2022-2023学年高二物理竞赛课件：半导体的禁戒跃迁

半导体的禁戒跃迁 半导体的禁戒跃迁 1.禁戒跃迁：激子与辐射场弱耦合，振子强度较小. 2.直隙材料 ①三重态激子 跃迁（单态激子 比较反射谱 ②纵模激子跃迁 ③偶极禁戒跃迁 这些材料中,最高的 价带与最低的导带具有相同的偶宇称,因此 属于偶极禁戒跃迁, 激子不存在（但 电四极矩和磁偶极矩跃迁存在,很弱）.双 光子跃迁下 激子存在，但是这些 态振子强度不与量子数 成反比，单光 子跃迁与双光子跃迁的选择定则不同. 3.间隙材料 ①间接激子跃迁过程中吸收或发射声子. 发射声子 吸收声子 ②吸收系数 发射声子过程 吸收声子过程 其中 包含跃迁矩阵元平方,即跃迁几率,与 声子的动量关系微弱. 是间接激子能量最小值. 为声子能量. 为声子数. 表示激子态密度. ●光子能量 吸收谱表现为叠加在带间跃迁吸收边上的一些台阶. 间隙材料反射谱中也没有明显的结构. 比较直接材料 $$