专题二 三极管及场效晶体管（模拟题）职教高考电子与信息专业《电子技术基础与技能》专题复习讲练测

专题二 三极管及场效晶体管 模拟练习 一、填空题 1.三极管有两种类型，分别是 和 ，三个引脚分别叫 、 和 ，依次用e、c和b表示。 2.三极管各级间的电压和电流之间的关系称为三极管的伏安特性，可用曲线直观的表示出来，伏安特性曲线可以分成三个区域，分别称作 、 和 。 3.三极管工作在正常放大状态的条件是：发射结 ，集电结 。三极管处于饱和状态时的外部条件是发射结加 偏置电压，集电结加 偏置电压。 4.三极管是一种 控制型器件，场效应管是一种 控制型器件。 5.用指针式万用表对三极管检测时，把转换开关拨到 挡，用红、黑表笔测三极管任意两引脚间的阻值，若测得某个引脚与其余两引脚间的阻值都很小，则该引脚即为三极管的 ，若此时是黑表笔接该引脚，则该管型为 型；若是红表笔接该引脚，则该管型为 型。 6.小功率塑料封装的三极管，让其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，从左到右依次为 、 和 。 7.（2022浙江高考真题）在某晶体三极管放大电路中，当 时. 当 时, 则它的电流放大系数β为 。 8.温度升高时，晶体三极管的电流放大系数β变 ，ICEO变 。 9.有两只晶体三极管,A管的β=200，ICEO=200uA,B管的β=60,ICEO=30μΑ,其它参数相同.相比之下, 管的热稳定性能比较好。 二、单选题 1.（2011河南高考真题）三极管有（ ）个PN结。 A．2  B．3 C．4 D．5 2.三极管工作在放大状态的条件是（ ）。 A.发射结、集电结均正向偏置 B.发射结正向偏置、集电结反向偏置 C.发射结、集电结均反向偏置 D.发射结反向偏置、集电结正向偏置 3.（2014河南高考真题）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 A．前者反偏、后者正偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者正偏、后者正偏 D．前者反偏、后者反偏 4.（2016河南高考真题）当三极管两个 PN 结都反偏时，则三极管所处的状态是 A．导通状态 B．放大状态 C．饱和状态 D．截止状态 5.三极管的电流分配关系为（ ）。 A.IC=IE B.IE=IB+IC　　 C.IB=βIC D.IC>IB 6.NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（ ）。 A.VE＞VC＞VB B.VC＞VB＞VE C.VC＜VB＜VE D.VC＞VE＞VB 7.用作开关作用的三极管工作在输出特性的（ ）。 A.饱和区 B.放大区 C.截止区 D.饱和区和截止区 8.一般情况下，工作在下列哪个区的三极管易损坏（ ）。 A.截止区 B.过损耗区 C.放大区 D.饱和区 9．（2016河南高考真题）晶体管的 ICEO 大，说明其（ ）。 A．工作电流大 B．击穿电压高 C．热稳定性差 D．寿命长 10.某晶体管的极限参数为PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,则在下列几种情况中，能正常工作的是（ ）。 A.UCE=3V，IC=10mA B.UCE=2V，IC=40mA C.UCE=10V，IC=20mA D.UCE=15V，IC=20mA 11.测得电路中，管子各极的对地电位如图所示，问处于放大状态的管子是（ ）。 12.（2020河北高考真题）CMOS与门电路多余输入端可以( )处理。 A．与其它输入端并联 B．接地 C．悬空 D．接高电平 13.（2020浙江高考真题）某三极管共射放大电路处于放大状态时，三个极A、B、C对地的电位分别是VA＝4.3 V，VB＝5 V，VC＝0，则此三极管是（ ）。 A．PNP硅管 B．NPN硅管 C．PNP锗管