精品解析:湖南省衡阳市衡阳县第二中学2023-2024学年高三下学期开学摸底考试化学试卷

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2024-05-07
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资源信息

学段 高中
学科 化学
教材版本 -
年级 高三
章节 -
类型 试卷
知识点 -
使用场景 同步教学-开学
学年 2024-2025
地区(省份) 湖南省
地区(市) 衡阳市
地区(区县) 衡阳县
文件格式 ZIP
文件大小 5.01 MB
发布时间 2024-05-07
更新时间 2025-06-02
作者 匿名
品牌系列 -
审核时间 2024-05-07
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来源 学科网

内容正文:

2024年高三开学摸底考试化学试卷 一、单选题:本题共15小题,每小题3分,共45分。在每小题给出的四个选项中只有一个选项符合题目要求。 1. 化学与生活、科技、社会发展息息相关,下列说法错误的是 A. 铁粉可用作食品包装袋中的脱氧剂 B. 通讯材料碳纳米管与石墨烯互为同素异形体 C. 二氧化硅可用作航天器的太阳能电池板 D. “绿氢”火炬储氢瓶中的储氢合金是新型合金材料 2. 下列化学用语表示错误的是 A. 1,3-丁二烯的结构简式: B. 顺—2—丁烯的分子结构模型: C. 的电离方程式: D. 基态铜原子的价层电子轨道表示式: 3. 实验是学习化学的基础。下列有关化学实验的叙述正确的是 A. 用图1装置比较Cu和Fe的活泼性强弱 B. 用图2装置制取乙酸乙酯 C. 用图3装置制取并收集干燥的氨气 D. 缩小图4中容器体积,H2(g)+I2(g)2HI(g)平衡逆向移动,气体颜色加深 4. 用表示阿伏加德罗常数的值,下列说法正确的是 A. 0.9 g氘化锂()中含有的中子数为0.4 B. 标准状况下,中含有σ键的数目为5 C. 溶液中含有的数目为0.1 D. 5.6 g Fe与硫单质完全反应,转移的电子数为0.3 5. 下列关于高分子材料说法正确的是 A. 由n个单体分子通过缩聚反应生成 B. 聚丙烯由丙烯通过加聚反应合成,聚丙烯的结构简式为 C. 脲醛塑料()可由尿素和甲醛通过加聚反应制得 D. 的单体有3种 6. 下列类比或推理结果正确的是 A. 已知和浓硫酸可发生归中反应,则和硝酸也可发生归中反应 B. 已知加热时Cu与反应生成,则加热时Cu与S反应生成 C. 已知C、Si形成的氧化物晶体类型不同,可推知等物质的量的和中σ键数目不相同 D. 已知氧化性,根据溶液中和易发生氧化还原反应,推断溶液中和也易发生氧化还原反应 7. 下列各项对应的物质按如图所示装置进行实验,固体能完全消失且离子方程式正确的是 选项 气体(足量) 液体 固体(少量) 离子方程式 装置图 A 溶液 先反应: 后反应: B HCl 溶液 Cu C 蒸馏水 先反应: 后反应: D 澄清石灰水 先反应: 后反应: A. A B. B C. C D. D 8. 短周期主族元素X、Y、Z、R的原子半径依次减小,X、Y、Z位于同周期,Z和R位于同主族,R的单质能与水发生置换反应。向和的混合溶液中滴加NaOH溶液,生成沉淀的质量与NaOH溶液体积的关系如图所示。下列说法正确的是 A. 第一电离能: B. 最简单氢化物沸点: C. 一定条件下与氨分子能形成配合物 D. Z的含氧酸根离子中Z的杂化类型不同 9. 纳米硅是粒子直径小于5纳米的晶体硅微粒,可利用团簇化合物K12Si17和NH4Br反应制备纳米硅。下列说法正确的是 A. 该反应为熵增的反应 B. 该反应的方程式为K12Si17+12NH4Br=17Si+12KBr+12NH3↑ C. 该反应中每转移1mol电子就会有0.25mol还原产物Si生成 D. 纳米硅的导电原理和FeCl3净水的原理相同 10. 科研人员新研发了一种可充电电池,工作原理如图,电池总反应为。下列说法不正确的是 A. 当时,中的和个数之比为2:3 B. 放电时,正极反应为 C. 充电时,电极发生脱嵌,从右室移向左室 D. 充电时,理论上左室电解质的质量减轻4g,电路中有0.2mol电子转移 11. 标准状况下,反应物和生成物的相对能量与反应历程示意图如图所示[已知的相对能量为0],下列说法错误的是 A. E2-E3=E5-E6 B. 相同条件下,H2O2的平衡转化率:历程I=历程Ⅱ C. 由历程Ⅱ可计算H2O2中H-O键的键能为2(E2-E4) D. 历程I、历程Ⅱ中速率最快的一步的热化学方程式:H2O2(l)+OH-(aq)=H2O(l)+HO(aq) (E4-E2) 12. 25℃时,用盐酸滴定100mL等浓度的MOH溶液,混合溶液的pH及[,为水电离出的的浓度]与滴入盐酸体积的关系如图所示。下列说法正确的是 A. 25℃时,MOH的电离常数数量级为 B. 点①溶液中: C. 点②溶液呈酸性, D. 点③溶液呈中性, 13. GaAs是5G时代不可或缺的半导体材料,其晶体结构与金刚石相似。将Mn参入GaAs晶体(图甲)可得到稀磁性半导体材料(图乙),晶体结构不变。设表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A. GaAs晶体的熔点比GaN晶体的高 B. 掺入Mn的晶体中Mn、Ga、As的原子个数比为5:27:32 C. 图乙中a和c的原子坐标参数分别为(0,0,0)和,则b的原子坐标参数为(1,1,0) D. GaAs晶体的密

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