内容正文:
黄洪刚工作室
《电子技术基础与技能》
二极管及其特性
⊙
(满分100分
90分钟完成)》
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一、
选择题(共15题,每题4分,共60分)
1、{下列对物质的分类说法错误的是()。]
A.物质按照导电能力强弱可以分为导体、绝缘体、半导体。
⊙
B.导体的导电能力最强。
C.半导体的导电能力最弱。
蟈
D.绝缘体能够良好地隔绝电流。
数
2.{常用于制作半导体的材料是()。}
细
A.硅、硼
B.锗、钢
解
C.硼、磷
D.硅、锗
3.{P型半导体是利用半导体的()制成的。】
⊙
A.掺杂性
B.热敏性
C.导电性
D.光敏性
4.{在纯净的半导体中加入()价的()可以得到N型半导体。}
⊙
A.3,硼
B.5,硼
C.3,磷
⊙
D.5,磷
5.{晶体二极管内部由()构成。}
A、一个PN结B、两个PN结
C、两块N型半导体
D、两块P型半导体。
6、{铭二极管的导通电压为()。3
A、0.2V
B、0.3V
C、0.5r
D、0.7V
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7、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管()的关系曲线。}
A、Vp-Io
B、VDID
C、Ib-Ra
D、f-o
8、(若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接,则该管()。]
A、击穿
B、电流为零
C、电流过大而损坏
D、正向电压偏低而截止
9、[二极管正向导通的充要条件是()。)
A、加上正向电压B、加上超过死区电压的正向电压
C、加上反向电压D、加上低于死区电压的正向电压
10、下列关于2CW系列二极管说法正确的是()。}
A、该管是N型锗管
B、该管表示整流二极管
C、该管是N型硅管
D、该管表示P型硅管
11、{如图所示,A、B两点之间的电压是()。)
早A
1002
5v
T
10y
图1
A、5V
B、1OV
C、-5V
D、15V
12、[如图2所示,二极管的状态是()。]
10W
5V
图2
A、导通
B、截止
C、反向击穿
D、无法判断
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13、某二极管的击穿电压是400V,下列那只二极管不会被击穿()。
A.最高反向工作电压为120v
B.最高反向工作电压为220v
C.最高反向工作电压为100v
D.最高反向工作电压为80v
14.〔硅二极管的导通电压为()。)
A、0.2V
B、0.3V
C、0.5v
D、0.7V
15.{如图3所示,若二极管为硅管,流过电阻的电流是()。}
0
1002
06
图3
A.0.01A
B.0.1A
C.0.93A
D.0.093A
二、判断题
1、[光照越强,温度越高,半导体的导电能力越强,说明半导体有光敏性和热敏性其实质是一样的。」
A.正确
B.错误
2.P、N型半导体都是纯净的半导体。()}
A.正确
B.错误
3.N型半导体中主要参与导电的是带负电的自由电子,所以N型半导体带负电。())
A.正确
B.错误
4.(将一个N型半导体和一个P型半导体背靠背,就可以得到一只二极管。())
A.正确
B.错误
5、[二极管只要加上正向电压就能导通。()}
A.正确
B.错误
6、[所有的二极管正常工作时都在导通区()。}
A.正确
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B.错误
?、二极管一旦被击穿就意味着被烧坏了。()}
A.正确
B.错误
8、二极管的最高反向工作电压为20v,那么至少60N的电压才能将其击穿。())
A.正确
B.错误
9、[某整流二极管的正反向电阻都很大,说明二极管内部己经短路了,不能继续使用。())
A.正确
B.错误
10、(1N4007表明该管内部有一个PN结,是美国注册的普通二极管。()}
A.正确
B.错误
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《电子技术基础与技能》
二极管及其特性
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(满分100分
90分钟完成)
p⊙
一、
选择题(共15题,每题4分,共60分)
1、{下列对物质的分类说法错误的是()。)
A.物质按照导电能力强弱可以分为导体、绝缘体、半导体。
⊙
B.导体的导电能力最强。
C.半导体的导电能力最弱。
蟈
D.绝缘体能够良好地隔绝电流。
如
答案:C
姻
难易程度:易
到
答案解析:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。
解
2.常用于制作半导体的材料是()。)
A.硅、硼
B.锗、钢
⊙
C.硼、磷
D.硅、褚
答案:D
难易程度:易
答案解析:常用于制作半导体的材料是硅、铭。
⊙
3.{P型半导体是利用半导体的()制成的。}
A.掺杂性
B.热敏性
⊙
C.导电性
D.光敏性
答案:A
难易程度:易
答案解析:P型半导体是利用半导体的摻杂性制成的。
4.(在纯净的半导体中加入()价的()可以得到N型半导体。}
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A.3,硼
B.5,硼
C.3,磷
D.5,磷。
答案:D
难易程度:易
答案解析:N型半导体是在硅或锗的