内容正文:
半导体的等离子体激发和对激发
半导体的等离子体激发和对激发
等离子体激发
①等离子体:由浓度相同的正负电荷组成的体系,至少有一种电荷是可以运动的.但总体保持电中性,也称第4态物质.
②产生:掺杂, 光激发.
③等离子体振荡频率
半导体中电子数密度为
弱了有效起伏和局域态尾.
中局域激
子密度约为
而
中局域激子密度比这个数值小1至2个数量
2.无序产生:
●混晶无序:由形成势阱和势垒的混晶产生.
级.
3.尾常数
越大,局域密度越大, 激子越易局域.
阱宽起伏:
(空穴类似)
电子气相对电离施主的正离子背景形成集体振荡.
密度为
的电子气位移
后产生表面电
荷分布,其面密度为
正离子产生电场为
(上式忽略y,z方向边界效应.)
作用在电子上,电子运动方程为
即
令
则
上式表明每个电子作简谐振动,因此,等离子体集体振荡,相应离子体振荡频率为
说明:
●当
●因为等离子体仅存在纵模,所以
为
时纵模频率,
称为等离子激元,玻色子,不能与
光子发生强耦合.
半导体:10 ~100meV((远)红外).
金属:VIS,UV. 从IR至
反射率很高.
④等离子体色散关系
3d:
2d:
●2d情况下,等离子激元在
因此较容易激发.在实验中可以直接观察2d电子气的等离子振荡.
3d情况下,等离子激元的能量>>
~
因而不能被热激发.
●在多量子阱或超晶格中,若势阱中电子是同位相振荡,色散关系与3d情况相同.
⑤3D等离子体介电函数
● Lorentz模型(晶格离子)
其中N是振子密度,
若γ=0,
τ为驰豫时间,即碰撞时间,
介电函数为
(不计空间色散)
●自由电子气
利用
把N换成n(自由载流子密度),振子质量
得到介电函数
(不计空间色散)
m换成载流子的有效质量
,并且取
$$