4.1 内存(课件)-《计算机组装与维修》同步教学(人民邮电版)

2024-08-16
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第4章 存储设备 第4章 存储设备 1 第4章 存储设备 存储器可分为主存储器(Main Memory,简称主存)和辅助存储器(Auxiliary Memory,简称辅存)。主存储器又称内存储器(简称内存),辅助存储器又称外存储器(简称外存)。外存通常是磁性介质(软盘、硬盘、磁带)或光盘,能长期保存信息,并且不依赖于电来保存信息。 内存 第4章 存储设备 2 4.1 内存 4.1.1 内存的分类 内存泛指计算机系统中存放数据与指令的半导体存储单元。它包括RAM (Random Access Memory,随机存取存储器)、ROM (Read Only Memory,只读存储器)、Cache (高速缓冲存储器)等。因为RAM是其中最主要的存储器,整个计算机系统的内存容量主要由它的容量决定,所以人们习惯将RAM直接称为内存,而后两种,则仍称为ROM和Cache。 内存 第4章 存储设备 3 1.只读存储器ROM 只读存储器ROM是计算机厂商用特殊的装置把内容写在芯片中,只能读取,不能随意改变内容的一种存储器,一般用于存放固定的程序,如BIOS,ROM中的内容不会因为掉电而丢失。ROM又分为一次写ROM和可改写ROM—EPROM(Erasable Programmable ROM)。ROM中的信息只能被读出,而不能被操作者修改或删除。与一般的ROM相比,EPROM可以用特殊的装置擦除和重写它的内容。 内存 第4章 存储设备 4 2.随机存储器RAM RAM就是平常所说的内存,系统运行时,将所需的指令和数据从外部存储器(如硬盘、光盘等)调入内存中,CPU再从内存中读取指令或数据进行运算,并将运算结果存入内存中。RAM的存储单元根据具体需要可以读出,也可以写入或改写。RAM只能用于暂时存放程序和数据,一旦关闭电源或发生断电,其中的数据就会丢失。根据其制造原理不同,现在的RAM多为MOS型半导体电路,它分为静态和动态两种。 内存 第4章 存储设备 5 静态RAM (SRAM) SRAM (Static RAM) 的一个存储单元的基本结构是一个双稳态电路,由于读、写的转换由写电路控制,所以只要写电路不工作,电路有电,开关就保持现状,不需要刷新,因此SRAM又叫静态RAM,由于这里的开关实际上是由晶体管代替,所以SRAM的读写速度很快,一般比DRAM快出2~3倍。微机的高速缓存(Cache)就是SRAM。但是,这种开关电路需要的元件较多,在实际生产时一个存储单元需要4个晶体管和2个电阻组成,这样一方面降低了SRAM的集成度,另一方面也增加了生产成本。 内存 第4章 存储设备 6 动态RAM(DRAM) DRAM (Dynamic RAM) 就是通常所说的内存,它是针对静态RAM (SRAM)来说的。SRAM中存储的数据,只要不断电就不会丢失,也不需要进行刷新。而DRAM中存储的数据是需要不断地进行刷新的。因为一个DRAM单元由一个晶体管和一个小电容组成。 晶体管通过小电容的电压来保持断开、接通的状态,当小电容有电时,晶体管接通表示1;当小电容没电时,晶体管断开表示0。但是充电后的小电容上的电荷很快就会丢失,所以需要不断地进行“刷新”。 内存 第4章 存储设备 7 4.1.2 内存的单位和主要性能指标 1.内存的单位: 存储器是具有“记忆”功能的设备,它用具有两种稳定状态的物理器件来表示二进制数码“0”和“1”,这种器件称为记忆元件或记忆单元。位(bit)是二进制数的最基本单位,也是存储器存储信息的最小单位,8位二进制数称为一个字节(Byte),可以由一个字节或若干个字节组成一个字(Word),字长等于运算器的位数。若干个记忆单元组成一个存储单元,大量的存储单元的集合组成一个存储体(Memory Bank)。为了区分存储体内的存储单元,必须将它们逐一进行编号,称为地址。地址与存储单元之间一一对应,且是存储单元的唯一标志。 内存 第4章 存储设备 8 位(bit) 位(bit,常用b表示)是二进制数的最基本单位,也是存储器存储信息的最小单位。 字节(Byte) 8位二进制数称为一个字节(B),内存容量即是指具有多少字节,字节是微机中最常用的单位。