2022-2023学年高二物理竞赛课件：半导体的载流子密度

半导体的载流子密度 半导体的载流子密度 ①低温或室温条件下, 能隙中,电子气 非简并. 2.纤锌矿结构 Ⅱ-Ⅵ化合物：ZnO, ZnS,CdS, CdSe, Ⅲ-Ⅴ化合物：GaN. 价带: ●由A,B,C三个带组成. ●有效质量各向异性， 其中 是相对 轴，计算态密度时利用 ZnO中A与B带对称性相反。 态存在 产生影响. 项.对光学性质 说明：微观物理体系时间反演不变性p.750 不计自旋时， 称为Kramers 计自旋时， 设 要求n为偶数； 而 也要求n为奇数, 特别是允许 项存在. ●闪锌矿结构与纤锌矿结构能带比较 方向纤锌矿的单胞的长度是闪锌矿的单 胞的长度的两倍,因此,第一布里渊区减小 一半, 闪锌矿能带的对折产生纤锌矿的能带. 3. 混合晶体 ① 普通半导体； 窄带半导体（ 发生过渡）. 半金属(导 带中存在一定数量电子,电子密度比普通 金属少几个数量级,价带中存在一定数量 空穴,Bi,Sb,As). ②四族元素Ge与Si之间，Ⅲ-Ⅴ族化合物之间，Ⅱ-Ⅵ族化合物之间都能形成混合晶体. 10.7 态密度 占有率 1. 在抛物能带，有效质量近似下, $$