《电子技术基础》高等教育出版社（第2版）第一章 半导体器件的基础知识 章节过关卷

《电子技术基础》高教社（第2版） 第一章 半导体器件的基础知识 过关试卷 考试时间：90分钟 满分：100分 姓名 班级 学号 1 1、 单项选择题（本题10小题，每题3分，共30分） 1.半导体掺入杂质后，其导电能力会（ ）. A.增强 B.减弱 C.不变 D.丧失 2.在下面的各电路中,小指示灯会亮的是（　 　）. A. B. C. D. 3.下图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（ ）. A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD 4.二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到（ ）电压以前，通过的电流很小. A.击穿 B.最大 C.死区 D.最小 5.三极管有（ ）个PN结. A．2 B．3 C．4 D．5 6.三极管工作在放大状态的条件是（ ）. A.发射结、集电结均正向偏置 B.发射结正向偏置、集电结反向偏置 C.发射结、集电结均反向偏置 D.发射结反向偏置、集电结正向偏置 7.用作开关作用的三极管工作在输出特性的（ ）. A.饱和区 B.放大区 C.截止区 D.饱和区和截止区 8.图中场效应管为（　　）. A.增强型N沟道 B.增强型P沟道 C.耗尽型N沟道 D.耗尽型P沟道 9.UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应晶体管有（　　） A.结型管 B.增强型MOS管 C.耗尽型MOS管 D.均可 10.用万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是UC=6V,UB=0.7V,UE=1V则晶体管工作在( )状态. A. 放大 B. 截止 C. 饱和 D.损坏 2、 判断题（本题10小题，每题3分，共30分） 1.少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体.（ ） 2.一般来说，硅晶体二极管的导通电压小于锗二极管的导通电压.（ ） 3.二极管的反向饱和电流与温度无关.（ ） 4.二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好.（ ） 5.二极管和三极管都具有开关特性.（ ） 6.三极管内部电流满足基尔霍大第一定律(节点电流定律).（ ） 7.晶体三极管的穿透电流ICEO越小，其稳定性越好.（ ） 8.结型场效应管利用栅源电压正向偏压，控制PN结的宽度变化，最终控制漏极电流的大小.（ ） 9.用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极.（ ） 10. 三极管的β随着温度的升高而增大.（ ） 3、 填空题（本题5小题，每题3分，共15分） 1.PN结正向偏置时 ，反向偏置时 ，这种特性称为PN结的单向导电性. 2.硅二极管导通时的正向压降为 伏，锗二极管导通时的正向压降为 伏. 3.已知三极管 ，若 ，则该管Ic= 　　 ，Ie= 　 . 4.晶体三极管在放大电路正常工作时 结必须正偏， 结必须反偏. 5.场效应管的输出特性曲线分为 　 　 、 　　 、 　　　 三个区域. 四、计算分析题（本题2小题，共25分） 1.在如图所示电路中，设二极管为理想状态，判断图中二极管是导通还是截止，并求输出电压Uab（12分） 2.在放大电路中测得各三极管电位如图所示，试判断各管脚、类型及材料（13分） A： B： 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 $$ 《电子技术基础》高教社（第2版） 第一章 半导体器件的基础知识 过关试卷 考试时间：90分钟 满分：100分 姓名 班级 学号 1 1、 单项选择题（本题10小题，每题3分，共30分） 1.半导体掺入杂质后，其导电能力会（ ）. A.增强 B.减弱 C.不变 D.丧失 【答案】A 2.在下面的各电路中,小指示灯会亮的是（　 　）. A. B. C. D. 【答案】A 3.下图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（ ）. A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD 【答案】D 4.二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到（ ）电压以前，通过的电流很小. A.击穿 B.最大 C.死区 D.最小 【答案】A 5