内容正文:
编写说明:《机电技术类考纲百套卷》,是依据山东省职教高考《机电技术类专业知识考试标准》编写,本套试卷共104份,由三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识点训练卷,共80份;第二部分是常考题训练卷,每个知识模块2份训练卷七个模块共14份;第三个部分是专业综合训练卷,参考历年来机械制造类专业知识真题试卷,编写的10份专业综合训练卷。
本试卷是《机电技术类考纲百套卷》知识点训练卷的第55卷,按知识模块6 电子技术基础—1.常用半导体器件的七点范围要求编写。其七点要求是:(1)了解低频信号发生器的使用方法。(2)掌握示波器的使用方法,能正确观测电路的波形。(3)了解二极管单向导电性、伏安特性、主要参数,会用万用表判别二极管的管脚极性。(4)理解三极管的基本构造、电流放大作用、伏安特性和主要参数。(5)会用万用表判别三极管的管型及管脚极性。(6)了解单向晶闸管的结构、工作特性和主要参数。(7)会用万用表判别单向晶闸管的管脚极性。
山东省《机电技术类考纲百套卷》 第55卷
知识模块6 电子技术基础
1.常用半导体器件 知识点训练卷
一、单项选择题(本大题共25小题,每题2分,共50分)
1.硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线如图所示,其中锗二极管的伏安特性曲线是( )
A.AOD
B.AOC
C.BOC
D.BOD
【答案】D
2.用万用表的欧姆档测量小功率二极管的极性及质量时,应把欧姆档拨到( )
A. RX100或 Rx1K
B. Rx10
C. RX1
D. RX10K
【答案】A
3.下列硅二极管中质量最好的是( )
A.正向电阻为1kΩ,反向电阻为100kΩ
B.正向电阻为50kΩ,反向电阻为100kΩ
C.正反向电阻均为无穷大
D.正向电阻为20kΩ,反向电阻为20kΩ
【答案】A
4.硅二极管两端加正向电压时( )
A.不论电压大小立即导通
B.超过0.3V时才导通
C.超过0.1V时才导通
D.超过0.5V时才导通
【答案】D
5.构成半导体二极管的 PN 结的数目是 ( )
A.4
B.3
C.2
D.1
【答案】D
6.PN 结具有单向导电性,即电流只能是( )
A. 从发射区流向集电区
B. 从 P 区流向N 区
C. 从N 区流向 P 区
D. 从集电区流向发射区
【答案】B
7.用指针式万用表检测普通二极管的极性,操作正确的是( )
A. 选用R×10挡
B. 选用R×10K 挡
C. 选用R×100挡
D. 选用R×1 挡
【答案】C
8. 型号为2CW 系列的二极管是 ( )
A. 普通管
B. 整流管
C. 开关管
D. 稳压管
【答案】D
9.硅二极管的正极电位是-10V, 负极电位是-10.7V, 则该二极管的工作状态是( )
A. 截止
B. 导通
C. 击穿
D. 饱和
【答案】A
10.用万用表的R×100挡和R×1K 挡测量二极管的正向电阻阻值不一样,原因是( )
A. 二极管是大功率的
B. 二极管性能不稳
C. 二极管是非线性器件
D. 不同倍率测量
【答案】C
11.硅和锗二极管的死区电压约为( )
A.0.7V,0.3V
B.0.3V,0.5V
C.0.5V,0.2V
D.0.3V,0.7V
【答案】C
12.测量二极管反向电阻时,不小心用手捏住两管脚,其测量值 ( )
A. 不变
B. 变小
C. 变大
D. 先变小后变大
【答案】C
13.关于半导体二极管,叙述正确的是 ( )
A. 工作特性与温度无关
B. 反向饱和电流越大越好
C. 导通管压降与电流成正比
D. 正向电压超过死区电压时导通
【答案】D
14.关于半导体,下列说法正确的是 ( )
A. N型半导体多数载流子是电子,所以它带负电
B. 在硅或锗材料中掺入5价元素可形成P 型半导体
C. 半导体材料掺杂后依然呈电中性