一个字节等于8个比特,即1B=8b。 存储器可以容纳的二进制信息量称为存储量。在微机中,凡是涉及到数据量的多少时,用的单位都是字节。不过在数量级方面与普通的计算方法有所不同,1024字节为1KB,而不是通常的1000为1K,1024KB为1MB,更高数量级用1GB=1024MB表示。 内存 第4章 存储设备 9 内存的单位换算 常用的单位及其换算如下: 千字节(KB, Kilo Byte):1KB=1024B 百万字节 (MB, Mega Byte):1MB=1024KB 十亿字节(GB, Giga Byte):1GB=1024MB 兆兆字节(TB, Tera Byte):1TB=1024GB 各个单位的关系如下: 1TB=1024GB =1024×1024MB =1024×1024×1024KB =1024×1024×1024×1024B =1024×1024×1024×1024×8bit 内存 第4章 存储设备 10 2.内存的主要性能指标: 存取周期 内存的速度用存取周期来表示。单位为ns,这个时间越短,速度就越快,也就标志着内存的性能越高。内存的速度一般为5ns、6ns、7ns、8ns、10ns。 数据宽度和带宽 内存的数据宽度是指内存同时传输数据的位数,以位(bit)为单位。内存带宽指内存的数据传输速率。 内存 第4章 存储设备 11 容量 每个时期内存条的容量都分为多种规格,比如早期的168线内存的有128MB、256MB、512MB等容量,目前流行的184线和240线内存常见的内存容量有512MB、1GB、2GB、4GB等。 内存电压 早期的SDRAM使用3.3V电压,DDR使用2.5V电压,DDR2使用1.8V电压,DDR3的工作电压则降到1.5V。 内存 第4章 存储设备 12 内存的“线”数 所谓的内存条是多少“线”,就是指内存条与主板插接时有多少个接触点,这些接触点就是“金手指”,内存曾经有30线、72线和168线,目前多为184线和240线。30线内存条的数据宽度为8bit;72线内存条的数据宽度为32bit;168线、184线和240线内存的数据宽度为64bit,双通道内存系统则有2个64bit的内存控制器,因此在双通道模式下具有128bit的内存位宽。 内存 第4章 存储设备 13 内存的“线”数 SDRAM为168线结构,金手指每面为84线,金手指上有两个卡口。DDR则采用184线,金手指每面有92线,金手指上只有一个卡口。DDR2为240线,金手指每面有120线,与DDR一样金手指上也只有一个卡口,但是卡口的位置稍微有不同,因此DDR和DDR2是不能通用的。DDR3线数与DDR2相同,但是卡口位置不同,因此DDR2和DDR3也是不能通用的。 内存 第4章 存储设备 14 SPD SPD (Serial Presence Detect) 是1个8针的EEPROM芯片,容量为256字节,里面主要保存了该内存条的相关资料,如容量、芯片的厂商、内存模组的厂商、工作速度、是否具备ECC校验等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料,并以此设定内存的工作参数,使之以最佳状态工作,更好地确保系统的稳定。 内存 第4章 存储设备 15 时钟频率f、时钟周期TCK 时钟频率代表了DRAM所能稳定运行的最大频率,支持时钟频率越高的内存,其性能也越出众。 DDR内存的基准时钟频率为200MHz、266MHz,333MHz、400 MHz、533 MHz。DDR2内存的基准时钟频率为400MHz、533MHz,667MHz、800MHz、1066MHz和1200MHz。DDR3内存的基准时钟频率为1066MHz、1333 MHz、1600 MHz、1800 MHz、1866 MHz、2000 MHz、2200 MHz和2400 MHz。 内存的时钟周期TCK由时钟频率决定,TCK=1/f,例如对于100MHz的系统来说,一个系统时钟周期为10ns。 内存 第4章 存储设备 16 CAS的延迟时间 CAS的延迟时间是指纵向地址脉冲的反应时间,也是在一定频率下衡量支持不同规范的内存重要标志之一,用CAS Latency(CL)指标来衡量。