内容正文:
量子阱
●吸收谱与上述多量子阱类似.阱宽减小,吸收谱激子频率兰移.
●与多量子阱情况比较, 反射谱 发光谱谱线加宽得多.这是因为与III-V化合物相比,II-V化合物的生长方法较差,势阱和势垒宽度无序和混晶的影响加重。
反射谱
●某些层的FP模比激子共振更显著得多.
●共振区,二维振子强度f较三维振子强度f更强,但是由于谱线加宽,该效应通常被抵消.
三维
hh:A,C
lh:B,D
背景反射率降低.
2.超晶格
①吸收谱 反射谱 发光谱
SL
②II类超晶格
是直隙材料,
是大能隙的间
隙材料.
●当阱宽很小时,则电子基态上升而高于势垒电子基态,于是发生空间间接跃迁.因此短周期的II类
实空和动量空间都是间接的.
超晶格在
势阱中激发的电子驰豫到“势垒”里。
③形变
超晶格:对折能带可以发
生直接跃迁.
④掺杂超晶格nipi:
●能带
●发光谱
由于禁带宽度减小,空间间接跃迁复合发光,频率减小.
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