D. 把一块P 型半导体和一块N型半导体放在一起就会形成PN 结
【答案】C
15.当硅二极管加上0.3V 正向电压时,该二极管呈现 ( )
A. 小阻值
B. 大阻值
C. 阻值为0
D. 阻值为
【答案】B
16.当晶体三极管的两个 PN 结都正偏时,则三极管处于( )
A. 放大状态
B. 饱和状态
C. 截止状态
D. 中断状态
【答案】B
17.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小,则该管( )
A. 两个 PN 结均开路
B. 两个PN 结均击穿
C. 发射结击穿,集电结正常
D. 发射结正常,集电结击穿
【答案】B
18.晶体管的Pcm=100mW,Icm=20mA,U(BRCEO)=30V, 如果接在Ic=15mA,
Uce=20V的电路中,则该管 ( )
A. 工作正常
B. 被击穿
C. 功耗太大过热甚至损坏
D. 放大能力下降
【答案】C
19.在检测正常三极管管脚极性时,万用表红表笔固定在某一管脚,黑表笔分别接触另外两管脚,两次阻值均较小,则红表笔所接管脚及三极管类型为 ( )
A. 基极 NPN型
B. 基极 PNP型
C. 发射极 NPN型
D. 发射极 PNP 型
【答案】A
20.三极管的电流放大作用是指 ( )
A. 集电极电流很大
B. 发射极电流很大
C. 基极电流很小
D. 基极电流微小变化引起集电极电流较大变化
【答案】D
21.晶体管的集电极电流Ic大于它的集电极最大允许电流Icm, 则该管( )
A. 被烧坏
B. 被击穿
C. 电流放大能力下降
D. 正常
【答案】C
22.用万用欧姆表挡R×1K 测量一只能正常放大的晶体管,若红表笔接触一只管脚,黑表笔接触另两只管脚时测得的电阻均较大,则该晶体管是 ( )
A. NPN型
B. PNP型
C.无法确定
D.该管子内部断路
【答案】C
23.3AX31是( )三极管
A.NPN型锗材料、高频小功率
B.PNP型锗材料、低频小功率
C.PNP型硅材料、低频小功率
D.NPN型锗材料、低频小功率
【答案】B
24.实践中判断三极管是否饱和,最简单可靠的方法是测量( )
A.IB
B.Ic
C.UBE
D.UCE
【答案】D
25.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用( )档
A.R×1
B.R×10
C.R×100 或R×1K
D.R×10K
【答案】B
二、简答题(本大题共5小题,每题10分,共50分)
1.电路如图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,试判断二极管的工作状态, 并求出 A 、B 两点间的输出电压UAB。
【答案】(1)设想把二极管 VD移去,如图所示,若取B点为参考点,则Vc= -3V,VD=-8V, 因为Vc> VD, 故二极管接入时为正向偏置,将导通。(2)因为二极管正向电阻为零,所以二极管导通后管压降为零。即UAB= -3V
2.如何用万用表测量一个没有标明极性的二极管,并判断为何种材料制成以及质量好坏。
【答案】答:将万用表置于R×100K,将两表笔分别接二极管的两极,测得一次电阻值较小,一次电阻值较大 (两次相差几百倍) ,较小的一次为正向电阻,黑表笔(—表)是二极管的正极(注意:万用表的黑表笔与表内的电池正极相连) ;用测量管压降的方法来判断,硅管压降约0.5—0.7V,锗管压降约0.1—0.3V;正向电阻越小越好,反向电阻越大越好,当两者都很小时,内部短路,当两者都很大时,内部断路。
3.晶闸管的正常导通条件是什么?晶闸管的关断条件是什么?如何实现?。
【答案】:当晶闸管阳极上加有正向电压的同时,在门极上施加适当的触发电压,晶闸管就正常导通;当晶闸管的阳极电流小于维持电流时,就关断。只要让加在晶闸管两端的阳极电压减小到零或让其反向,就可以让晶闸管关断。
4.对晶闸管的触发电路有哪些要求?