它一定程度上反映出了内存在CPU接到读取内存数据的指令后,到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存,CL设置低的更具有速度优势。 内存 第4章 存储设备 17 ECC ECC(Error Checking and Correcting) 功能,指内存具备错误修正码的功能。它使得内存在传输数据的同时,在每笔资料上增加一个检查位元,以确保资料的正确性,若有错误发生,还可以将它加以修正并继续传输,这样不至于因为错误而中断。 奇偶校验(Parity) 非奇偶校验内存的每个字节只有8位,若它的某一位存储了错误的值,就会使其中存储的数据发生改变而导致应用程序发生错误。而奇偶校验内存在每一字节(8位)外又额外增加了一位作为错误检测之用。那些Parity检测到错误的地方,ECC可以纠正错误。 内存 第4章 存储设备 18 内存的封装 内存封装即颗粒封装,就是内存芯片所采用的封装技术类型。封装就是将内存芯片包裹起来,以避免芯片与外界接触,防止外界对芯片的损害。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大,封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。 CSP是目前的主流封装形式。众所周知,封装面积与芯片的面积比越接近1:1越完美,CSP封装可以让芯片面积与封装面积之比超过1:1.14,已经相当接近1:1的理想情况,绝对尺寸也仅有32平方毫米。在相同体积下,内存条可以装入更多的芯片,从而增大单条容量。 内存 第4章 存储设备 19 4.1.3 主流内存 现在市场上用于个人电脑的内存主要有三种,一种是老式的DDR,一种是目前主流的DDR2和DDR3。 内存 第4章 存储设备 20 1.SDRAM SDRAM(Synchronous DRAM,同步动态随机存储器)如其名字所示,它是同步的,也就是其工作速度与系统总线速度是同步的。目前SDRAM已经退出主流市场, 内存 第4章 存储设备 21 2. DDR DDR全称是DDR SDRAM(Double Date Rate SDRAM,双倍速率SDRAM)。看名字就知道DDR其实也是SDRAM的一种。DDR内存采用了双时钟差分信号技术,使其在单个时钟周期内的上下沿都能进行数据传输,所以具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽。 内存 第4章 存储设备 22 3. DDR2 DDR2(Double Data Rate 2 SDRAM的简称)与上一代DDR技术标准最大的不同就是,虽然同是采用了在时钟的上、下沿同时进行数据传输的基本方式,两倍于DDR的预读取能力。DDR2提供了更为良好的电气性能与散热性。DDR2内存工作电压为1.8V,相对于DDR的2.5V降低了不少,从而提供了更小的功耗与更小的发热量。双通道内存技术始于DDR2 。 内存 第4章 存储设备 23 4. DDR3 DDR3是一种最新的内存技术标准,属于SDRAM家族的内存产品。从技术指标上看,DDR3的最低频率是1066MHz,后期推出的1600/1800/2000MHz等产品的内存带宽大幅度超过DDR2 。DDR3内存在达到高带宽的同时,其功耗反而可以降低,其工作电压从DDR2的1.8V降至1.5V,相关数据预测DDR3将比DDR2节省30%的功耗。三通道内存技术始于DDR3。 内存 第4章 存储设备 24 5. 笔记本内存 笔记本内存拥有体积小、容量大、速度快、耗电低、散热好等特性。出于追求体积小巧的考虑,大部分笔记本电脑最多只有两个内存插槽。由于内存扩展槽很有限,因此单位容量大一些的内存会显得比较重要。笔记本内存规格也分为DDR、DDR2和DDR3三种,主流的DDR2和DDR3笔记本内存大多采用240线的DIMM插槽。市场上有不少DDR2和DDR3规格的笔记本内存双通道套装,但是目前还没有三通道套装上市。 内存 第4章 存储设备 25 4.1.4 选购内存 明确用途 品牌与市场 认清标识、鉴别质量、防止假冒伪劣 注意保护 $$

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