5 NMOS驱动电路原理理论试题1（原卷+解析）

黄洪刚工作室 班级 姓名 学号 --------⊙--------⊙--------⊙--------⊙--------密封线内请勿答题--------⊙--------⊙--------⊙--------⊙-------- 《电子技术基础与技能》 NMOS驱动电路原理理论 （满分100分 90分钟完成） 1、 选择题（ 共15题，每题4分，共60分） 1、{NMOS场效应管的线性放大区是( )。} A．可调电阻区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区 2、{NMOS场效应管的主要特点是( )} A．输入电阻高 B．输入电阻小 C．躁声大 D．耗电大 3、{NMOS场效应管的输入电阻为( )。} A．几十欧姆 B．可达1015欧姆 C．107～108欧姆 D．不可知 4、{如图：1-12代表( )的符号。} A.增强型NMOS B.耗尽型PMOS C.增强型PMOS D.耗尽型NMOS 5、{NMOS场效应管的跨导表征( )的控制作用。。} A．VDS对ID B．VGS对VDS C．VGS对ID D．IG对VDS 6、{场效应管三个电极中，用G表示的电极称为( )。} A．控制极 B．漏极 C．源极 D．栅极 7、{场效应管三个电极中，用S表示的电极称为( )。} A．控制极 B．漏极 C．源极 D．栅极 8、{ NMOS场效应管的转移特性曲线反映的是( )之间的关系。} A．UDS与ID B．UBE与IB C．UCE与IC D．UGS与ID 9、{ 增强型NMOS效应管工作时，应加上( )栅源电压。} A．正向 B．反向 C．0 D．正向或反向 10、{NMOS场效应管三个电极中，用D表示的电极称为( )。} A．控制极 B．漏极 C．源极 D．栅极 11、{下列哪种元件可以用来实现NMOS驱动电路} A. 二极管 B. 晶体管 C. 电容器 D. 电阻 12、{在NMOS驱动电路中，N沟道MOSFET的导通状态是由什么信号控制的。} A. 输入电压 B. 输入电流 C. 控制信号 D. 输出电压 13、{在NMOS驱动电路中，如果控制信号为高电平NMOS管处于什么状态。} A. 关断状态 B. 开启状态 C. 截止状态 D. 放大状态 14、{下列哪个元件可以用来限制NMOS驱动电路中N沟道MOSFET的漏极电流。} A. 二极管 B. 电容器 C. 电阻 D. 晶体管 15、{下列哪种情况会导致NMOS驱动电路中N沟道MOSFET损坏} A. 控制信号为高电平 B. 控制信号为低电平 C. 漏极和源极之间电压超过额定值 D. 输入电压过低 二、判断题（共10题，每题4分，共40分） 16、{（）根据导电沟道的不同场效应管可分为N沟道和P沟道两类。} 17、{（）NMOS场效应管的输出特性曲线有可调电阻区、放大区和饱和区。} 18、{（）NMOS场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻。} 19、{（）NMOS场效应管存放时，栅极是允许悬空的。} 20、{（）通常情况下NMOS管源极与衬底是相连的。} 21、{（）NMOS仅表示增强型绝缘栅型场效应管。} 22、{（）NMOS驱动电路不可能出现三极管放大电路。} 23、{（）NMOS快速关断驱动电路中，快恢复二极管的作用是加速NMOS管导通与截止} 24、{（）NMOS直接驱动电路中并联在栅极与源极之间的电阻作用为限流。} 25、{（）NMOS推挽驱动电路中两个三极管在工作时一起导通，一起截止。} 第5页 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$黄洪刚工作室 班级 姓名 学号 --------⊙--------⊙--------⊙--------⊙--------密封线内请勿答题--------⊙--------⊙--------⊙--------⊙-------- 《电子技术基础与技能》 NMOS驱动电路原理理论 （满分100分 90分钟完成） 1、 选择题（ 共15题，每题4分，共60分） 1、{NMOS场效应管的线性放大区是( )。} A．可调电阻区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区 答案：B 2、{NMOS场效应管的主要特点是( )} A．输入电阻高 B．输入电阻小 C．躁声大 D．耗电大 答案：A 3、{NMOS场效应管的输入电阻为( )。} A．几十欧姆 B．可达1015欧姆 C．107～108欧姆 D．不可知 答案：B 4、{如图：1-12代表( )的符号。} A.增强型NMOS B.耗尽型PMOS C.增强型PMOS D.耗尽型NMOS 答案：A 5、{NMOS场效应管的跨导表征( )的控制作用。。} A．VDS对ID B．VGS对VDS C．VGS对ID D．IG对VDS 答案：C 6、{场效应管三个电极中，用G表示的电极称为( )。} A．控制极 B．漏极 C．源极 D．栅极 7、{场效应管三个电极中，用S表示的电极称为( )。} A．控制极 B．漏极 C．源极 D．栅极 答案：C 8、{ NMOS场效应管的转移特性曲线反映的是( )之间的关系。} A．UDS与ID B．UBE与IB C．UCE与IC D．UGS与ID 答案：D 9、{ 增强型NMOS效应管工作时，应加上( )栅源电压。} A．正向 B．反向 C．0 D．正向或反向 答案：A 10、{NMOS场效应管三个电极中，用D表示的电极称为( )。} A．控制极 B．漏极 C．源极 D．栅极 答案：B 11、{下列哪种元件可以用来实现NMOS驱动电路} A. 二极管 B. 晶体管 C. 电容器 D. 电阻 答案：B 12、{在NMOS驱动电路中，N沟道MOSFET的导通状态是由什么信号控制的。} A. 输入电压 B. 输入电流 C. 控制信号 D. 输出电压 答案：C 13、{在NMOS驱动电路中，如果控制信号为高电平NMOS管处于什么状态。} A. 关断状态 B. 开启状态 C. 截止状态 D. 放大状态 答案：B 14、{下列哪个元件可以用来限制NMOS驱动电路中N沟道MOSFET的漏极电流。} A. 二极管 B. 电容器 C. 电阻 D. 晶体管 答案：C 15、{下列哪种情况会导致NMOS驱动电路中N沟道MOSFET损坏} A. 控制信号为高电平 B. 控制信号为低电平 C. 漏极和源极之间电压超过额定值 D. 输入电压过低 答案：C 二、判断题（共10题，每题4分，共40分） 16、{（）根据导电沟道的不同场效应管可分为N沟道和P沟道两类。} 答案：对 17、{（）NMOS场效应管的输出特性曲线有可调电阻区、放大区和饱和区。} 答案：错 18、{（）NMOS场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻。} 答案：错 19、{（）NMOS场效应管存放时，栅极是允许悬空的。} 答案：错 20、{（）通常情况下NMOS管源极与衬底是相连的。} 答案：对 21、{（）NMOS仅表示增强型绝缘栅型场效应管。} 答案：错 22、{（）NMOS驱动电路不可能出现三极管放大电路。} 答案：错 23、{（）NMOS快速关断驱动电路中，快恢复二极管的作用是加速NMOS管导通与截止} 答案：对 24、{（）NMOS直接驱动电路中并联在栅极与源极之间的电阻作用为限流。} 答案：错 25、{（）NMOS推挽驱动电路中两个三极管在工作时一起导通，一起截止。} 答案：错 第5页 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$