【答案】答:为了让晶闸管变流器准确无误地工作要求触发电路送出的触发信号应有足够大的电压和功率;门极正向偏压愈小愈好;触发脉冲的前沿要陡、宽度应满足要求;要能满足主电路移相范围的要求;触发脉冲必须与晶闸管的阳极电压取得同步。
5.正确使用晶闸管应该注意哪些事项?
【答案】由于晶闸管的过电流、过电压承受能力比一般电机电器产品要小的多,使用中除了要采取必要的过电流、过电压等保护措施外,在选择晶闸管额定电压、电流时还应留有足够的安全余量。另外,使用中的晶闸管时还应严格遵守规定要求。此外,还要定期对设备进行维护,如清除灰尘、拧紧接触螺钉等。严禁用兆欧表检查晶闸管的绝缘情况。
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编写说明:《机电技术类考纲百套卷》,是依据山东省职教高考《机电技术类专业知识考试标准》编写,本套试卷共104份,由三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识点训练卷,共80份;第二部分是常考题训练卷,每个知识模块2份训练卷七个模块共14份;第三个部分是专业综合训练卷,参考历年来机械制造类专业知识真题试卷,编写的10份专业综合训练卷。
本试卷是《机电技术类考纲百套卷》知识点训练卷的第55卷,按知识模块6 电子技术基础—1.常用半导体器件的七点范围要求编写。其七点要求是:(1)了解低频信号发生器的使用方法。(2)掌握示波器的使用方法,能正确观测电路的波形。(3)了解二极管单向导电性、伏安特性、主要参数,会用万用表判别二极管的管脚极性。(4)理解三极管的基本构造、电流放大作用、伏安特性和主要参数。(5)会用万用表判别三极管的管型及管脚极性。(6)了解单向晶闸管的结构、工作特性和主要参数。(7)会用万用表判别单向晶闸管的管脚极性。
山东省《机电技术类考纲百套卷》 第55卷
知识模块6 电子技术基础
1.常用半导体器件 知识点训练卷
一、单项选择题(本大题共25小题,每题2分,共50分)
1.硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线如图所示,其中锗二极管的伏安特性曲线是( )
A.AOD
B.AOC
C.BOC
D.BOD
2.用万用表的欧姆档测量小功率二极管的极性及质量时,应把欧姆档拨到( )
A. RX100或 Rx1K
B. Rx10
C. RX1
D. RX10K
3.下列硅二极管中质量最好的是( )
A.正向电阻为1kΩ,反向电阻为100kΩ
B.正向电阻为50kΩ,反向电阻为100kΩ
C.正反向电阻均为无穷大
D.正向电阻为20kΩ,反向电阻为20kΩ
4.硅二极管两端加正向电压时( )
A.不论电压大小立即导通
B.超过0.3V时才导通
C.超过0.1V时才导通
D.超过0.5V时才导通
5.构成半导体二极管的 PN 结的数目是 ( )
A.4
B.3
C.2
D.1
6.PN 结具有单向导电性,即电流只能是( )
A. 从发射区流向集电区
B. 从 P 区流向N 区
C. 从N 区流向 P 区
D. 从集电区流向发射区
7.用指针式万用表检测普通二极管的极性,操作正确的是( )
A. 选用R×10挡
B. 选用R×10K 挡
C. 选用R×100挡
D. 选用R×1 挡
8. 型号为2CW 系列的二极管是 ( )
A. 普通管
B. 整流管
C. 开关管
D. 稳压管
9.硅二极管的正极电位是-10V, 负极电位是-10.7V, 则该二极管的工作状态是( )
A. 截止
B. 导通
C. 击穿
D. 饱和
10.用万用表的R×100挡和R×1K 挡测量二极管的正向电阻阻值不一样,原因是( )
