4.1半导体存储器(同步练习)-高一《计算机原理》同步教学(电工版)

4.1半导体存储器 同步练习题 一、选择题（共 12 题） 1. 以下关于半导体存储器的描述，正确的是（）。 A. 半导体存储器是一种易失性存储器 B. 半导体存储器的存取速度比磁性存储器快 C. 半导体存储器的容量比磁性存储器大 D. 半导体存储器的价格比磁性存储器便宜 2. 以下关于静态 RAM（SRAM）的描述，正确的是（）。 A. SRAM 的存储单元由一个晶体管和一个电容组成 B. SRAM 的数据可以长期保存，不需要刷新 C. SRAM 的存取速度比动态 RAM（DRAM）快 D. SRAM 的集成度比 DRAM 高 3. 以下关于动态 RAM（DRAM）的描述，正确的是（）。 A. DRAM 的存储单元由一个晶体管和一个电阻组成 B. DRAM 的数据可以长期保存，不需要刷新 C. DRAM 的存取速度比 SRAM 快 D. DRAM 的集成度比 SRAM 高 4. 以下关于只读存储器（ROM）的描述，正确的是（）。 A.ROM 的数据可以随意更改 B.ROM 的数据可以长期保存，不需要电源 C.ROM 的存取速度比 RAM 快 D.ROM 的容量比 RAM 大 5. 以下关于闪速存储器（Flash Memory）的描述，正确的是（）。 A. Flash Memory 是一种非易失性存储器 B. Flash Memory 的存取速度比 DRAM 快 C. Flash Memory 的容量比硬盘大 D. Flash Memory 的价格比硬盘便宜 6. 以下关于半导体存储器的地址线和数据线的描述，正确的是（）。 A. 地址线用于指定存储单元的地址 B. 数据线用于传输存储单元的数据 C. 地址线的位数越多，存储器的容量越大 D. 数据线的位数越多，存储器的容量越大 7. 以下关于半导体存储器的地址译码器的描述，正确的是（）。 A. 地址译码器用于将地址信号转换为存储单元的选择信号 B. 地址译码器的输出信号用于控制存储单元的读写操作 C. 地址译码器的输入信号是地址线的二进制编码 D. 地址译码器的输出信号是存储单元的地址 8. 以下关于半导体存储器的读写控制器的描述，正确的是（）。 A. 读写控制器用于控制存储单元的数据传输方向 B. 读写控制器的输入信号是地址译码器的输出信号 C. 读写控制器的输出信号是存储单元的数据 D. 读写控制器的输出信号是地址线的二进制编码 9. 以下关于半导体存储器的时序控制电路的描述，正确的是（）。 A. 时序控制电路用于产生存储器的读写时序信号 B. 时序控制电路的输入信号是时钟信号 C. 时序控制电路的输出信号是地址线的二进制编码 D. 时序控制电路的输出信号是存储单元的数据 10. 以下关于半导体存储器的刷新电路的描述，正确的是（）。 A. 刷新电路用于定期刷新 DRAM 的存储单元 B. 刷新电路的输入信号是时钟信号 C. 刷新电路的输出信号是地址线的二进制编码 D. 刷新电路的输出信号是存储单元的数据 11. 以下关于半导体存储器的容量扩展的描述，正确的是（）。 A. 容量扩展可以通过增加存储芯片的数量来实现 B. 容量扩展可以通过增加地址线的位数来实现 C. 容量扩展可以通过增加数据线的位数来实现 D. 容量扩展可以通过增加读写控制器的数量来实现 12. 以下关于半导体存储器的地址线和数据线的连接方式的描述，正确的是（）。 A. 地址线和数据线可以直接相连 B. 地址线和数据线可以通过地址译码器相连 C. 地址线和数据线可以通过读写控制器相连 D. 地址线和数据线可以通过时序控制电路相连 二、判断题（共 8 题） 1. 半导体存储器是一种易失性存储器。（） 2. 半导体存储器的存取速度比磁性存储器快。（） 3. 静态 RAM（SRAM）的数据可以长期保存，不需要刷新。（） 4. 动态 RAM（DRAM）的集成度比静态 RAM（SRAM）高。（） 5. 只读存储器（ROM）的数据可以随意更改。（） 6. 闪速存储器（Flash Memory）是一种非易失性存储器。（） 7. 半导体存储器的地址线的位数越多，存储器的容量越大。（） 8. 半导体存储器的数据线的位数越多，存储器的容量越大。（） 三、解答题（共 4 题） 1. 简述半导体存储器的主要分类及其特点。 2. 简述静态 RAM（SRAM）和动态 RAM（DRAM）的区别。 3. 简述只读存储器（ROM）的工作原理。 4. 简述闪速存储器（Flash Memory）的特点及其应用。 四，填空题： 1. RAM是______存储器的一种。 2. ROM是______存储器的一种。 3. 存储器的访问速度由______决定。 4. 存储器的容量通常用______来表示。