内容正文:
第二部分加练重点·补短板
微点突破(十七)
带电粒子在有界磁场中的运动问题
精研一题
全取一类
[典例们
如图所
1.小明同学对正、负电子对撞产生了浓厚的兴趣,他
示,在方向竖直向下的
根据所学知识设计了正,负电子对撞装置,通过电
匀强磁场中,水平地面
D
子在匀强磁场中的运动来实现正,负电子在不同位
上放置一长方体
置能发生正碰。如图所示,ab
H
和cd是关于y轴对称、间距
OACD-O'A'C'D粒子
D
为21的直线磁场边界,在两
M··
收集装置,其中CD=8L,CA=4L,该装置六个面均
边界之间有两个有界匀强磁××
为荧光屏,吸收击中荧光屏的粒子时可显示粒子位!
场。两磁场的边界MV位于
××××
置。在长方体中心P处的粒子放射源,可在水平面:x轴上方且平行于x轴,MN
EFGH内沿各个方向均匀发射速率为o的带正电:
与x轴的距离h可调。MN
粒子,发现在一段时间内,粒子源发射出粒子总数:
下方的磁场垂直纸面向里,上方的磁场垂直纸面向
外,磁感应强度大小均为B。若将质量为加、电荷
中有2被荧光屏OOA'A所吸收。已知这些粒子的
量为e的正、负电子分别从ab和cd磁场边界上沿
比荷均为9,不计粒子重力及粒子间的相互作用。
x轴同时以相同速率一3B进人匀强磁场,使
Am
下列说法正确的是
正、负电子能在y轴的不同位置垂直于y轴方向发
A匀强蓝场的蓝感应强度大小为是
生正碰,则MN与x轴的距离h的大小可能是(不
计粒子间的相互作用力和粒子重力)
()
B,匀强磁场的磁感应强度大小为”
A.3+2
B.3
L
4
2
C.荧光屏DD'C'C上亮线的长度为(2十√3)L
c.2B+▣
8
D.5i,
20
D.荧光屏DD'CC上亮线的长度为(1十√3)L
2.2022年6月2日,北京正负电子对撞机“撞”出里
[解题关键]
程碑式新发现。如图是对
-A
撞测量区的简化示意图,
切入点
从“粒子源发射出粒子总数中有)被荧光屏
I区磁感应强度大小为
O)A'A所吸收”分析形成的原因。
垂直于荧光面O)A'A发射的粒子轨迹与
B,磁场边界MN平行于
隐藏点
EF相切
PQ,EF垂直于MN。正
障碍点
向EF发射的粒子和向HG发射的粒子具有
负电子分别以相同速率、
“相似性”
平行EF且垂直磁场的方
向入射,由注入口C,D进
PD-
Q
深得一法
人I区,在Ⅱ区平行于EF方向上进行对撞。已
分析带电粒子在有界磁场中运动的方法
知:注入口C、D到EF的距离均为d,边界MN和
画轨迹
→确定圆心
PQ的间距为4d,正、负电子的质量均为m,所带电
①轨道半径与磁感应强度、运动速度相
荷量分别为e和一,且速率均为B,电子重力不
联系,即R册
②由几何方法(一般由数学知识,如勾殷
计,下列说法正确的是
找联系
定理、三角函数等)来确定半径
A.正电子由注入口C注入对撞测量区
③偏转角度与圆心角、运动时间相联系
B.负电子由注入口C注入对撞测量区
④粒子在磁场屮运动时问与周期相联系
C.Ⅱ区磁感应强度大小为2B
用规律
牛顿第二定律和圆尚运动的规律等,
特别是周期公式、半径公式
D正,负电子在对撞测量区经过时间常相撞
75
新高考方案系列丛书一书三用物理
3.利用磁聚焦和磁控束可以改变一束平行带电粒:的α粒子,α粒子的速度方向与磁场方向垂直,不
子的宽度,人们把此原理运用到薄膜材料制备上,:计粒子间的相互作用力,已知质子的电荷量为,
使芯片技术得到飞速发
质量为,下列说法正确的是
()
展。如图,宽度为r。的
A.若ABAD边有粒子射出,则BC边一定有粒子射出
带正电粒子流水平向右
射人半径为r。的圆形匀
B.若粒子可以到达B点,则其最小速度为3eBL
6m
强磁场区域,磁感应强度
C,到达A点和到达B点的粒子一定具有相同
大小为B。,这些带电粒
的速率
子都将从磁场圆上O点
D.运动轨迹与AD边相切(由CD边出磁场)的速
进入正方形区域,正方形过O点的一边与半径为
率最小的粒子在磁场中的运动时间为智
。的磁场圆相切。在正方形区域内存在一个面积:
最小的匀强蓝场区域,使汇聚到0点的粒子经过6,半导体有着广泛的应
离子源
用,人们通过离子注入的
该磁场区域后宽度变为2。,且粒子仍水平向右射:
方式优化半导体以满足
加速器
出,不考虑粒子间的相互作用力及粒子的重力,下:
不同的需求。离子注人
列说法正确的是
()
系统的原理简化如图所
A.正方形区域中匀勾强磁场的磁感应强度大小为:
示。质量为m、电荷量为
Q
2B。,方向垂直纸面向里
q的正离子经电场加速
圆面
B.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为:
后从EE:中点P垂直
号品。,方向垂直纸面向外
OE射人四分之一环形匀强磁场,环形磁场圆心为
C.正方形区域中匀强磁场的最小面积为2(π一2