A. 二极管是大功率的
B. 二极管性能不稳
C. 二极管是非线性器件
D. 不同倍率测量
11.硅和锗二极管的死区电压约为( )
A.0.7V,0.3V
B.0.3V,0.5V
C.0.5V,0.2V
D.0.3V,0.7V
12.测量二极管反向电阻时,不小心用手捏住两管脚,其测量值 ( )
A. 不变
B. 变小
C. 变大
D. 先变小后变大
13.关于半导体二极管,叙述正确的是 ( )
A. 工作特性与温度无关
B. 反向饱和电流越大越好
C. 导通管压降与电流成正比
D. 正向电压超过死区电压时导通
14.关于半导体,下列说法正确的是 ( )
A. N型半导体多数载流子是电子,所以它带负电
B. 在硅或锗材料中掺入5价元素可形成P 型半导体
C. 半导体材料掺杂后依然呈电中性
D. 把一块P 型半导体和一块N型半导体放在一起就会形成PN 结
15.当硅二极管加上0.3V 正向电压时,该二极管呈现 ( )
A. 小阻值
B. 大阻值
C. 阻值为0
D. 阻值为
16.当晶体三极管的两个 PN 结都正偏时,则三极管处于( )
A. 放大状态
B. 饱和状态
C. 截止状态
D. 中断状态
17.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小,则该管( )
A. 两个 PN 结均开路
B. 两个PN 结均击穿
C. 发射结击穿,集电结正常
D. 发射结正常,集电结击穿
18.晶体管的Pcm=100mW,Icm=20mA,U(BRCEO)=30V, 如果接在Ic=15mA,
Uce=20V的电路中,则该管 ( )
A. 工作正常
B. 被击穿
C. 功耗太大过热甚至损坏
D. 放大能力下降
19.在检测正常三极管管脚极性时,万用表红表笔固定在某一管脚,黑表笔分别接触另外两管脚,两次阻值均较小,则红表笔所接管脚及三极管类型为 ( )
A. 基极 NPN型
B. 基极 PNP型
C. 发射极 NPN型
D. 发射极 PNP 型
20.三极管的电流放大作用是指 ( )
A. 集电极电流很大
B. 发射极电流很大
C. 基极电流很小
D. 基极电流微小变化引起集电极电流较大变化
21.晶体管的集电极电流Ic大于它的集电极最大允许电流Icm, 则该管( )
A. 被烧坏
B. 被击穿
C. 电流放大能力下降
D. 正常
22.用万用欧姆表挡R×1K 测量一只能正常放大的晶体管,若红表笔接触一只管脚,黑表笔接触另两只管脚时测得的电阻均较大,则该晶体管是 ( )
A. NPN型
B. PNP型
C.无法确定
D.该管子内部断路
23.3AX31是( )三极管
A.NPN型锗材料、高频小功率
B.PNP型锗材料、低频小功率
C.PNP型硅材料、低频小功率
D.NPN型锗材料、低频小功率
24.实践中判断三极管是否饱和,最简单可靠的方法是测量( )
A.IB
B.Ic
C.UBE
D.UCE
25.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用( )档
A.R×1
B.R×10
C.R×100 或R×1K
D.R×10K
二、简答题(本大题共5小题,每题10分,共50分)
1.电路如图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,试判断二极管的工作状态, 并求出 A 、B 两点间的输出电压UAB。
2.如何用万用表测量一个没有标明极性的二极管,并判断为何种材料制成以及质量好坏。
3.晶闸管的正常导通条件是什么?晶闸管的关断条件是什么?如何实现?
4.对晶闸管的触发电路有哪些要求?
5.正确使用晶闸管应该注意哪些事项?
学科网(北京)股份有限公司
$$