内容正文:
第二部分加练重点·补短板
微点突破(十七)
带电粒子在有界磁场中的运动问题
精研一题
全取一类
[典例门(多选)
1.(多选)小明同学对正、负电子对撞产生了浓厚的
如图所示,在方向竖直
兴趣,他根据所学知识设计了正,负电子对撞装置,
向下的匀强磁场中,水
D
通过电子在匀强磁场中的运动来实现正、负电子在
y
平地面上放置一长方
不同位置能发生正碰。如图
.ic
所示,ab和cd是关于y轴对
体OACDO'A'CD'粒
称、间距为2!的直线磁场边
··
子收集装置,其中CD=8L,CA=4L,该装置六个面
界,在两边界之间有两个有
均为荧光屏,吸收击中荧光屏的粒子时可显示粒子
界匀强磁场。两磁场的边界
××××
位置。在长方体中心P处的粒子放射源,可在水平:MN位于x轴上方且平行于
面EFGH内沿各个方向均匀发射速率为o的带正:x轴,MN与x轴的距离h可
电粒子,发现在一段时间内,粒子源发射出粒子总:
澗。MV下方的磁场垂直纸面向里,上方的磁场垂
直纸面向外,磁感应强度大小均为B。若将质量为
数中有2被荧光屏OOA'A所吸收。已知这些粒子
m、电荷量为e的正、负电子分别从ab和cd磁场边
的比荷均为9,不计粒子重力及粒子间的相互作用。:
界上沿x轴同时以相同速率0一BB进人匀强磁
Am
下列说法正确的是
场,使正、负电子能在y轴的不同位置垂直于y轴
方向发生正碰,则MN与x轴的距离h的大小可
A.匀强磁场的磁感应强度大小为)
能是(不计粒子间的相互作用力和粒子重力)()
B,匀强磁场的磁感应强度大小为”
A.B+2
B.32
4
4
C.荧光屏DDC'C上亮线的长度为(2十√3)L
c.28-▣
8
n
D.荧光屏DD'CC上亮线的长度为2(1+)L
2.(多选)2022年6月2日,北京正负电子对撞机
[解题关键]
“撞”出里程碑式新发现。如图是对撞测量区的简
切入,点
从“粒子源发射出粒子总数中有)被荧光屏
化示意图,I区磁感应强
度大小为B,磁场边界
O)A'A所吸收”分析形成的原因。
垂直于荧光面O)A'A发射的粒子轨迹与
MN平行于PQ、EF垂直
Ix
隐藏点
EF相切
于MN。正负电子分别以
相同速率、平行EF且垂
障碍点
向EF发射的粒子和向HG发射的粒子具有
“相似性”
直磁场的方向入射,由注
人口C,D进入I区,在Ⅱ
深得一法
区平行于EF方向上进行
PD.
d
分析带电粒子在有界磁场中运动的方法
对撞。已知:注入口C、D到EF的距离均为d,边
画轨迹
→确定圆心
界MN和PQ的间距为4d,正,负电子的质量均为
①轨道半径与磁感应强度、运动速度相
联系,即R册
,所带电荷量分别为e和一c,且速率均为Bd,电
()
②由几何方法(一般由数学知识,如勾殷
子重力不计,下列说法正确的是
找联系
定理、三角函数等)来确定半径
A,正电子由注入口C注入对撞测量区
③偏转角度与圆心角、运动时间相联系
B.负电子由注入口C注入对撞测量区
④粒子在磁场屮运动时问与周期相联系
C.Ⅱ区磁感应强度大小为B
用规律
牛顿第二定律和圆尚运动的规律等,
特别是周期公式、半径公式
D正,负电子在对撞测量区经过时间常相撞
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新高考方案系列丛书一书三用物理
3.(多选)利用磁聚焦和磁控束可以改变一束平行带:不等的α粒子,粒子的速度方向与磁场方向垂
电粒子的宽度,人们把此原理运用到薄膜材料制:
直,不计粒子间的相互作用力,已知质子的电荷量
备上,使芯片技术得到飞
为e,质量为m,下列说法正确的是
()
速发展。如图,宽度为rw
A.若AB、AD边有粒子射出,则BC边一定有粒子射出
的带正电粒子流水平向
右射人半径为。的圆形
B若粒子可以到达B点,则其最小速度为③BL
6m
匀强磁场区域,磁感应强
C.到达A点和到达B点的粒子一定具有相同
度大小为B,这些带电
的速率
粒子都将从磁场圆上O
D.运动轨迹与AD边相切(由CD边出磁场)的速
点进入正方形区域,正方形过O点的一边与半径
率最小的粒子在篮场中的运动时间为器
为”。的磁场圆相切。在正方形区域内存在一个面:
积最小的匀强磁场区域,使汇聚到0点的粒子经:6,半导体有着广泛的应
离子源
过该磁场区域后宽度变为2。,且粒子仍水平向右:
用,人们通过离子注入的
方式优化半导体以满足
加速器
射出,不考虑粒子间的相互作用力及粒子的重力,:
E
E
-10
下列说法正确的是
()
不同的需求。离子注人
系统的原理简化如图所
G
A正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为
2B。,方向垂直纸面向里
示。质量为m、电荷量为
B.正方形区域中匀强磁场的磁感应强度大小为:
q的正离子经电场加速
品圆面
后从EE,中点P垂直
2B,方向垂直纸面向里
OE射人四分之一环形匀强磁场,环形磁场圆心为
C.正方形区域中