6.1 二极管（同步练习）-《电工电子技术与技能》同步精品课堂（高教版）

第六章 常用半导体器件 6.1 二极管 同步练习 【基础巩固】 1. PN结是指： A. 两个N型半导体材料连接而成 B. 一个P型半导体材料和一个N型半导体材料连接而成 C. 两个P型半导体材料连接而成 D. 一个P型和两个N型半导体材料连接而成 2. 二极管的导电特性中，正向导通时二极管的电阻是： A. 非常大 B. 非常小 C. 逐渐增大 D. 保持不变 3. 二极管的伏安特性曲线近似为： A. 高阶多项式 B. 直线 C. 抛物线 D. 正弦曲线 4. 以下哪种二极管适用于高频电路？ A. 功率二极管 B. 层压二极管 C. 快恢复二极管 D. 肖特基二极管 5. 二极管引脚的识别中，长引脚通常表示： A. 阳极 B. 阴极 C. 门极 D. 基极 6. 二极管的主要参数中，最大耗散功率的单位是： A. 安培 B. 伏特 C. 瓦特 D. 欧姆 【能力进阶】 填空题： 1. PN结是由_______和_______连接而成的结构。 2. 二极管的导电特性中，在正向电压作用下，二极管的电阻非常_______。 3. 二极管的伏安特性通常展现为近似的_______特性。 4. 二极管的最大耗散功率是指二极管能够承受的最大_______功率。 5. LED 是利用_______来实现发光的。 6. 二极管引脚的识别中，长引脚通常表示_______。 【素养提升】 1. 生活中常见的LED是利用什么发光原理的？ A. 光电效应 B. 电致发光效应 C. 热致发光效应 D. 压电效应 2.以下哪种二极管可以用来制作整流电路？ A. 齐纳二极管 B. 肖特基二极管 C. 二极管敏感型 D. 发光二极管 2、 计算题 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 第六章 常用半导体器件 6.1 二极管 同步练习 【基础巩固】 1. PN结是指： A. 两个N型半导体材料连接而成 B. 一个P型半导体材料和一个N型半导体材料连接而成 C. 两个P型半导体材料连接而成 D. 一个P型和两个N型半导体材料连接而成 答案：B。PN结是由P型半导体和N型半导体连接而成的结构。 2. 二极管的导电特性中，正向导通时二极管的电阻是： A. 非常大 B. 非常小 C. 逐渐增大 D. 保持不变 答案：B。在正向导通状态下，二极管的电阻非常小。 3. 二极管的伏安特性曲线近似为： A. 高阶多项式 B. 直线 C. 抛物线 D. 正弦曲线 答案：B。二极管的伏安特性曲线在正向导通时近似为一条直线。 4. 以下哪种二极管适用于高频电路？ A. 功率二极管 B. 层压二极管 C. 快恢复二极管 D. 肖特基二极管 答案：D。肖特基二极管适用于高频电路。 5. 二极管引脚的识别中，长引脚通常表示： A. 阳极 B. 阴极 C. 门极 D. 基极 答案：A。在二极管引脚中，长引脚通常表示阳极。 6. 二极管的主要参数中，最大耗散功率的单位是： A. 安培 B. 伏特 C. 瓦特 D. 欧姆 答案：C。最大耗散功率的单位是瓦特。 【能力进阶】 填空题： 1. PN结是由_______和_______连接而成的结构。 解析：PN结是由P型半导体和N型半导体连接而成的结构，通过这种结构形成了二极管的基本单元。 2. 二极管的导电特性中，在正向电压作用下，二极管的电阻非常_______。 解析：在二极管的正向导通状态下，由于载流子的注入，二极管的电阻非常小。 3. 二极管的伏安特性通常展现为近似的_______特性。 解析：在正向导通状态下，二极管的伏安特性曲线近似为一条直线。 4. 二极管的最大耗散功率是指二极管能够承受的最大_______功率。 解析：最大耗散功率是指二极管在正常工作状态下能够承受的最大功率。 5. LED 是利用_______来实现发光的。 解析：LED 是利用电致发光效应，即电流通过时发光的效应来实现发光的。 6. 二极管引脚的识别中，长引脚通常表示_______。 解析：在二极管引脚中，长引脚通常表示阳极，而短引脚则表示阴极。 【素养提升】 1. 生活中常见的LED是利用什么发光原理的？ A. 光电效应 B. 电致发光效应 C. 热致发光效应 D. 压电效应 答案：B。LED是利用电致发光效应来发光的。 2.以下哪种二极管可以用来制作整流电路？ A. 齐纳二极管 B. 肖特基二极管 C. 二极管敏感型 D. 发光二极管 答案：A。齐纳二极管常用于整流电路。 2、 计算题 1.什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压值约为多少？ 解析：二极管的死区电压是指在外加正向电压时，正向电流几乎为的区域。由于外电压很小，形成 的外电场比 PN 结内电场弱，载流子不能克服内电场的阻力而流动，所以此时电流几乎为零，形成了死区电压。硅管的死区电压约为 0.5V，锗管的死区电压约为 0.2V。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$