第九章常用半导体器件(课件）-《电工电子技术与技能》同步教学（机械工业版）

第九章常用半导体器件 9.1.1　二极管的结构及符号 图9-1　二极管 图9-2　PN结 9.1.1　二极管的结构及符号 图9-3　PN结特性 9.1.1　二极管的结构及符号 9.1.2　二极管的特性与参数 1.二极管的伏安特性曲线 (1)正向特性 (2)反向特性 2.二极管的主要参数 (1)最大整流电流IFM (2)最高反向工作电压URM 图9-4　二极管的伏安特性 9.1.3　特殊二极管及应用 1.稳压二极管如图9-5所示 2.发光二极管如图9-6所示 3.光敏二极管 4.变容二极管 图9-5　稳压二极管 图9-6　发光二极管 9.2.1　晶体管的结构及符号 1.晶体管的外形实物图 图9-10　晶体管的外形 9.2.1　晶体管的结构及符号 图9-11　晶体管的结构示意图和图形符号 2.晶体管的结构示意图和图形符号如图9-11所示 9.2.2　晶体管的作用 1.电流放大作用 2.开关作用 (1)截止状态 (2)饱和状态 晶体管在不同的外部电压作用条件下，可呈现出三种特性，也就是具有三种工作状态。这也反映了晶体管的两种作用。 9.2.3　晶体管的特性与参数 1.晶体管的特性曲线 (1)输入特性曲线 (2)输出特性曲线 2.晶体管的主要参数 2.晶体管的主要参数 (1)特性参数 1)电流放大系数β：电流放大系数表示晶体管的电流放大能力。由于制造工艺的离散性，同一型号的晶体管的β值也有很大差别，一般在20～200之间。 2)穿透电流ICE0：穿透电流是当IB=0时，集电极与发射极之间的反向电流。在选用晶体管时，ICE0愈小，管子的温度稳定性愈好。 (2)极限参数 1)集电极最大允许电流ICM：集电极电流IC增加到一定值时，晶体管的β值就要降低，影响电路的放大能力。使β值下降不超过正常规定所允许的集电极电流最大值就是集电极最大允许电流。 2)集射极反向击穿电压UCE(BR)：基极开路时，允许加在集-射极之间的最大电压称为集射极反向击穿电压。当UCE超过UCE(BR)时，晶体管将被击穿而损坏。 3)集电极最大允许耗散功率PCM：集电极电流通过管子时要产生功耗，使其电结发热，结温升高。为了限制温度不超过允许值，而规定集电结功耗的最大值，称为集电极最大允许耗散功率PCM。 2.晶体管的主要参数 图9-12　输入特性曲线 图9-13　输出特性曲线 9.3.1　晶闸管的结构及符号 图9-14　晶闸管的外型 图9-15　晶闸管 9.3.2　晶闸管的工作特性 (1)稳定性 (2)维持导通和关断条件 (3)控制极的作用 (4)可控性 (5)应用 9.3.3　晶闸管的主要参数 (1)额定正向平均电流IF (2)维持导通电流IH (3)控制极触发电压UG和电流IG (4)额定电压URM $$