3.2低频功率放大器(课件)-高二《电子技术基础与技能》同步教学(人邮版)

2023-08-04
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第2节 低频功率放大器 一、低频功率放大电路的构成 二、集成功率放大器 一、低频功率放大电路的构成 1.OTL 电路 提示:OTL 电路本质上是共集电极放大电路,虽然输出电压uo 未被放大,但由于电流被放大了(1 + β)倍,因此仍具有功率放大作用。 2.OCL 电路 OCL 电路如图3.21 所示。 图中:VT2、VT3 是两只特性相同的大功率三极管;VT1 是共发射级前置放大电路,作为VT2、VT3 的推动级;RP、VD1、VD2 为VT2、VT3 提供合适的静态工作点,使VT2、VT3 处于微导通状态,同时兼作VT1 的集电极负载;+VCC,−VCC 为电压值相等的双电源。 3.功放管的安全使用 为了保证功放管安全使用,功放管选用时,应注意以下几点。 (1)必须保证功放管的集电极最大允许耗散功率PCM 大于功放管在电路中的实际功耗。 (2)要给功放管加装必要的散热片,并且要保证功放管与散热片的接触紧密。 (3)必须保证功放管的反向击穿电压U(BR)CEO 大于功放管在电路中实际承受的电压。 (4)当功放电路采用互补对称结构时,两只功放管的参数应保证一致,一般选择“对管”使用。 二、集成功率放大器 1.集成功率放大器简介 集成功率放大器的型号很多,有些型号还针对特殊的应用,如LMD18245 用于中小型直流电动机及步进电动机驱动非常方便,TDA2006 可提供12W 的音频功放。在实际应用中,应养成查阅集成电路手册的习惯,了解不同型号集成功率放大器的适用场合。 图3.23 演示电路中所用的LM386 是一款常用的低电压通用型音频集成功率放大器,实物图如图3.24(a)所示,其引脚排列如图3.24(b)所示。图中:2 脚是反相输入端,3 脚为同相输入端;5 脚是输出端;6 脚是电源端,电源电压范围为5 ~ 18V;4 脚接地端;1 脚、8 脚是增益(放大倍数)调节端,当1 脚、8 脚外接不同阻值的电阻器时,电压放大倍数的调节范围为20 ~ 200 倍;7 脚是退耦端,外接退耦滤波电容。 增益调节 反相输入 同相输入 接地 增益调节 退耦 电源 输出 2.集成功率放大器的应用 图3.25 所示为用LM386 组成的放大倍数分别是50 和200 的OTL 功率放大电路。输入信号从3 脚同相输入端输入,输出信号从5 脚经220μF 的耦合电容器输出。 图3.26 所示为LM386 在5.5 寸学生实训用黑白电视机伴音电路中的应用。将伴音信号放大后驱动扬声器恢复电视伴音。 第3节 场效晶体管放大器 一、场效晶体管的使用 二、场效晶体管放大电路 一、场效晶体管的使用 1.场效晶体管的结构及特点 场效晶体管的文字符号为VT,外形如图3.27所示,3 个电极分别称为栅极(G)、漏极(D)和源极(S)。 (1)结型场效晶体管。结型场效晶体管的电路符号如图3.28 所示,有箭头的一极为栅极。栅极箭头向里的是N 沟道结型场效晶体管,栅极箭头向外的是P 沟道结型场效晶体管。 结型场效晶体管的特点是:正常工作时,栅极与源极之间必须加反向电压uGS,即对N 沟道结型场效晶体管uGS < 0,对P 沟道结型场效晶体管uGS > 0;漏极与源极之间也要加一个适当的电压uDS,电压的极性如表3.4 所示。 (2)耗尽型绝缘栅场效晶体管。耗尽型绝缘栅场效晶体管的电路符号如图3.29 所示。箭头向里的是N 沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管,箭头向外的是P 沟道耗尽型绝缘栅场效晶体管。 耗尽型绝缘栅场效晶体管的特点是:栅极与源极之间不加偏置电压,管子也可导通,处于常闭状态,即只要在漏极和源极之间加上电压就有漏极电流流过。 (3)增强型绝缘栅场效晶体管。增强型绝缘栅场效晶体管的电路符号如图3.30 所示。与耗尽型相比,漏极、源极之间的实竖线变成了虚竖线。 增强型绝缘栅场效晶体管的特点是:没有栅极与源极电压,仅加适当的漏极与源极电压,没有漏极电流流过,处于常开状态。当栅极与源极之间加上适当的电压uGS 时(电压的极性如表3.4所示)。 2.场效晶体管的主要参数 (1)夹断电压UP。夹断电压UP 是指,当uDS 为定值时,使耗尽型绝缘栅场效晶体管或结型场效晶体管的漏极电流为0,所需的栅源电压值。 (2)开启电压Uth。开启电压Uth 是指,当uDS 为定值时,使增强型绝缘栅场效晶体管导通,所需的栅源电压值。 (3)饱和漏极电流IDSS。饱和漏极电流IDSS 是指,uDS 为定值,耗尽型绝缘栅场效晶体管或结型场效晶体管的栅源电压uGS 为0 时的漏极电流。 (4)低频跨导gm。低频跨导gm 是指,当uDS 为定值时,漏极电流的变化量ΔiD

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