内容正文:
2.1 化学反应速率 同步检测
一、单选题
1.请阅读下列材料,回答问题
高纯硅(Si)是当今科技的核心材料,是现代电子信息工业的关键材料。利用高纯硅可制成计算机内的芯片和CPU,还可制成太阳能光伏电池。目前,中国已经成为世界太阳能电池生产第一大国。制备高纯硅的反应为SiCl4 + 2H2 Si + 4HCl。
(1)制备高纯硅的反应属于( )
A.化合反应 B.分解反应 C.置换反应 D.复分解反应
(2)该反应是氧化还原反应,下列说法正确的是( )
A.H2是氧化剂 B.SiCl4得到电子
C.H2发生还原反应 D.SiCl4是还原剂
(3)下列反应条件的改变对反应速率的影响不正确的是( )
A.适当升高温度能减慢反应速率
B.增大H2的浓度能加快反应速率
C.减小反应体系压强能减慢反应速率
D.及时移走Si固体,对反应速率无影响。
(4)制备高纯硅的反应为吸热反应,下列说法正确的是( )
A.断开Si—Cl键放出能量
B.形成Si—Si键放出能量
C.需要加热的反应都是吸热反应
D.反应物的总能量大于生成物的总能量
2.100 mL 6 mol·L-1的硫酸与过量锌粉反应,在一定温度下,为了减小反应速率,但又不影响生成氢气的总量,可向反应物中加入适量的( )
①硫酸钠固体 ②水 ③硫酸钾溶液 ④硝酸钾溶液
A.①② B.①④ C.②③ D.③④
3.对水样中溶质M的分解速率影响因素进行研究。在相同温度下,M的物质的量浓度()随时间()变化有关实验数据见表。下列说法不正确的是( )
时间
水样
0
5
10
15
20
25
Ⅰ()
0.40
0.28
0.19
0.13
0.10
0.09
Ⅱ()
0.40
0.31
0.24
0.20
0.18
0.16
Ⅲ()
0.20
0.15
0.12
0.09
0.07
0.05
Ⅳ(,含)
0.20
0.09
0.05
0.03
0.01
0
A.在内,Ⅰ中M的平均分解速率为
B.其它条件相同时,水样酸性越强,M的分解速率越快
C.在内,Ⅲ中M的分解百分率比Ⅱ大
D.对比I、Ⅳ可知,的存在可加快M的分解速率
4.如图是可逆反应A+2B 2C+3D的化学反应速率与化学平衡随外界条件改变(先降温后加压)而变化的情况,由此推断错误的是( )
A.正反应是放热反应 B.A,B一定都是气体
C.D一定不是气体 D.C可能是气体
5.下列关于实验现象的描述不正确的是( )
A.铜锌组成的原电池中电子是从锌经过导线流向铜
B.把铜片和铁片紧靠在一起浸入稀硫酸中,铜片表面出现气泡
C.把铜片插入FeCl3溶液中,在铜片表面出现一层铁
D.把锌片放入盛有盐酸的试管中,加入几滴CuCl2溶液,气泡放出速率加快
6.设C+CO2 2CO(正反应为吸热反应),反应速率为v1;N2+3H2 2NH3(正反应为放热反应),反应速率为v2。对于前述反应,当温度升高时,v1和v2变化情况为( )
A.同时增大 B.同时减小
C.v1增大,v2减小 D.v1减小,v2增大
7.已知X转化为R和W分步进行:①②。上述反应过程中的能量变化如图所示。下列说法正确的是( )
A.的能量低于的能量
B.反应②是决速步
C.Y是该总反应的中间产物,也是该总反应的催化剂
D.
8.关于A(g)+2B(g)═3C(g)的化学反应,下列表示的反应速率最大的是( )
A.v(A)=0.6mol/(L•min) B.v(B)=1.2mol/(L•min)
C.v(C)=1.2mol/(L•min) D.v(B)=0.03mol/(L•s)
9.CO与反应生成的历程如下(部分微粒未画出):下列分析错误的是( )
A.分子的空间结构是直线形
B.在该过程中,CO断键形成C和O
C.催化剂可以吸附气体分子
D.CO和O生成的过程有电子转移
10. 转化为NO的过程如图所示。下列说法正确的是( )
A.催化剂a和b可增大反应的活化能( )
B.在催化剂b作用下,氮元素发生了还原反应
C.催化剂a、b不会改变反应的焓变( )
D.催化剂b可提高 的平衡转化率
11.已知: ,若反应速率分别用 、 、 、 表示,则下列关系正确的是( )
A. B.
C. D.
12.对反应2A(g)+2B(g) 3C(g)+D(?),下列图象的描述正确的是( )
A.依据图①,若t1时升高温度,则ΔH<0
B.依据图①,若t1时增大压强,则D是固体或液体
C.依据图②,P1>P2
D.依据图②,物质D是固体或液体
13.在的反应