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3.1金属晶体同步练习
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一、选择题
1.硒化锌是一种重要的半导体材料,其晶胞结构如图甲所示,已知晶胞参数为pnm,图乙为晶胞的俯视图。下列说法正确的是
A.晶胞中硒原子的配位数为8 B.晶胞中d点原子分数坐标为(,,)
C.硒位于第四周期第ⅣA族 D.Zn和Se的最短距离为pnm
2.硼单质及其化合物有重要的应用。硼晶体熔点为2076℃,可形成多种卤化物,可与反应生成,可与反应生成乙硼烷(标准燃烧热为),其分子中一个硼与周围的四个氢形成正四面体,结构式为,具有还原性。乙硼烷也可与NaH反应生成,−1价的氢有较强的还原性,是一种常用的还原剂。下列说法正确的是
A.硼晶体为分子晶体 B.基态硼原子的核外电子排布式为
C.与中心原子均为杂化 D.晶体中存在离子键、共价键、氢键
3.砷(As)、镓(Ga)等形成的化合物在现代工业中有广泛的用途,其中砷化镓是一种重要的半导体材料,晶胞结构如图所示,其熔点为1238℃,以下说法正确的是
A.一个晶胞中As原子的个数为2 B.砷化镓晶体中每个原子均形成4个共价键
C.As的配位数是2 D.砷化锌、砷化铝、砷化硼的熔沸点逐渐降低
4.硒化锌是一种重要的半导体材料,图甲为其立方晶胞结构,图乙是其晶胞的俯视图。已知阿伏加德罗常数的值为NA,a点的坐标为(0,0,0),b点的坐标为(1,1,1),晶胞参数为npm。下列说法错误的是
A.基态Se2-的简化电子排布式为[Ar]3d94s24p6
B.c点Zn2+的坐标为(,,)
C.晶体中相邻两个Zn2+的最短距离为势pm
D.晶体中每个Se2-周围紧邻且距离相等的Se2-共有12个
5.下图是某富锂超离子导体的立方体晶胞,阿伏加德罗常数的值为 下列说法错误的是
A.晶体的化学式为Li3OCl
B.图中氧原子的配位数为6
C.图中Cl-O原子的最近距离与Li-O原子的最近距离相等
D.图中晶体密度为 g/cm3
6.经理论计算预测,一种由汞(Hg)、锗(Ge)、锑(Sb形成的新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为金刚石晶体中的C原子被Hg、Ge和Sb取代后形成。其晶胞如图所示,下列说法正确的
A.、、三种元素都位于周期表的ds区
B.设X的最简式的式量为Mr,则X晶体的密度为
C.晶体中与距离最近的的数目为6
D.X晶体是一种合金,内部有自由电子,是电的良导体
7.表示阿伏加德罗常数的值。俗名为“臭碱”的硫化钠广泛应用于冶金、染料、皮革、电镀等工业,其晶胞如图所示。硫化钠的一种制备方法是。下列有关说法正确的是
A.溶液中键总数为
B.晶胞中含有的离子数目为
C.通常状况下,中含有的键数目为
D.石墨中含有六元环数为
8.晶胞结构中的位置如图1所示。位于所构成的四面体中心,其晶胞俯视图如图2所示。若晶胞参数为,阿伏加德罗常数的数值为,下列说法正确的是
A.晶胞中,的配位数为8 B.晶体的密度为
C.晶胞中,之间的最短距离为 D.晶胞中,填充了8个四面体空隙
9.理论计算预测,由永、锗、锑形成的一种新物质为潜在的拓扑绝缘体材料。的晶体可视为晶体(晶胞如图所示)中部分原子被和取代后形成(图为的晶胞结构)。下列说法错误的是
A.图a晶胞中含有8个Ge原子
B.X晶胞的化学式为
C.X的晶体中与Hg距离最近的Sb的数目为4
D.X晶体密度为(为阿伏加德罗常数的值)
10.铁有δ、γ、α三种同素异形体,其晶胞结构如图所示,下列判断正确的是
A.δ、γ、α铁晶体中存在金属阳离子和阴离子
B.晶胞中所含有的铁原子数为9
C.δ、α两种晶胞中铁原子周围等距离且最近的铁原子个数之比为3∶1
D.若晶胞棱长为acm,晶胞棱长为bcm,则两种晶体的密度比为
11.砷化镓是当代国际公认的继“硅”之后最成熟的半导体材料,是光电子和微电子工业最重要的支撑材料之一、砷化镓晶胞如图所示。(设为阿伏加德罗常数的值)
下列叙述中错误的是
A.晶体的熔点:砷化镓<氮化镓 B.晶胞中的键长为
C.砷化镓晶体中存在非极性共价键 D.该晶体的理论密度为
12.因生产金属铁的工艺和温度不同,产生的铁单质的晶体结构、密度和性质均不同,铁的晶体中铁原子有三种堆积方式,其中两种立方晶胞结构如图所示。下列关于铁或其晶胞的说法中正确的是
A.铁在周期表中位于第四周期第VIIIB族,是过渡元素也是副族元素
B.在两种晶胞中,每个Fe原子周围均有8个与之距离相等且最近的Fe原子
C.若ɑ-Fe晶胞边长为bpm,则Fe原子半径r=bpm
D.若β-Fe晶胞中最近的两个Fe原子核间距为apm,阿伏加德罗常数为NA,晶胞的密度表达式是
13.反应可用于制备碳化钙。下列说法正确的是
A.碳单质一定为共价晶体 B.中子数10的O原子表示为
C.基态Ca原子价电子排布图为 D.的电子式