《电子技术模块》半导体器件的基础知识-知识点训练卷 湖南省电子电工类专业 考纲百套卷第42卷

编写说明：《电子电工类考纲百套卷》依据湖南省《电子电工类专业知识考试标准》编写，本套试卷共108份，分为三个部分，第一部分是知识点训练卷，每个考点2-8份试卷共82份，第二部分是常考题训练卷，考纲有2个知识模块，2个专业选考课程，每个知识模块6份训练卷，每个专业选考课程2份训练卷共16份，第三个部分是专业综合训练卷，参考历年电子电工类专业真题试卷，编写了10份。 本试卷是《电子电工类考纲百套卷》的第42卷，是第一部分知识点训练卷，按考纲中电子技术模块部分——半导体器件的基础知识的一点范围要求编写。其一点要求是：元器件的识别与应用：认识二极管、三极管、场效应管的基本图形、符号；能使用万用表判别二极管的极性和三极管的类型及管脚；会根据三极管的特性曲线来选择三极管。 湖南省《电子电工类考纲百套卷》 第42卷 电子技术模块 半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 1. 半导体中自由电子和空穴的数量相等，这种半导体称为________。 2. 半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”，称为________。 3. 在本征半导体中加入微量的硼元素可产生________，其多子为________，即：自由电子的数目________空穴的数目；在本征半导体中加入微量的磷元素可产生________，其多子为________，即：空穴的数目________自由电子的数目。 4. 在P型半导体中，________是多数载流子；在N型半导体中，________是多数载流子。 5. 半导体集成电路按照集成度可分为小规模集成电路、中规模集成电路、______和超大规模集成电路。 6. 在半导体工艺中，掺杂的杂质原子可以是______或Ⅴ族元素。 7. 半导体材料的导电性介于导体和______之间。 8. 在半导体中，电子是带______电的粒子。 9. 使用万用表判别二极管极性时，当表笔接触到二极管的______极时，万用表显示正向导通电压；当表笔接触到二极管的______极时，万用表显示高阻值。 10. 在三极管的特性曲线中，当工作点位于______区域时，晶体管处于放大状态；当工作点位于______区域时，晶体管处于饱和状态。 二、单项选择题（本大题共16小题，每题3分，共48分） 1.构成半导体二极管的 PN 结的数目是（ ）。 A.4 B.3 C.2 D.1 2.如图所示电路，二极管VD1和VD2的工作状态为（ ） A.VD1、VD2都截止 B.VD1截止、VD2导通 C.VD1、VD2都导通 D.VD2截止、VD1导通 3.如图所示，假设二极管正向电阻为零、反向电阻为无穷大，则电压 Uab 是（ ）。 A.-3V B.5V C.8V D.-8V 4.关于品体管放大作用的实质，下列说法正确的是（ ）。 A.晶体管可以把小能量放大成大能量 B.晶体管可以把小电流放大成大电流 C.品体管可以把小电压放大成大电压c. D.品体管可以用较小电流控制较大的电流 5. 关于二极管的描述，错误的是（ ）。 A. 二极管具有非线性特性 B. 二极管可以用来整流 C. 二极管可以作为放大器使用 D. 二极管在正向偏置时电阻为零 6. 发光二极管（LED）的主要特点是（ ）。 A. 低亮度 B. 低电压 C. 高响应速度 D. 高电阻 7.某场效应管的转移特性如图所示，该管为( ) A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 8. 发光二极管（LED）的颜色主要由（ ）决定。 A. 工作电压 B. 工作电流 C. 材料 D. 环境温度 9. 以下哪个参数不是稳压二极管的主要参数（ ）。 A. 稳定电压 B. 最大耗散功率 C. 正向压降 D. 反向漏电流 10. 发光二极管（LED）在电路中通常需要串联一个（ ）元件来限制电流。 A. 电阻 B. 电容 C. 电感 D. 变压器 11. 晶体管的哪个区域用于控制电流（ ）。 A. 发射区 B. 基区 C. 集电区 D. 所有区域 12. 晶体管在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是（ ）。 