2022-2023学年高二物理竞赛课件：半导体的间跃迁区域

半导体的间跃迁区域 半导体的间跃迁区域 C激子位于2.61eV(A, B激子的连续区),在R谱标度之外.即使低温下也无法显示(相当短的位相驰豫时间,即强衰减). 随着温度升高,激子谱展宽,室温下难以观察(热电离).掺杂情况也如此. 比较耦合系统的反射率： 激子频率处R与耦合系统的反射率 最接近.由于 因此对应激 子激发态的反射率减弱,R的最大值消失, 与 更加接近. ③对应R最小值频率 UPB从 开始, 线型分析,可以确定 借助复杂的 ④无激子层厚度对R的影响. ●无激子层存在使得R中 附近存在一个 “尖峰”，与实验结果相符,主要是由于无激子层中光的多次反射,也与UPB开始有关. ●随着无激子层厚度的增加,整个R谱“反转”. D.理论值：晶格的温度等于类激子极化激元气的温度，与实验值复合很好. 第一支声子伴线与第二支声子伴线的强度积分正比于温度 A.体激发：红宝石激光产生双光子激发，厚度在毫米范围内,样品激发相对较均匀. 面激发：紫外激发到连续态, 厚度在微米范围内. B.在 范围内,两者激发的效果 一致；当 两者激发的效果偏离. 降低,以至于低于 即 这是由于吸收尾引起的光子再吸 收(影响高温下激子极化激元的逃逸深度). 对于吸收尾,光子能量一定, 温度越高, 吸收系数越大,温度一定,光子能量越大,吸收系数越大.因此, 中光子比 中光子吸收更强,而体激发情况下吸收强于面激发情况. $$