第三节 无机非金属材料 第1课时（知能训练）-【备课无忧】2023-2024学年高一化学下学期同步教学课堂（人教版2019必修第二册）

一、单选题 1．SiO2是光导纤维的主要成分。SiO2中Si的化合价是 A．+1 B．+2 C．+3 D．+4 2．我国努力发展芯片产业，推进科技自立自强。制造芯片所用的单晶硅属于 A．单质 B．盐 C．氧化物 D．混合物 3．甲~丁均为短周期主族元素，在元素周期表中的相对位置如图所示。丁的最高价氧化物对应的水化物在同周期中酸性最强，下列说法正确的是 甲 乙 丙 丁 A．非金属性：丁>丙>甲 B．原子半径：甲>乙>丙 C．最简单氢化物的沸点：乙>甲 D．丙与乙形成的二元化合物易溶于水和强碱溶液 4．下列说法正确的是 A．二氧化硅溶于水显酸性 B．二氧化碳通入水玻璃无明显现象 C．工业上用单质SiO2作半导体材料 D．除去二氧化碳中混有的少量二氧化硫气体，可选用的试剂是酸性高锰酸钾溶液 5．关于二氧化硅，下列叙述不正确的是 A．水晶的主要成分是二氧化硅 B．二氧化硅和二氧化碳在物理性质上有很大差别 C．二氧化硅不溶于水，也不能跟水起反应生成酸 D．二氧化硅是一种酸性氧化物，它不跟任何酸起反应 6．下列关于硅的说法中，不正确的是 A．硅是非金属元素，它的晶体单质是灰黑色有金属光泽的固体 B．硅的导电性能介于导体和绝缘体之间，是良好的半导体材料 C．硅的化学性质不活泼，常温下不与任何物质反应 D．加热到一定温度时，硅能与氯气、氧气等非金属反应 7．如图为世界上最小的房子，是由法国贝一研究所团队用二氧化硅建造的长20微米的房子。该房子在下列某种溶液中会快速消失，该溶液是 A．酸性高锰酸钾溶液 B．浓硝酸 C．氨水 D．氢氟酸 8．下列说法正确的是 A．二氧化硅溶于水显酸性，所以二氧化硅属于酸性氧化物 B．二氧化硅是酸性氧化物，它不溶于任何酸 C．二氧化碳通入水玻璃可以得到硅酸 D．因为高温时二氧化硅与碳酸钠反应放出二氧化碳，所以硅酸的酸性比碳酸强 9．实验室中下列有关试剂的保存方法错误的是 A．浓硝酸应密封保存在铁制容器中 B．少量的钠保存在煤油中 C．NaOH溶液保存在具有橡胶塞的玻璃试剂瓶中 D．液溴存放在棕色试剂瓶中并加水封 10．我国科学家制得了SiO2超分子纳米管，微观结构如图。下列叙述正确的是    A．SiO2与干冰的物理性质相似 B．SiO2耐腐蚀，不与任何酸反应 C．工业上用SiO2制备粗硅 D．光纤主要成分是SiO2，具有导电性 11．牙膏中的摩擦剂为二氧化硅(SiO2)和碳酸钙(CaCO3)，下列说法正确的是 A．二氧化硅易溶于水 B．碳酸钙属于氧化物 C．碳酸钙的相对分子质量为100 D．SiO2+CaCO3CaSiO3+CO2↑，该反应有利于减轻温室效应 12．单晶硅是制作电子集成电路的基础材料。用化学方法可制得高纯度硅，其化学方程式为： ① ② ③ 下列有关上述反应的说法以及由上述反应得到的结论不正确的是 A．三个反应均是氧化还原反应 B．反应①和③是置换反应 C．反应②为硅重新被氧化的过程 D．H2的还原性强于HCl 13．氮化硅(Si3N4)薄膜是一种性能优良的重要介质材料，常用于集成电路制造中的介质绝缘。一种以硅块(主要含Si，杂质为少量Fe、Cu的单质及化合物)为原料制备氮化硅的工艺流程如下： 已知：ⅰ.硅的熔点是1420℃，高温下氧气及水蒸气能明显腐蚀氮化硅； ⅱ.氮化炉中反应为。 下列说法错误的是 A．硅块粉碎能有效提高合成氮化硅的反应速率 B．铜屑的作用是除去N2中含有的少量O2 C．“酸洗”中稀酸X可以选用氢氟酸 D．合成过程中应严格控制N2的流速以控制氮化炉中的温度 14．下列离子方程式书写正确的是 A．Zn和稀硝酸反应：Zn+2H+=Zn2++H2↑ B．Si与NaOH溶液反应：Si+2OH-+H2O=SiO+2H2↑ C．Cl2通入热的NaOH溶液中：Cl2+2OH-=ClO-+Cl- D．Na投入到CuSO4溶液中：2Na+Cu2+=2Na++Cu↓ 15．由制备高纯度硅的工业流程如图所示：    下列说法错误的是 A．硅元素在自然界中均以化合态形式存在 B．由步骤①中的反应可知，碳的非金属性比硅强 C．反应②产生的与反应③产生的可以循环使用 D．反应①②③均为在高温或较高温度下的氧化还原反应 16．无机非金属材料中，硅一直扮演着重要的角色。下列有关硅及其化合物的说法中正确的是 A．最外层有四个电子，位于元素周期表的第三周期第VA族 B．是酸性氧化物，可以与水反应： C．硅在自然界主要以硅酸盐和氧化物的形式存在 D．碳化硅具有优异的耐高温性能是因为碳原子和硅原子通过离子键连接，硬度很大 17．反应SiO2+2CSi+2CO↑中，氧化剂是 A．C B．SiO2 C．Si D．CO 18．利用辉锑矿(主要成分为Sb2S3，含Fe2O3、MgO，SiO2等杂质)