A. 集电极电流远大于基极电流 B. 集电极电流等于基极电流 C. 集电极电流小于基极电流 D. 无法确定 13.场效应管的符号如图所示，它是( ) A.P沟道增强型MOSFET B.N沟道耗尽型MOSFET C.N沟道JFET D.N沟道增强型MOSFET 14. 下列哪项是晶体管的主要功能？（ ） A. 整流 B. 稳压 C. 放大 D. 滤波 15. 在晶体管中，哪个参数表示其放大能力？（ ） A. 电流放大倍数 B. 电阻 C. 电容 D. 功耗 16. 下列关于半导体存储器的说法，哪个是正确的？（ ） A. 所有半导体存储器都是易失性的 B. 所有半导体存储器都是非易失性的 C. RAM是易失性的，ROM是非易失性的 D. ROM是易失性的，RAM是非易失性的 三、计算题（本题共5分） 1. 一个NPN型三极管的β值为100，如果在基极加一个10μA的电流，求集电极电流。 四、综合应用题（本大题共3小题，每题9分，共27分） 1.如图所示为某同学设计的品闸管防盗图原理图，试说明当 AB 导线(作警成用)被弄断时报警器为什么会发出警报?。 2.正确使用晶闸管应该注意哪些事项？ 3.如图所示，此电路是测量二极管伏安特性的原理图。试回答：(1)电路中R的作用是什么?(2)电位器Rp向上移动时，电压表、电流表的示数如何变化? 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：《电子电工类考纲百套卷》依据湖南省《电子电工类专业知识考试标准》编写，本套试卷共108份，分为三个部分，第一部分是知识点训练卷，每个考点2-8份试卷共82份，第二部分是常考题训练卷，考纲有2个知识模块，2个专业选考课程，每个知识模块6份训练卷，每个专业选考课程2份训练卷共16份，第三个部分是专业综合训练卷，参考历年电子电工类专业真题试卷，编写了10份。 本试卷是《电子电工类考纲百套卷》的第42卷，是第一部分知识点训练卷，按考纲中电子技术模块部分——半导体器件的基础知识的一点范围要求编写。其一点要求是：元器件的识别与应用：认识二极管、三极管、场效应管的基本图形、符号；能使用万用表判别二极管的极性和三极管的类型及管脚；会根据三极管的特性曲线来选择三极管。 湖南省《电子电工类考纲百套卷》 第42卷 电子技术模块 半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 1. 半导体中自由电子和空穴的数量相等，这种半导体称为________。 【答案】本征半导体 2. 半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”，称为________。 【答案】载流子 3. 在本征半导体中加入微量的硼元素可产生________，其多子为________，即：自由电子的数目________空穴的数目；在本征半导体中加入微量的磷元素可产生________，其多子为________，即：空穴的数目________自由电子的数目。 【答案】P型半导体 空穴 少于 N型半导体 自由电子 少于 4. 在P型半导体中，________是多数载流子；在N型半导体中，________是多数载流子。 【答案】空穴 自由电子 5. 半导体集成电路按照集成度可分为小规模集成电路、中规模集成电路、______和超大规模集成电路。 【答案】大规模集成电路 6. 在半导体工艺中，掺杂的杂质原子可以是______或Ⅴ族元素。 【答案】Ⅲ族 7. 半导体材料的导电性介于导体和______之间。 【答案】绝缘体 8. 在半导体中，电子是带______电的粒子。 【答案】负 9. 使用万用表判别二极管极性时，当表笔接触到二极管的______极时，万用表显示正向导通电压；当表笔接触到二极管的______极时，万用表显示高阻值。 【答案】当表笔接触到二极管的正（Anode）极时，万用表显示正向导通电压；当表笔接触到二极管的负（Cathode）极时，万用表显示高阻值。 10. 在三极管的特性曲线中，当工作点位于______区域时，晶体管处于放大状态；当工作点位于______区域时，晶体管处于饱和状态。 【答案】当工作点位于放大（Active）区域时，晶体管处于放大状态；当工作点位于饱和（Saturation）区域时，晶体管处于饱和状态。 