小专题专项复习考点23 三极管基础分析 课件-2024届高三通用技术一轮苏教版（2019）选择性必修《电子控制技术》

ELECTRONIC 一轮小专题专项复习考点23 ——三极管基础分析 1 1.三极管结构示意图及符号 集电区 基区 发射区 集电区 发射区 基区 集电结 发射结 集电结 发射结 P N N P P N e e c c b b 集电极（collector ） 发射极(emitter ） 集电极 基极 发射极 PNP管 NPN管 基极（base） c e b e c b ATTENTION!!! 三极管有:2个结； 3个区； 3个电极。 电路符号中箭头表示发射结加正偏电压时的电流方向. 　　 2.三极管电流关系 NPN型三极管 二进一出。且Ie=Ib+Ic,连接电路时，发射极接低电位，集电极接高电位 PNP型三极管 一进二出。且Ie=Ib+Ic,连接电路时，发射极接高电位，集电极接低电位 3.三极管管脚判断方法 四、三极管的三种工作状态 工作状态 条件 NPN型 PNP型 饱和状态 发射结 正 Vb>Ve Vb>Vc 集电结 Ube=0.7V(Si) 放大状态 发射结 正 Vc>Vb>Ve 集电结 反 截止状态 发射结 Ube<0.7V（Si） 集电结 反 Vb<Vc Vb<Ve Vb < Vc Ueb=0.7V(Si) Ve>Vb>Vc Ueb<0.7V（Si） Vb>Vc PN结偏置方式一样，电位关系相反 三极管的三种工作状态 Ie=Ib+Ic Ic≈0 截止状态 Ic=βIb 放大状态 Ic不变 饱和状态 Ib远小于Ic以小控大 Ueb<0 Uce≈Vcc Ueb≈0.7 Uec>Ueb Ueb≈0.7V(si) Uec≈0.3V(si) Vb电位较低，Ueb小于门槛电压 Vb电位居中 Vc<Vb<Ve Vb电位较低 Vc>Vb 断开 闭合 三极管的三种工作状态 4.1 截止状态 电流电压关系： Ve>Vb,Vc>Vb Uce≈Vcc Ube<0.7V 现象：Ib≈0 ,Ic≈0,Ie≈0 三极管的三种工作状态 4.1 截止状态 小结：Ib≈0,发射结和集电结都处于反偏状态时，IC=0，此时相当于一只断开的开关。 三极管的三种工作状态 4.2 放大状态 条件： 发射结正偏、集电结反偏 电流电压关系：Ve<Vb<Vc 稳定后Ube≈0.7V 0.7V<Uce<Vcc 很小的基极电流（变化）控制（引起）很大的集电极电流的变化 三极管的三种工作状态 4.2 放大状态 IC受Ib的控制，随着Ib的增大IC也在增大 Ib （毫安） 0.02 0.03 0.04 0.06 0.08 0.1 IC （毫安） 0.7 1.11 1.48 2.75 2.8 3.5 当 Ib 有微小变化时，  IC 较大。说明三极管具有电流放大作用。 任何一列电流关系符合 Ie = IC + Ib，Ib< IC< Ie, IC  Ie IB （毫安） 0.02 0.03 0.04 0.06 0.08 0.1 IC （毫安） 0.7 1.11 1.48 2.75 2.8 3.5 三极管的三种工作状态 4.2 放大状态 要使三极管具有放大作用，必须给管子的发射结加正偏电压，集电结加反偏电压。（外部条件） 一般为几十~几百 （毫安） IC Ic = 35.116 Ib + 0.1253 0.02 0.03 0.04 0.06 0.08 0.1 0.7 1.11 1.48 2.75 2.8 3.5 （毫安） 三极管的三种工作状态 4.3 饱和状态 条件：发射结正偏、集电结正偏 电压电流关系： Ube≈0.7V Uce≈0.3V Ic<βIb 现象：Ic基本不变，不随着Ib的变大而变大 五、三极管的输出特性曲线 由三极管的输出特性曲线（Uce----Ic）可知： （1）放大区， （2）饱和区， （3）截止区, 【聚焦考点】 1.【2021绍兴联考】在电路中测得4个硅材料三极管的三个电极的电位如图所示，下列分析中正确的是（ ） C 2.三极管在饱和导通状态时，下列说法中不正确的是（ ） A.发射结和集电极结均处于正向偏置状态 B.小功率管的饱和压降小于0.6V,锗管的饱和压降小于0.3V C.集电极与发射极之间相当于一个接通的开关 D.集电极电流受基极电流的控制 D 3.如图所示是小明在电子控制技术实践课上搭建的电路，经测量VT的Ube=0.7V,Uce=3V.下列关于VT工作状态的判断中，正确的是（ ） A.饱和状态 B.放大状态 C.截止状态 D.条件不足，无法判断 B 4.如图所示的两个电路中，三极管为硅管。下列关于LED发光时，M,N点电位分析中正确的是（ ） A.M点电位