内容正文:
电子和空穴能级
e-h系统哈密顿量为
电子和空穴能级为
称为l阶球贝塞尔函数的第n阶零位:
.d=0
①模型
②能量
●强限制区域
为空穴相对质心运动轨道半径.
量子化能
所以e-h间库仑作用可以忽略.
因为e-h间库仑作用能量
研究表明:
量
在这种情况下,有效质量的运用会存在问题, 量子点可以视为一个大分子.
能隙
跃迁定则:
e,h对系统基态能量
●弱限制区域
电子和空穴形成激子态,激子质心受到限制,
作为微扰.
●中间限制区域
电子和空穴的相对运动几乎不受到影响.这种情况发生在Cu的卤化物中(
或R≥10nm的CdSe量子点中.
电子量子化,空穴在由量子点和量子化电子的空间电荷形成的势场中运动.这种情况下,库伦能量与量子化能量具有相同的数量级,这种情况存在II-VI半导体量子点
很小)
中.空穴可以认为是在强限制域的电子云中运动,并与电子之间发生库仑相互作用.
11.5无序系统中激子
1. 激子局域机制
①深势阱中:有效质量较大的空穴局域,
电子经库仑作用束缚于空穴.
②宽势阱中:
(激子玻尔半径)
激子整体局域.
激子: 低能
情况下,激子以机制①方式局域.随着能量增加, 激子以机制②方式局
域,直至ME.在ME之上为扩展态激子(性
质接近有序材料中自由粒子).
●由于基态显著的非均匀加宽,故
激子难以观察到.
●由于重粒子容易局域,因此在混合阴离子的离子键半导体材料, 如
说明:
●只要尾参数比能隙小得多,仍然可以用有效质量近似描述局域态激子.
中激子比混合阳离子的离子键
中激子更容易
●在共价键半导体材料中,导带和价带共同产生局域激子,如α-Si,
中电子
与空穴的质量相对较低, 因此局域激子困
难,即尾参数和态密度都小.
有效质量意味
着
半导体材料, 如
局域.
而大范围激子则减
中激子玻尔半径比
中激子玻尔半径大得多.
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