项目一 整流滤波电路原理与装调-知识点-二极管及其特性（题库）

二极管及其特性练习题 一、选择题 1、{晶体二极管内部由（ ）构成。} A、一个PN结 B、两个PN结 C、两块N型半导体 D、两块P型半导体。 答案：A 难易程度：易 答案解析：二极管的核心结构是一个PN结。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号： DZ001ZS001 技能标识：否 2、{硅二极管的死区电压为（ ）。} A、0.2V B、0.3V C、0.5V D、0.7V 答案：C 难易程度：易 答案解析：硅管的死区电压为0.5v。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS002 技能标识：否 3、{ 锗二极管的导通电压为（ ）。} A、0.2V B、0.3V C、0.5V D、0.7V 答案：B 难易程度：易 答案解析：锗管的导通电压为0.3v 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS003 技能标识：否 4、{ 硅二极管的导通电压为（ ）。} A、0.2V B、0.3V C、0.5V D、0.7V 答案：D 难易程度：易 答案解析：硅管的导通电压为0.6~0.7v 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS004 技能标识：否 5、{二极管的伏安特性曲线反映的是二极管（ ）的关系曲线。} A、VD-ID B、VD-rD C、ID-RD D、f-ID 答案：A 难易程度：易 答案解析：二极管的伏安特性曲线反映的是电压与电流的关系。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS005 技能标识：否 6、{若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接，则该管（ ）。} A、击穿 B、电流为零 C、电流过大而损坏 D、正向电压偏低而截止 答案：C 难易程度：易 答案解析：内阻为零，电流无穷大，二极管会因为电流过大二损坏。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS006 技能标识：否 7、{二极管正向导通的充要条件是（ ）。} A、加上正向电压 B、加上超过死区电压的正向电压 C、加上反向电压 D、加上低于死区电压的正向电压 答案：B 难易程度：易 答案解析：二极管导通所加正向电压必须超过死区电压。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS007 技能标识：否 8、{下列关于二极管的特性参数说法正确的是（ ）。 } A、二极管正常工作时，通过的电流可以超过额定工作电流。 B、二极管的最高反向工作电压就是二极管的击穿电压，所以一旦超过最高反向工作电压，二极管立马击穿烧坏。 C、二极管的漏电流反映了二极管单向导电特性的好坏，该电流越大表明导电性能越好。 D、二极管的最高工作频率是指二极管正常工作时的最高频率 答案：D 难易程度：易 答案解析：参看课件。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS008 技能标识：否 9、{下列关于2CW系列二极管说法正确的是（ ）。} A、该管是N型锗管 B、该管表示整流二极管 C、该管是N型硅管 D、该管表示P型硅管 答案：C 难易程度：易 答案解析：参看课件。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS009 技能标识：否 10、{如图所示，A、B两点之间的电压是（ ）。} 图1 A、5V B、10V C、-5V D、15V 答案：B 难易程度：易 答案解析：二极管均承受反向电压而截止，故AB间电压为10v。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS010 技能标识：否 11、{如图2所示，二极管的状态是（ ）。} 图2 A、导通 B、截止 C、反向击穿 D、无法判断 答案：B 难易程度：易 答案解析：二极管均承受反向电压而截止。 题型：单选题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS011 技能标识：否 二、判断题 12、{将一个N型半导体和一个P型半导体背靠背，就可以得到一只二极管。（ ）} A.正确 B.错误 答案：B 难易程度：易 答案解析：二极管内部核心结构是一个PN结，PN结需要特殊的工艺才能得到。 题型：判断题 重点标识：是 试题编号：DZ001ZS012 技能标识：否 13、{从二极管的结构符号可以看出，电流从二极管的正极流出，回到负极。（ ）} A.正确 B.错误 答案：B 难易程度：