内容正文:
量子阱中束缚激子相对杂质
相对吸收谱较宽,并且产生红移. 发光来
自于
扩展态激子、局域态激子以及
束缚激子,双激子有关的复合. 束缚激子可以产生强非均匀加宽.
量子阱中束缚激子相对杂质的束缚能与杂质相对势垒的空间位置有关.若杂质不在势阱中间,接近势垒,束缚激子的能量通常会减小,这是因为激子波函数远离杂质.
● III-V化合物
③发光谱
FE
BEC
真空态
势阱中心掺入Be受主,增加阱宽,局域本征激子FE和束缚激子频率减小,线宽减小.
双激子
局域本征激子
在高质量样品中,上述低能端局域激子FE和束缚激子发光不重要,线宽和斯托克斯频移都减小,这两个量彼此相关.
由于III-V化合物中载流子和激子与光学声子耦合比II-VI化合物弱,故LO声子伴线几乎观察不到.
● II-VI化合物:存在LO声子伴线.
PLE:横坐标是激发光能量。
反映激子与LO声子强耦合
上图中PL谱表明:电子空穴对首先形成激子,然后辐射LO声子.这与GaAs情况不同:连续态激子首先辐射LO声子,驰豫到LPB上,再形成自由激子.
二维
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