1.1半导体材料（教案）-《电子技术基础》同步教学（西安电子科技大学出版社）

讲 次 第1次 学 时 2学时 授课方式 板书+多媒体课件PPT+视频 章 节 第1章 半导体器件 §1.1半导体材料 §1.2 PN结的形成及特性 §1.3 PN结的反向击穿 教学目的 1.了解模拟电子技术的发展过程以及常用半导体材料和器件； 2.熟悉P型半导体、N型半导体； 3.理解PN结的形成过程； 4.掌握PN结的单向导电性； 教学重点 及难点 重点：半导体的导电特性、两种杂质半导体的形成特点； 难点：PN结的形成过程及其单向导电性； 教学方法 启发式、讲授式、讨论式、互动式 教学过程 活动设计 组织教学 导入新课 讲授新课 考勤，教师组织学生做好上课准备 按导电能力区分物质分类有几种？ 如何定义半导体材料？ §1.1半导体材料 §1.1.1本征半导体 本征半导体是纯净的不含杂质的，结构完整的半导体晶体。 1.半导体特点：热敏性、光敏性、掺杂性  2.半导体导电粒子：自由电子和空穴 教师调动学生迅速进入上课状态 （2分钟） 提问式、互动式 （4分钟） 教师授课（20分钟） 教学过程 活动设计 讲授新课 §1.1.2杂质半导体 掺入少量杂质，半导体导电性能会发生变化。 P型半导体：多子空穴，少子电子； N型半导体：多子电子，少子空穴； §1.2 PN结的形成及特性 §1.2.1 PN结的形成 扩散运动：多子运动 漂移运动：少子运动 §1.2.2 PN结的单向导电性 1.外加正向电压 形成正向电流，PN结处于正向导通状态。 2.外加反向电压 教师授课（10分钟） 教师授课（20分钟） 教师授课20分钟） 教学过程 活动设计 讲授新课 练习答疑 形成正向电流，PN结处于反向截止状态。 §1.3 PN结的反向击穿 PN结处于反向偏置，在一定的电压范围内，流过PN结的电流很小，但反向电压增大到一定数值时，反向电流急剧增加，这个现象称为PN结反向击穿。 分类：雪崩击穿、隧道击穿、热击穿 常用的半导体材料？ PN结显著特点？ 半导体导电特性？ 教师授课（10分钟） 互动式（4分钟） 全课总结 1.本征半导体：纯净的、无晶格缺失 2. 3.PN结的形成过程：扩散运动、漂移运动 4.PN结的单向导电性 （详见课堂讲稿） 作业习题 P31页 1.1、1.2 教 学 效果反思 1.制作微课短片，展示电子技术发展进程，激发学习兴趣，培养学生自主创新的能力； 2.积极调动学生学习兴趣，营造愉快课堂氛围； 备 注 18211-12周四3.4节东503、单周周五7.8节栋203 18213-14双周周三3.4节东203、周五5.6节东203 18215-21双周周三1.2节东阶201、周四1.2节东阶202 学科网（北京）股份有限公司 +4 +5 +4 +4 +4 +4 施主原子 自由电子 图1-4 N型半导体 +4 +3 +4 +4 +4 +4 受主原子 空穴 图1-5 P型半导体 $$