1.5.2-场效应管的主要参数（教案）-《电子技术基础》同步教学（人民邮电出版社）

教案 编号：PTzZ-169 流水号：168 （首页）共 4页 课程 《电子技术基础》 一体化 理论 章节（课题）及内容 场效应管的主要参数 班级日期 中职 2024.04 授课方式 讲授与任务驱动相结合 课时 1 作业题数 1 拟用时间 40分钟 教学目标 使学生理解以下理论知识： · 了解场效应管（FET）的主要参数及其定义。 · 学会根据FET的参数选择合适的型号。 · 掌握FET参数对电路性能的影响。 教学资源准备 多媒体设备 课本教材 学生练习素材 教学重点 1. FET的主要参数及其意义。 2. FET参数的选择和应用。 教学难点 1. FET参数的测试方法和实际应用。 2. FET参数之间的相互影响。 教学方法 讲授法、任务驱动法、演示法、体验探究法等。 1. 讲授法：系统讲解FET的主要参数及其定义。 2. 实验教学法：通过实验测试FET的参数，加深理解。 3. 案例分析法：结合实际案例，分析FET参数对电路性能的影响。 授课教师： 审阅签名： 教学过程 教学活动内容 时间分配教学方法 课前导入 1. 回顾场效应管的基本结构和分类。 2. 介绍FET参数在电子电路设计中的重要性。 3. 提出问题：如何选择合适的FET型号以满足特定电路的需求？ 2分钟 讲授新课 练习指导 场效应管（FET）的主要参数及其定义如下： 1. **直流参数**： - **饱和漏极电流IDSS**：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。 - **夹断电压UP**：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。 - **开启电压UT**：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。 2. **交流参数**： - **低频跨导gm**：描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。 - **极间电容**：场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。 3. **极限参数**： - **漏、源击穿电压**：当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。 - **栅极击穿电压**：结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。 这些参数对于评估场效应管的性能和应用场景至关重要。 选择合适的场效应管（FET）型号并掌握其参数对电路性能的影响是电子设计和应用中的关键技能。以下是一些步骤和建议，帮助实现这一目标： ### 选择合适的FET型号： 1. **确定电路需求**： - 明确电路的功能，例如是否需要放大、开关、振荡等。 - 确定所需的电压和电流范围。 - 了解工作环境条件，如温度、湿度等。 2. **分析FET参数**： - **饱和漏极电流IDSS**：确保IDSS足够大以满足电路的电流需求。 - **夹断电压UP和开启电压UT**：根据电路的偏置条件选择合适的UP和UT。 - **低频跨导gm**：高gm值意味着更好的电流驱动能力，适合低噪声放大电路。 - **极间电容**：对于高频应用，需要考虑FET的输入和输出电容。 - **漏、源击穿电压**：确保FET能够承受电路中的最大电压。 - **栅极击穿电压**：对于增强型FET，需要考虑栅极的耐压能力。 3. **查阅数据手册**： - 查看不同型号FET的数据手册，比较它们的参数。 - 注意封装类型、散热性能等其他因素。 4. **实验验证**： - 在实际电路中测试候选FET的性能。 - 调整电路参数，优化性能。 ### 掌握FET参数对电路性能的影响： 1. **饱和漏极电流IDSS**：影响电路的输出电流范围。 2. **夹断电压UP和开启电压UT**：影响电路的静态工作点设置。 3. **低频跨导gm**：影响电路的增益和噪声性能。 4. **极间电容**：影响电路的高频响应和稳定性。 5. **漏、源击穿电压**：决定电路的最高工作电压。 6. **栅极击穿电压**：影响FET的安全工作区域。 通过综合考虑上述因素，可以有效地选择适合特定电路需求的FET型号，并利用其参数优化电路性能。实践和经验在这个过程中起着重要作用，因此建议通过实验和实际应用来加深理解。 10分钟 7分钟 自主学习 8分钟 练习训练 1. 已知某FET的阈值电压VTH=3V，当VGS=5V时，ID=10mA；当VGS=7V时，ID=20mA。求该FET的跨导gm。 2. 设计一个FET放大电路，要求增益大于10，输入电阻大于1MΩ，输出电