二、单项选择题（本大题共16小题，每题3分，共48分） 1.构成半导体二极管的 PN 结的数目是（ ）。 A.4 B.3 C.2 D.1 【答案】D 2.如图所示电路，二极管VD1和VD2的工作状态为（ ） A.VD1、VD2都截止 B.VD1截止、VD2导通 C.VD1、VD2都导通 D.VD2截止、VD1导通 【答案】C 3.如图所示，假设二极管正向电阻为零、反向电阻为无穷大，则电压 Uab 是（ ）。 A.-3V B.5V C.8V D.-8V 【答案】D 4.关于品体管放大作用的实质，下列说法正确的是（ ）。 A.晶体管可以把小能量放大成大能量 B.晶体管可以把小电流放大成大电流 C.品体管可以把小电压放大成大电压c. D.品体管可以用较小电流控制较大的电流 【答案】D 5. 关于二极管的描述，错误的是（ ）。 A. 二极管具有非线性特性 B. 二极管可以用来整流 C. 二极管可以作为放大器使用 D. 二极管在正向偏置时电阻为零 【答案】D 6. 发光二极管（LED）的主要特点是（ ）。 A. 低亮度 B. 低电压 C. 高响应速度 D. 高电阻 【答案】C 7.某场效应管的转移特性如图所示，该管为( ) A.P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管 C.N沟道增强型MOS管 D.N沟道耗尽型MOS管 【答案】D 8. 发光二极管（LED）的颜色主要由（ ）决定。 A. 工作电压 B. 工作电流 C. 材料 D. 环境温度 【答案】C 9. 以下哪个参数不是稳压二极管的主要参数（ ）。 A. 稳定电压 B. 最大耗散功率 C. 正向压降 D. 反向漏电流 【答案】C 10. 发光二极管（LED）在电路中通常需要串联一个（ ）元件来限制电流。 A. 电阻 B. 电容 C. 电感 D. 变压器 【答案】A 11. 晶体管的哪个区域用于控制电流（ ）。 A. 发射区 B. 基区 C. 集电区 D. 所有区域 【答案】B 12. 晶体管在放大状态时，其集电极电流与基极电流的关系是（ ）。 A. 集电极电流远大于基极电流 B. 集电极电流等于基极电流 C. 集电极电流小于基极电流 D. 无法确定 【答案】A 13.场效应管的符号如图所示，它是( ) A.P沟道增强型MOSFET B.N沟道耗尽型MOSFET C.N沟道JFET D.N沟道增强型MOSFET 【答案】B 14. 下列哪项是晶体管的主要功能？（ ） A. 整流 B. 稳压 C. 放大 D. 滤波 【答案】C 15. 在晶体管中，哪个参数表示其放大能力？（ ） A. 电流放大倍数 B. 电阻 C. 电容 D. 功耗 【答案】A 16. 下列关于半导体存储器的说法，哪个是正确的？（ ） A. 所有半导体存储器都是易失性的 B. 所有半导体存储器都是非易失性的 C. RAM是易失性的，ROM是非易失性的 D. ROM是易失性的，RAM是非易失性的 【答案】C 三、计算题（本题共5分） 1. 一个NPN型三极管的β值为100，如果在基极加一个10μA的电流，求集电极电流。 【答案】集电极电流 Ic = β * Ib = 100 * 10μA = 1mA 四、综合应用题（本大题共3小题，每题9分，共27分） 1.如图所示为某同学设计的品闸管防盗图原理图，试说明当 AB 导线(作警成用)被弄断时报警器为什么会发出警报?。 【答案】AB 接通时，品闸管门极无触发电压而截止:AB 断开时，两电阻分压，门极获触发电压后晶闸管导通，报擎。 2.正确使用晶闸管应该注意哪些事项？ 【答案】由于晶闸管的过电流、过电压承受能力比一般电机电器产品要小的多，使用中除了要采取必要的过电流、过电压等保护措施外，在选择晶闸管额定电压、电流时还应留有足够的安全余量。另外，使用中的晶闸管时还应严格遵守规定要求。此外，还要定期对设备进行维护，如清除灰尘、拧紧接触螺钉等。严禁用兆欧表检查晶闸管的绝缘情况。 3.如图所示，此电路是测量二极管伏安特性的原理图。试回答：(1)电路中R的作用是什么?(2)电位器Rp向上移动时，电压表、电流表的示数如何变化? 【答案】（1）限流作用；（2）电流表读数增大，电压表读数不变 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$