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第4章《原子结构和化学键》单元检测题
一、单选题(共20题)
1.X、Y、Z、W是原子序数依次增大的4种短周期主族元素,其中Y和Z的单质是组成空气的主要成分,W的原子半径是短周期主族元素中最大的,X、Y、Z三种元素可组成一种化合物M,M的结构式为 。下列说法正确的是
A.Z与W可组成的一种含有非极性共价键的离子化合物
B.M中各原子均达8电子稳定结构
C.由X、Y、Z三种元素组成的化合物一定是共价化合物
D.Y、Z、W形成的简单离子半径大小顺序为W>Y>Z
2.下列变化中,化学键被破坏的是
A.冰融化成水 B.碘受热升华 C.酒精挥发 D.次氯酸见光分解
3.X、Y、Z、M是原子序数依次增大的短周期主族元素,X,Y,M位于三个不同周期,它们组成一种团簇分子的化学式为。Y原子核外最外层电子数是其电子总数的,M是其所在周期中简单离子半径最小的元素。下列说法正确的是
A.简单离子半径:Z>Y
B.X与Y形成的化合物中只可能含有极性共价键
C.Z和M的最高价氧化物对应的水化物的碱性:M>Z
D.含有M的化合物既可能是离子化合物,也可能是共价化合物
4.有关CH3COOH及其组成元素的说法错误的是
A.中子数为8的碳原子可表示为:
B.O2-的结构示意图:
C.、、互为同位素
D.CH3COOH的电离方程式:CH3COOHCH3COO-+H+
5.有关下表中的内容,叙述错误的是
元素符号
①
O
核外电子排布
②
原子半径/nm
0.075
③
0.071
最高正化合价或最低负化合价
④
-2
-1
A.①中元素符号是N B.②为
C.③的数值范围为0.071~0.075 D.④的数值为+6、-3
6.高纯硅广泛应用于信息技术和新能源技术等领域。工业上制备高纯硅的流程如图所示:
下列说法错误的是
A.步骤①、②和③中的反应均为氧化还原反应
B.流程中的和可循环利用
C.步骤③中的不可用焦炭代替
D.由步骤①中的反应可知,碳的非金属性比硅强
7.已知1~18号元素的离子aW3+、bX+、cY2-、dZ-都具有相同的电子层结构,下列关系正确的是
A.质子数c>b B.单质的还原性X>W
C.原子半径X<W D.氢化物的稳定性H2Y>HZ
8.化合物的摩尔质量为
A.76 B.80 C. D.
9.下列性质的比较,不能用元素周期律解释的是
A.原子半径:S>Cl B.还原性:H2Se>H2S
C.结合质子能力:S2->Cl- D.酸性:H2SO4>H3PO4
10.用化学用语表示中的相关微粒,其中正确的是
A.中子数为8的氮原子: B.HCl的电子式:
C.的结构式: D.的结构示意图:
11.设NA为阿伏加德罗常数的值,下列有关说法正确的是
A.3molT216O分子中的中子总数为42NA
B.33.6LCO2中含有的原子数是4.5NA
C.0.2mol/LNaCl溶液中含有Na+数是0.2NA
D.1mol中有8NA个电子
12.化学科学需要借助化学专用语言描述,下列有关化学用语正确的是
A.质量数为37的氯原子
B.Na 离子的结构示意图:
C.CaO2中的阴离子:O-
D.NaHSO4在水中的电离方程式:NaHSO4=Na++
13.已知aK(n-1)+、bLn+、cWn-、dD(n+1)-具有相同的电子层结构,关于K、L、W、D四种元素的叙述正确的是
A.K和W有可能在同一周期
B.四种离子半径大小:Ln+>K(n-1)+>Wn->D(n+1)-
C.最高价氧化物对应水化物的碱性:L>K
D.原子序数:L>K>W>D
14.元素周期表和元素周期律可指导人们进行规律性推测和判断。下列说法中不合理的是
A.若和的核外电子层结构相同,则原子序数:
B.盐酸(HCl)酸性比强,则元素的非金属性:
C.硅、锗都位于金属元素与非金属元素的交界处,都可用作半导体材料
D.若存在简单阴离子,则R一定属于VIA族元素
15.以下是由石英砂(主要成分为二氧化硅)制备高纯硅的工艺流程示意图。
下列说法错误的是
A.步骤①中反应的化学方程式:
B.工艺流程中,从混合物中分离出、的方法为分馏
C.由粗硅制备高纯硅的过程中,循环使用的物质主要有和
D.若混合物分离后,得到、、的物质的量之比为,则理论上不需要额外补充
16.用表示阿伏加德罗常数的值,下列叙述中正确的是
A.0.5mol/L的溶液中离子数目为
B.标准状况下,11.2L的溶于水生成HClO的分子数目为
C.常温常压,7g和CO的混合气体中所含原子数为
D.20g和的混合物中,所含中子数为
17.活着的生物体内值基本不变,死亡后会衰变为其他种类的原子而减少,而基本不变。下列说法不正确的是
资料:衰变到原来数目一半所需的时间为5730年