2 NMOS驱动电路PPT

2024-07-09
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精品

资源信息

学段 中职
学科 职教专业课
课程 电子技术基础与技能
教材版本 -
年级 -
章节 -
类型 课件
知识点 -
使用场景 同步教学
学年 2024-2025
地区(省份) 全国
地区(市) -
地区(区县) -
文件格式 PPTX
文件大小 459 KB
发布时间 2024-07-09
更新时间 2024-07-09
作者 xkw_072178785
品牌系列 上好课·上好课
审核时间 2024-07-09
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来源 学科网

内容正文:

制作人:李洪涛 NMOS驱动电路 名教师黄洪刚工作室 NMOS基本知识 1 NMOS直接驱动电路 2 NMOS推挽驱动电路 3 NMOS快速关断驱动电路 4 目录 2 一、NMOS基本知识 1.场效应晶体管(FET):利用输入回路的电场效应控制输出回路电流的半导体器件; 场效应管按结构分为结型和绝缘栅型两种; 2.绝缘栅型场效应晶体管:绝缘栅型场效应晶体管的栅极与源极、栅极与漏极之间均采用二氧化硅绝缘层隔离,又因栅极为金属铝,所以结构为金属-氧化物-半导体组成,故称为MOS管; 3.NMOS:绝缘栅型场效应晶体管分为N沟道增强型管、 N沟道耗尽型管、P沟道增强型管、P沟道耗尽型管,其中N沟道型管统称为NMOS管; 3 一、NMOS基础知识 4.NMOS管结构示意图与符号 N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管 结构示意图及电路符号 N沟道耗尽型绝缘栅场效应晶体管 结构示意图及电路符号 4 一、 NMOS基础知识 5.增强型NMOS管电压控制原理 在N沟道增强型场效晶体管的漏极d与源极s之间加上工作电压VDS后,管子的输出电流ID就受栅源电压VGS的控制。 当栅源之间的电压VGS=0时,由于漏极d与衬底B之间的PN结处于反向偏置,漏源极间无导电沟道,因此漏极电流ID=0,管子处于截止状态。 当VGS增加至某个临界电压VGS(th)时,感应电子层将两个分离的N+区接通,形成N型导电沟道,于是产生漏极电流ID,管子开始导通。 继续加大VGS,导电沟道就会愈宽,输出电流ID也就愈大。 增强型NMOS管的工作原理 5 二、NMOS直接驱动电路 1.NMOS直接驱动电路结构 (1)电路组成:NMOS管、负载、泄放电阻R1 (2)电路连接关系:负载一端接NMOS管漏极,另一端接电源正极; NMOS管源极连接地端;泄放电阻R1连接NMOS管栅极与源极, NMOS管栅极连接控制信号CONTROL端。 6 二、NMOS直接驱动电路 2. NMOS直接驱动电路元件作用 P1:作为NMOS驱动电路的负载; Q1:NMOS管,通过栅极与源极之间电压控制漏极与源极之间的通断; R1:泄放电阻,用来泄放GS极间的电荷 7 二、NMOS直接驱动电路 2. NMOS直接驱动电路工作原理 CONTROL为控制信号,电平一般为3~12V; CONTROL为高电平时,Vgs>NMOS的Vgs导通阀值,MOS管导通,负载工作。 CONTROL低电平时,Vgs=0,MOS管断开,负载不工作。 8 三、NMOS推挽驱动电路 1.NMOS推挽驱动电路结构 (1)电路组成:NMOS管、负载、泄放电路R3、NPN三极管Q2、PNP三极管Q3、限流电阻R1、耦合电阻R2 (2)电路连接关系:负载一端接NMOS管漏极,另一端接电源正极; NMOS管源极连接地端;泄放电阻R1连接NMOS管栅极与源极,Q2与Q3基极相连作为驱动电路的控制信号端,发射极相连后连接NMOS管栅极。 9 三、NMOS推挽驱动电路 2.NMOS推挽驱动电路元件作用 R1:为限流电阻,限制Q2与Q3基极电流大小 Q2、Q3:Q2与Q3为一对推挽管 P1:作为NMOS驱动电路的负载; Q3:NMOS管,通过栅极与源极之间电压控制漏极与源极之间的通断; R3:泄放电阻,用来泄放GS极间的电荷 10 三、NMOS推挽驱动电路 3.NMOS推挽驱动电路工作原理 (1)当control端为高电平时,Q2导通,Q3截止,Q3导通,负载工作; (2)当control端为低电平时,Q2截止,Q3导通,Q3迅速截止,由于Q3截止,负载停止工作; (3)由于推挽管的电流放大作用,NMOS推挽驱动电路常用于驱动能力较弱的电路中 11 三、NMOS快速关断驱动电路 1.NMOS快速关断驱动电路结构 (1)电路组成:NMOS管、负载、泄放电路R2、限流电阻R3,快恢复二极管D1,耦合电阻R1, (2)电路连接关系:负载一端接NMOS管漏极,另一端接电源正极; NMOS管源极连接地端;泄放电阻R2连接NMOS管栅极与源极,电路的控制信号端通过耦合电阻连接MOS管栅极,快恢复二极管D1负极连接控制信号端,D1正极通过限流电阻连接MOS管栅极。 12 三、NMOS快速关断驱动电路 2.NMOS快速关断驱动电路元件作用 P1:作为NMOS驱动电路的负载; Q1:NMOS管,通过栅极与源极之间电压控制漏极与源极之间的通断; R2:泄放电阻,用来泄放GS极间的电荷 R3:限流电阻,避免快恢复二极管D1过流损坏 D1:快恢复二极管,截止恢复到导通的时间极短 13 三、NMOS快速关断驱动电路 3.NMOS快速关断驱动电路工作原理 (1)当control端为高电平时,D1截止,Q3导通,负载工作; (2)当control端为低电平时,D1快速导通,Q1会迅速截止,由于Q1能够快速截止,所以负载能迅速停止工作; (3) 一般NMOS驱动电路由于寄生电容的存在,驱动电路关断时间较长,所以 NMOS快速关断驱动电路应用于需要NMOS管迅速关断的场合 14 例题分析 NMOS推挽驱动电路当control端为低电平时,NPN推挽管和NMOS管的状态分别为()。 A.均导通 B.均截止 C.导通、截止 D.截止、导通 解析:当control端为低电平时,NPN三极管发射结反偏 而截止,PNP三极管导通,NMOS管输入端为高电平, NMOS管VGS大于Vth,MOS管导通,所以选D答案 15 感谢您的聆听! 黄洪刚名教师工作室 16 $$

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