内容正文:
第二章
达标测试卷(B卷)
第二章
达标测试卷(B卷)
(时间:90分钟 总分:100分)
一、单项选择题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)
1.某同学测量线路中的晶体管,各极电位分别是V.=-3V,V.-2V,V--3.7V,则该
管是(
)。
A.NPN型饱和状态
B.PNP型放大状态
C.NPN型放大状态
D.PNP型饱和状态
2.3AX31型晶体管是(
)。
A.低频小功率PNP三极管
B.低频小功率NPN三极管
C.低频小功率硅PNP三极管
D.高频小功率PNP三极管
3.三极管的发射结电压必须大于(
)电压才导通
A.门坎电压
B.饱和电压
C.导通电压
D.0.7V
4.三极管的Ic大,说明其
)。
A.工作电流大
B.击穿电压高
C.寿命长
D.热稳定性差
5.题5图所示的曲线表示(
)。
A.三极管的输入特性曲线
B.增强型NMOS管的转移特性曲线
C.结型场效应管的转移特性曲线
D.增强型PMOS管的转移特性曲线
I(mA)
△/p(mA)
2V
1V
V=0
→Vs(V)
Vr
-1V
Vs(V)
题5图
题8图
6.题5图所示V-称为(
)。
A.夹断电压
B.门坎电压
C.开启电压
D.导通电压
7.温度升高时,晶体管输出特性曲线簇的间隔距离将
)。
A.增大
B.减小
C.不变
D.无法确定
8.题8图所示的曲线表示(
)输出特性曲线。
A.N沟道结型场效应管
B.增强型PMOS管
C.耗尽型NMOS管
D.增强型NMOS管
)。
9.题8图所示的跨导大约为(
B.1A/V
C.500A/V
A.1000uA/V
D.100A/V
10.题8图所示电路中,对应V.s一0时的电流为(
)。
A.集电极饱和电流
B.穿透电流
C.反向漏电流
D.漏极饱和电流
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教学与检测·电子电工专业综合·下
二、判断题(正确的括号里填A,错误的括号里填B)(本大题共10小题,每小题1分,共10分)
11.晶体三极管具有恒流特性,场效应管具有恒压特性。
)
12.晶体三极管使用时,集电极和发射极可以相互对调,而结型场效应漏极和源极不可以
相互对调。
_。
13.二极管、三极管、场效应管工作性能都受温度影响
14.NPN型晶体管用于放大时要求V.>0,N沟道增强型MOS管用于放大时,要求Vs>0。
_。_。__。_
~~~__~_
15.用于放大时场效应管和三极管都工作于饱和区
16.三极管的输出特性曲线反映的是基极电流与集电极电流之间的关系。
17.当三极管的集电极电流I:超过最大允许电流Lo时,三极管会过热而损坏。
18.三极管工作于饱和状态时,集电结和发射结均正偏。
19.结型场效应管在工作时,栅源电压Vs可正可负。
20.三极管截止时,基极电流为零,集电极电流很大。
三、填空题(本大题共6小题,每空1分,共25分)
21.在共发射极电路中
极作为输入端:
极作为输出端。在共基极电路中
极作为输入端,
极作为输出端,共集电极电路中
极作为输人端
极作为输出端。
22.若测得某晶体三极管电流;I=20uA时,I.三2mA,当I.=60uA时,Ic-5.4mA,则
可求得该管的8为
,Icxo为_,Ico为
,集电结
23.晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是:发射结
,工艺
条件是
电流分配关系是
24.场效应管称为
表示,它反映了
型晶体管,放大能力用
对
控制能力。
25.场效应管的输出特性曲线可划分为
二个区
域,在放大电路中,场效应管工作在
区。
26.结型场效应管利用概源极间所加的
(正向、反向)电压来改变导电沟道的宽
度,它的输入电阻
(大于、小于)MOS管的输入电阻。
四、计算题(本大题共4小题,共35分)
27.(10分)题27图所示电路中,用万用表直流电压档测得电路中三极管各电极的对地电
位,试判断这些三极管分别处于何种工作状态。(饱和、放大、截止或损坏)
D6V
0-8.5
-2
题27图
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28.(6分)已知某三极管的I-10A时,Ic-0.88mA,I-40uA时,I-2.38mA,求
该三极管的Ico、Ic和3值
29.(12分)题29图所示电路中,三极管处于放大状态,设V=0.7V,③=50,求I.=?Ic
-?Vcr-?
}_-
-12V
+12V
题20图
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30.(7分)题30图所示曲线和电路中,试求:当V。-0V和2V时的管压降Vps的值。
去(mA)
题30图
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(4)100
23.交流负载线的中点处
32.NPN型.1脚为C.2脚为E.3脚为B.硅材料
24.输入、输出特性曲线
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四、计算题
25.(1)20A 1mA
2.