.二极管的主要参数中，表示二极管最大允许电流的是（　　）。 A. 最大功率 B. 最大反向电压 C. 最大正向电流 D. 最大反向电流 【答案】C 7.测量二极管时，若万用表红表笔接二极管正极，黑表笔接负极，万用表显示（　　）。 A. 零 B. 正向电压 C. 反向电压 D. 无显示 【答案】B 8.稳压二极管的特点是（　　）。 A. 正向导通，反向截止 B. 正向截止，反向导通 C. 正向和反向均导通 D. 正向和反向均截止 【答案】A 9.半导体材料与导体和绝缘体相比，其导电性（ ）。 A. 更高 B. 介于导体和绝缘体之间 C. 更低 D. 与导体和绝缘体相同 【答案】B 10.半导体材料在一定条件下，其导电性会发生显著变化，这种特性称为（　　）。 A. 温度特性 B. 光电效应 C. 掺杂特性 D. 整流特性 【答案】C 11.使用电感滤波器的单相桥式整流电路，其输出电压的脉动（ ）。 A. 增加 B. 减少 C. 不变 D. 先增加后减少 【答案】B 12.单相半波整流电路的输出电流平均值取决于（ ）。 A. 输入电压频率 B. 输入电压幅值 C. 负载电阻 D. 以上全部 【答案】D 13.单相桥式整流电路中，二极管的反向恢复时间影响电路的（ ）。 A. 效率 B. 输出电压 C. 输出电流 D. 频率响应 【答案】A 14.对于单相半波整流电路，输出电压平均值的提高可以通过（ ）实现。 A. 增加输入电压频率 B. 减少负载电阻 C. 增加输入电压峰值 D. 增加二极管数量 【答案】C 15.在单相桥式整流电路中，若滤波电容的容量过大，会导致（ ）。 A. 输出电压脉动增加 B. 二极管电流增加 C. 负载电压减少 D. 电路效率降低 【答案】B 三、判断题（本大题共6小题，每题2分，共12分） 1.结型场效应晶体管（JFET）的控制极被称为栅极。（ ） 【答案】× 2.绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的输入阻抗通常比结型场效应晶体管低。（ ） 【答案】× 3.在N沟道JFET中，增加栅源电压会使漏极电流增加。（ ） 【答案】× 4.MOSFET的导通和关断是通过改变栅源电压来实现的。（ ） 【答案】√ 5.JFET的漏极电流在饱和区不随漏源电压变化而变化。（ ） 【答案】√ 6.MOSFET的阈值电压是其从截止区到导通区的转变电压。（ ） 【答案】√ 四、简答题（本大题共3小题，每题4分，共12分） 1.论述结型场效应晶体管（JFET）的输入特性及其对电路设计的影响。 【答案】结型场效应晶体管的输入特性主要体现在其转移特性曲线上，即栅源电压（VGS）与漏极电流（ID）之间的关系。在JFET中，当VGS为零时，存在一个称为“夹断电压”（Vp）的值，此时漏极电流达到最大值（IDSS）。随着VGS的增加（负向增加），漏极电流逐渐减小，直至达到截止点。JFET的输入特性对电路设计有重要影响，因为它决定了晶体管的开关速度、输入阻抗以及在不同偏置条件下的工作状态。设计时需要选择合适的VGS以确保晶体管在所需的工作区域运行，同时考虑到输入阻抗对信号源的匹配问题。 2.论述绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）的阈值电压对电路性能的影响。 【答案】绝缘栅场效应晶体管的阈值电压（Vth）是指使晶体管从截止状态转变为导通状态所需的最小栅源电压。Vth对MOSFET的电路性能有显著影响，因为它决定了晶体管的开启和关闭。较低的Vth可以降低开启晶体管所需的电压，从而减少功耗并提高开关速度。然而，过低的Vth可能导致晶体管在不希望导通的情况下意外导通，增加功耗。设计时需要根据应用需求平衡Vth的选择，以实现最佳的电路性能。 3.论述场效应晶体管的漏极电流与漏源电压之间的关系。 【答案】场效应晶体管的漏极电流（ID）与漏源电压（VDS）之间的关系在输出特性曲线上表现出来。在饱和区（VDS大于阈值电压），漏极电流基本不随VDS的增加而变化，而在截止区（VDS小于阈值电压），漏极电流接近于零。在过渡区，漏极电流随VDS的增加而增加。这种关系对电路设计至关重要，因为它影响晶体管的放大能力和功耗。设计时需要根据所需的输出电流和电压选择合适的晶体管，并确保晶体管在适当的工作区域运行。 五、计算题（本大题共2小题，每题15分，共30分） 1.电路如图所示，已知三极管rbe=1k,VBEQ=0.7V,试计算：(计算结果保留一位小数) (1)静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ分别为多少? (2)电压放大倍数Au为多少? (3)输入电阻Ri 输出电阻R。分别为多少? 【答案】解：(1)VBQ=2.4 V,IBQ=42 μA,ICQ=1.7 mA,Vceq=6.9 V。 (2)Au=—53 (3)R₁=1 kΩ,R。=2 kQ。 2.考虑一个集-基偏置的共射放大电路，其中三极管的β = 100，V_BE = 0.7V。电源电压V_CC = 12V，集电极电阻R_C = 3kΩ，发射极电阻R_E = 500Ω，基极电阻R_B = 10kΩ。计算：基极电流I_B,集电极电流I_C,发射极电压V_E。 【答案】基极电流I_B ≈ 50μA 集电极电流I_C ≈ 5mA 发射极电压V_E ≈ 1.5V 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$