内容正文:
载流子向缺陷态
相对吸收谱红移.源于:强发射声子过程;载流子向缺陷态,表面态中驰豫.
14.8禁带之上.临界点间跃迁
①临界点
原因:
△球半径分布
△光子与声子耦合比体材料强.
△杂质、表面态、界面态影响.
减小,激子吸收频率兰移.
振子强度f用垂直线高度表示.
发光谱
CB和VB的极大值、极小值或
鞍点.
E极小;
中一个正,两个负,鞍点;
中一个负,两个正,鞍点;
E极大.
临界点一般位于k空间高对称方向.
②DOS联合态密度
介电函数
吸收系数
其中
偶极跃迁几率.
③跃迁
即CB和VB平行,
那么在
附近较小
子能量相同(忽略e和h间库仑作用).
区域内,跃迁产生光
单个临界点不直接对应联合态密度,介电函数实部或虚部曲线的峰值,而是这些峰的一个边缘.
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