模块二 三极管和场效晶体管(课件)-《电子技术基础》一轮复习-讲练测
2023-09-21
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精品
资源信息
| 学段 | 中职 |
| 学科 | 职教专业课 |
| 课程 | 电子技术基础与技能 |
| 教材版本 | - |
| 年级 | - |
| 章节 | - |
| 类型 | 课件 |
| 知识点 | - |
| 使用场景 | 中职复习-二轮专题 |
| 学年 | 2023-2024 |
| 地区(省份) | 全国 |
| 地区(市) | - |
| 地区(区县) | - |
| 文件格式 | PPTX |
| 文件大小 | 1.62 MB |
| 发布时间 | 2023-09-21 |
| 更新时间 | 2023-09-21 |
| 作者 | xkw_053385359 |
| 品牌系列 | 上好课·一轮讲练测 |
| 审核时间 | 2023-09-21 |
| 下载链接 | https://m.zxxk.com/soft/40880773.html |
| 价格 | 5.00储值(1储值=1元) |
| 来源 | 学科网 |
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内容正文:
电子技术基础
三极管和场效晶体管
高等教育出版社
中职专业课·一轮复习讲练测
《电子技术基础》(第2版)
高等教育出版社
中职专业课·一轮复习讲练测
使用教材
主编 陈振源
中职专业课·一轮复习讲练测
考纲要求
了解三极管的结构、分类、符号和基本连接方式;
理解三极管的输入特性曲线、输出特性曲线(共射接法)及其三个工作区域的划分;
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熟练掌握三极管的放大条件(偏置和工艺条件)、放大作用和电流分配关系;
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中职专业课·一轮复习讲练测
理解三极管的主要参数,并掌握三极管的工作状态的判别。
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熟悉三极管的工作电压;
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了解结型场效晶体管和绝缘栅场效晶体管的工作原理、主要参数和特性曲线。
考纲要求
三极管的核心是两个互相联系的PN结,按两个PN结的组合方式不同,可分为NPN型和PNP型两类。
PNP型三极管 NPN型三极管
三极管内部有发射区、基区和集电区,引出电极分别为发射极e、基极b、集电极c。发射区与基区之间的PN结称为发射结,集电区与基区之间的PN结称为集电结。
知识复习
三极管结构
知识复习
三极管分类
三极管
的分类
按半导体制造材料分
按内部基本结构分
按工作频率分
NPN型和PNP型
低频管、高频管和超高频管
小功率管和大功率管
按功率可分为
按用途可分为
硅管和锗管
普通放大三极管和开关三极管
按结构工艺分
合金管和平面管
三极管的放大原理
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三极管放大条件
要使三极管能够正常放大信号,发射结应加正向电压,集电结应加反向电压。
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三极管放大原理
基极电流iB的微小变化控制了集电极电流iC较大变化,这就是三极管的电流放大原理。
三极管各级电流分配关系是IE=IC+IB
三极管三种基本连接方式:共发射极接法、共基极接法和共集电极接法
三极管输入特性曲线
三极管输出特性曲线
输人特性曲线是反映三极管输人回路电压和电流关系的曲线,它是在输出电压VCE为定值时,iB与vBE对应关系的曲线。
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输出特性曲线是指基极电流 iB为某一定值时,在输出回路中集电极与发射极之间的电压vCE与集电极电流 iC之间的关系曲线。
三极管的特性曲线
截止区:发射结反偏或零偏,集电结反偏;放大区:发射结正偏,集电结反偏;
饱和区:发射结和集电结都正偏。
三极管主要参数
电流放大系数
级间反向电流
共发射极电路交流电流放大系数hFE
集电极—基极反向饱和电流ICBO
集电极最大允许电流ICM
极限参数
共发射极电路交流电流放大系数β
集电极—发射极反向击穿电压V(BR)CEO
集电极—发射极反向饱和电流(穿透电流) ICEO
集电极最大允许耗散功率PCM
场效应晶体管结构
场效应晶体管分类
结型场效应管
绝缘栅场效应管(MOS管)
增强型
耗尽型
由PN结组成,与三极管相比,它也有三个电极,分别称为漏极、栅极、源极,与三极管的集电极、基极、发射极相对应。
场效应晶体管是电压控制元件,利用栅极电压所产生的电场效应改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流。
场效应晶体管的特性曲线
(1)结型场效应晶体管特性曲线(以N沟道为例)
1.转移特性曲线:曲线是非线性的,说明场效应管为非线性元件;曲线位于轴左侧,表明栅源之间只能加负电压,即vGS ≤ 0才能使场效应管正常工作。
(a)转移特性曲线 (b)输出特性曲线
场效应晶体管的特性曲线
(1)结型场效应晶体管特性曲线(以N沟道为例)
2. 输出特性曲线:栅源电压vGS 改变时,曲线形状基本不变,但随着栅源电压绝对值的增加,曲线将向下移动。每条曲线都有上升段、平直段和再次上升段,由此决定了由它们组成的输出特性曲线族存在着可变电阻区、放大区、击穿区三个区域。
(a)转移特性曲线 (b)输出特性曲线
场效应晶体管的特性曲线
1. 转移特性曲线:该曲线位于坐标纵轴的右侧,说明 vGS必须大于零才能使管子正常工作。 vGS < VGS(th)时,漏极电流极小,相当于三极管输入特性曲线的死区。只有vGS>VGS(th)时,漏极电流才受vGS控制。VGS(th)是开启电压。
(a)转移特性曲线
(2)绝缘栅场效应晶体管特性曲线(以N沟道增强型MOS管特性曲线)
场效应晶体管的特性曲线
2. 输出特性曲线
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