内容正文:
第二章
达标测试卷(A卷)
第二章
达标测试卷(A卷)
(时间:90分钟 总分:100分)
一、单项选择题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)
1.晶体三极管的两个PN结都反偏时,晶体管处于(
)状态。
B.放大
A.饱和
C.截止
D.导通
2.用万用表测得PNP型晶体管的各极电位是V.=-3V,V.=-2.7V,V。=-2.8V,则该
管的工作状态是
)。
A.放大
B.饱和
C.截止
D.导通
3.工作在放大区的某三极管,当L.从20uA增大到40uA时,I:从1mA变为2mA,则它
的)值约为(
)。
B.50
A.10
C.100
D.75
4.能正确反映共发射极组态内部电流分配关系的表达式是(
)。
A.In-(1-)I-Ic
B.Ie-3I十(1+③)Icro
C.I.-3I十(1+③)Icno
D.I-(1+)I-Icro
5.三极管的输出特性曲线是下列哪两者之间的关系曲线(
)。
A.I与Ic
B.V与It
C.V与I
D.V与Ic
6.当温度升高时,晶体管的参数和电流按如下变化(
).
A.g、Iceo、V
B.、Icro、V: {
C.3、IcroA、Vn:
D.{、IcroM、V
7.已知某晶体管的Pc=125mw,Ie-125mA,Vco-25V,在下列条件下能正常工作
的是(
)。
A.I.-130mA,V-5V
B.I.-50mA.Vcr-30V
C.L.-20mA,V-15V
D.I.-10mA,V-12V
8.实践中判断三极管是否饱和,最简单可靠的方法是测量(
)。
A.I
B.I
,mA
C.Vtit
D.VcE
1
9.某场效应管的输出特性曲线如题9图所示,则可判断该管
-0V
)。
为(
12
A.P沟道结型场效应管
1V
B.N沟道增强型绝缘栅场效应管
C.P沟道耗尽型绝缘栅场效应管
_
△-V(V)
D.N沟道耗尽型绝缘栅场效应管
题9图
10.P沟道增强型MOS管的反型层为
)。
A.空穴
B.电子
C.既有空穴,又有电子
D.不确定
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教学与检测·电子电工专业综合·下
二、判断题(正确的括号里填A,错误的括号里填B)(本大题共10小题,每小题1分,共10分)
11.对三极管而言,当Ic>Ic,P。>Pcy,管子的放大能力将下降。
)
12.用万用表测量电子线路中的晶体管V,当V~V。时,晶体管工作于饱和状态,V-~0
时,晶体管工作于截止状态。
)
13.晶体三极管三个电极均可作为输入、输出端使用,所以三极管有共发射极、共基极和共
集电极三种组态。
14.增强型NMOS管,当L。一0时的V.s值称为夹断电压。
15.二极管、三极管、场效应管都属于非线性器件。
16.晶体三极管是电流控制型器件,由它组成的电路只能放大电流信号,而场效应管是电
压控制器件,由它组成的电路只能放大电压信号。
___
~_△~~
17.三极管发射结正偏,集电结反偏不一定工作于放大状态
18.结型场效应管和衬底单独引线的绝缘栅型场效应管的漏极和源极均可对调使用。
19.对于NPN型三极管当V>0,且V>V时,则该管工作于饱和状态。
20.已知某三极管的发射极电流I.一1.36mA,集电极电流Ic一1.33mA,则基极电流I=
(
30uA。
三、填空题(本大题共7小题,每空1分,共25分)
21.三极管的三个电极分别叫
,PNP型三极管的发射
结是指从
极到
极间的PN结,其箭头方向表示
材料的
22.三极管3BX表示
二极管。
23.当三极管发射极开路时,集电结的反向漏电流称为
,记作
此时基极电流与集电极电流关系是
,晶体三极管电流
分配关系是
24.设三极管的Pcx-150mW,Ic -100mA,Vxco-30V,若V=10V,I.允许的最大
值为
;若V-1V,I。允许的最大值为
;若I.-3mA,V允许的最大
值为
25.场效应管是一种
器件,用
来控制
,表征管子性能的
主要参数有
和
26.晶体管工作于
区时具有恒流特性,场效应管工作于
区时有恒流
特性。
区和
区。
27.场效应管的输出特性曲线可分为
区。
四、计算题(本大题共5小题,共35分)
28.(8分)写出题28图四种符号代表哪一类型场效应管。
题28图
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第二章
达标测试卷(A卷)
29.(6分)一个绝缘栅场效应管的转移特性曲线如题29图所示(其I。的方向是它的实际
方向),试求:
(1)(2分)是耗尽型还是增强型
1-$mA)
(2)(2分)是N沟道还是P沟道;
(3)(2分)从这个曲线上可求出该管的什么参数?是多大?
V(V)
题29图
30.(3分)题30图所示的电路中,当K分别合上①和合上②时,所测电流,方向怎样,二者
关系如何?
题30图
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教学与检测·电子电工专业综合·下
31.(8分)测