内容正文:
制作人:李洪涛
NMOS驱动电路
名教师黄洪刚工作室
NMOS基本知识
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NMOS直接驱动电路
2
NMOS推挽驱动电路
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NMOS快速关断驱动电路
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目录
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一、NMOS基本知识
1.场效应晶体管(FET):利用输入回路的电场效应控制输出回路电流的半导体器件;
场效应管按结构分为结型和绝缘栅型两种;
2.绝缘栅型场效应晶体管:绝缘栅型场效应晶体管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用二氧化硅绝缘层隔离,又因栅极为金属铝,所以结构为金属-氧化物-半导体组成,故称为MOS管;
3.NMOS:绝缘栅型场效应晶体管分为N沟道增强型管、 N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管,其中N沟道型管统称为NMOS管;
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一、NMOS基础知识
4.NMOS管结构示意图与符号
N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管
结构示意图及电路符号
N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管
结构示意图及电路符号
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一、 NMOS基础知识
5.增强型NMOS管电压控制原理
在N沟道增强型场效晶体管的漏极d与源极s之间加上工作电压VDS后,管子的输出电流ID就受栅源电压VGS的控制。
当栅源之间的电压VGS=0时,由于漏极d与衬底B之间的PN结处于反向偏置,漏源极间无导电沟道,因此漏极电流ID=0,管子处于截止状态。
当VGS增加至某个临界电压VGS(th)时,感应电子层将两个分离的N+区接通,形成N型导电沟道,于是产生漏极电流ID,管子开始导通。
继续加大VGS,导电沟道就会愈宽,输出电流ID也就愈大。
增强型NMOS管的工作原理
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二、NMOS直接驱动电路
1.NMOS直接驱动电路结构
(1)电路组成:NMOS管、负载、泄放电阻R1
(2)电路连接关系:负载一端接NMOS管漏极,另一端接电源正极; NMOS管源极连接地端;泄放电阻R1连接NMOS管栅极与源极, NMOS管栅极连接控制信号CONTROL端。
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二、NMOS直接驱动电路
2. NMOS直接驱动电路元件作用
P1:作为NMOS驱动电路的负载;
Q1:NMOS管,通过栅极与源极之间电压控制漏极与源极之间的通断;
R1:泄放电阻,用来泄放GS极间的电荷
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二、NMOS直接驱动电路
2. NMOS直接驱动电路工作原理
CONTROL为控制信号,电平一般为3~12V;
CONTROL为高电平时,Vgs>NMOS的Vgs导通阀值,MOS管导通,负载工作。
CONTROL低电平时,Vgs=0,MOS管断开,负载不工作。
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三、NMOS推挽驱动电路
1.NMOS推挽驱动电路结构
(1)电路组成:NMOS管、负载、泄放电路R3、NPN三极管Q2、PNP三极管Q3、限流电阻R1、耦合电阻R2
(2)电路连接关系:负载一端接NMOS管漏极,另一端接电源正极; NMOS管源极连接地端;泄放电阻R1连接NMOS管栅极与源极,Q2与Q3基极相连作为驱动电路的控制信号端,发射极相连后连接NMOS管栅极。
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三、NMOS推挽驱动电路
2.NMOS推挽驱动电路元件作用
R1:为限流电阻,限制Q2与Q3基极电流大小
Q2、Q3:Q2与Q3为一对推挽管
P1:作为NMOS驱动电路的负载;
Q3:NMOS管,通过栅极与源极之间电压控制漏极与源极之间的通断;
R3:泄放电阻,用来泄放GS极间的电荷
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三、NMOS推挽驱动电路
3.NMOS推挽驱动电路工作原理
(1)当control端为高电平时,Q2导通,Q3截止,Q3导通,负载工作;
(2)当control端为低电平时,Q2截止,Q3导通,Q3迅速截止,由于Q3截止,负载停止工作;
(3)由于推挽管的电流放大作用,NMOS推挽驱动电路常用于驱动能力较弱的电路中
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三、NMOS快速关断驱动电路
1.NMOS快速关断驱动电路结构
(1)电路组成:NMOS管、负载、泄放电路R2、限流电阻R3,快恢复二极管D1,耦合电阻R1,
(2)电路连接关系:负载一端接NMOS管漏极,另一端接电源正极; NMOS管源极连接地端;泄放电阻R2连接NMOS管栅极与源极,电路的控制信号端通过耦合电阻连接MOS管栅极,快恢复二极管D1负极连接控制信号端,D1正极通过限流电阻连接MOS管栅极。
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三、NMOS快速关断驱动电路
2.NMOS快速关断驱动电路元件作用
P1:作为NMOS驱动电路的负载;
Q1:NMOS管,通过栅极与源极之间电压控制漏极与源极之间的通断;
R2:泄放电阻,用来泄放GS极间的电荷
R3:限流电阻,避免快恢复二极管D1过流损坏
D1:快恢复二极管,截止恢复到导通的时间极短
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三、NMOS快速关断驱动电路
3.NMOS快速关断驱动电路工作原理
(1)当control端为高电平时,D1截止,Q3导通,负载工作;
(2)当control端为低电平时,D1快速导通,Q1会迅速截止,由于Q1能够快速截止,所以负载能迅速停止工作;
(3) 一般NMOS驱动电路由于寄生电容的存在,驱动电路关断时间较长,所以 NMOS快速关断驱动电路应用于需要NMOS管迅速关断的场合
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例题分析
NMOS推挽驱动电路当control端为低电平时,NPN推挽管和NMOS管的状态分别为()。
A.均导通
B.均截止
C.导通、截止
D.截止、导通
解析:当control端为低电平时,NPN三极管发射结反偏
而截止,PNP三极管导通,NMOS管输入端为高电平,
NMOS管VGS大于Vth,MOS管导通,所以选D答案
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感谢您的聆听!
黄洪刚名教师工作室
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