微点突破(17) 带电粒子在有界磁场中的运动问题-【一书三用】2024年高考物理寒假作业高三复习用书(江苏专版)

2024-02-26
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山东一帆融媒教育科技有限公司
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资源信息

学段 高中
学科 物理
教材版本 -
年级 高三
章节 -
类型 作业
知识点 带电粒子在磁场中的运动
使用场景 高考复习
学年 2024-2025
地区(省份) 江苏省
地区(市) -
地区(区县) -
文件格式 ZIP
文件大小 1.13 MB
发布时间 2024-02-26
更新时间 2024-02-26
作者 山东一帆融媒教育科技有限公司
品牌系列 新高考方案·高考复习一书三用(一轮二轮冲刺)
审核时间 2024-01-31
下载链接 https://m.zxxk.com/soft/43184076.html
价格 2.00储值(1储值=1元)
来源 学科网

内容正文:

第二部分加练重点·补短板 微点突破(十七) 带电粒子在有界磁场中的运动问题 精研一题 全取一类 [典例们 如图所 1.小明同学对正、负电子对撞产生了浓厚的兴趣,他 示,在方向竖直向下的 根据所学知识设计了正,负电子对撞装置,通过电 匀强磁场中,水平地面 D 子在匀强磁场中的运动来实现正,负电子在不同位 上放置一长方体 置能发生正碰。如图所示,ab H 和cd是关于y轴对称、间距 OACD-O'A'C'D粒子 D 为21的直线磁场边界,在两 M·· 收集装置,其中CD=8L,CA=4L,该装置六个面均 边界之间有两个有界匀强磁×× 为荧光屏,吸收击中荧光屏的粒子时可显示粒子位! 场。两磁场的边界MV位于 ×××× 置。在长方体中心P处的粒子放射源,可在水平面:x轴上方且平行于x轴,MN EFGH内沿各个方向均匀发射速率为o的带正电: 与x轴的距离h可调。MN 粒子,发现在一段时间内,粒子源发射出粒子总数: 下方的磁场垂直纸面向里,上方的磁场垂直纸面向 外,磁感应强度大小均为B。若将质量为加、电荷 中有2被荧光屏OOA'A所吸收。已知这些粒子的 量为e的正、负电子分别从ab和cd磁场边界上沿 比荷均为9,不计粒子重力及粒子间的相互作用。 x轴同时以相同速率一3B进人匀强磁场,使 Am 下列说法正确的是 正、负电子能在y轴的不同位置垂直于y轴方向发 A匀强蓝场的蓝感应强度大小为是 生正碰,则MN与x轴的距离h的大小可能是(不 计粒子间的相互作用力和粒子重力) () B,匀强磁场的磁感应强度大小为” A.3+2 B.3 L 4 2 C.荧光屏DD'C'C上亮线的长度为(2十√3)L c.2B+▣ 8 D.5i, 20 D.荧光屏DD'CC上亮线的长度为(1十√3)L 2.2022年6月2日,北京正负电子对撞机“撞”出里 [解题关键] 程碑式新发现。如图是对 -A 撞测量区的简化示意图, 切入点 从“粒子源发射出粒子总数中有)被荧光屏 I区磁感应强度大小为 O)A'A所吸收”分析形成的原因。 垂直于荧光面O)A'A发射的粒子轨迹与 B,磁场边界MN平行于 隐藏点 EF相切 PQ,EF垂直于MN。正 障碍点 向EF发射的粒子和向HG发射的粒子具有 负电子分别以相同速率、 “相似性” 平行EF且垂直磁场的方 向入射,由注入口C,D进 PD- Q 深得一法 人I区,在Ⅱ区平行于EF方向上进行对撞。已 分析带电粒子在有界磁场中运动的方法 知:注入口C、D到EF的距离均为d,边界MN和 画轨迹 →确定圆心 PQ的间距为4d,正、负电子的质量均为m,所带电 ①轨道半径与磁感应强度、运动速度相 荷量分别为e和一,且速率均为B,电子重力不 联系,即R册 ②由几何方法(一般由数学知识,如勾殷 计,下列说法正确的是 找联系 定理、三角函数等)来确定半径 A.正电子由注入口C注入对撞测量区 ③偏转角度与圆心角、运动时间相联系 B.负电子由注入口C注入对撞测量区 ④粒子在磁场屮运动时问与周期相联系 C.Ⅱ区磁感应强度大小为2B 用规律 牛顿第二定律和圆尚运动的规律等, 特别是周期公式、半径公式 D正,负电子在对撞测量区经过时间常相撞 75 新高考方案系列丛书一书三用物理 3.利用磁聚焦和磁控束可以改变一束平行带电粒:的α粒子,α粒子的速度方向与磁场方向垂直,不 子的宽度,人们把此原理运用到薄膜材料制备上,:计粒子间的相互作用力,已知质子的电荷量为, 使芯片技术得到飞速发 质量为,下列说法正确的是 () 展。如图,宽度为r。的 A.若ABAD边有粒子射出,则BC边一定有粒子射出 带正电粒子流水平向右 射人半径为r。的圆形匀 B.若粒子可以到达B点,则其最小速度为3eBL 6m 强磁场区域,磁感应强度 C,到达A点和到达B点的粒子一定具有相同 大小为B。,这些带电粒 的速率 子都将从磁场圆上O点 D.运动轨迹与AD边相切(由CD边出磁场)的速 进入正方形区域,正方形过O点的一边与半径为 率最小的粒子在磁场中的运动时间为智 。的磁场圆相切。在正方形区域内存在一个面积: 最小的匀强蓝场区域,使汇聚到0点的粒子经过6,半导体有着广泛的应 离子源 用,人们通过离子注入的 该磁场区域后宽度变为2。,且粒子仍水平向右射: 方式优化半导体以满足 加速器 出,不考虑粒子间的相互作用力及粒子的重力,下: 不同的需求。离子注人 列说法正确的是 () 系统的原理简化如图所 A.正方形区域中匀勾强磁场的磁感应强度大小为: 示。质量为m、电荷量为 Q 2B。,方向垂直纸面向里 q的正离子经电场加速 圆面 B.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为: 后从EE:中点P垂直 号品。,方向垂直纸面向外 OE射人四分之一环形匀强磁场,环形磁场圆心为 C.正方形区域中匀强磁场的最小面积为2(π一2

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