内容正文:
半导体的极化激元
半导体的极化激元
光与介质相互作用两个层次:
●弱耦合:电磁波与介质的激发作为
独立的体系处理.
说明:
①
仍是高反射区域.由于
很大(吸收系数
),界
面多次反射被抑制.
②在
区域.
(a) 图中不存在振荡,这是因为(a)中
平板的厚度
都没有产生相干叠加.
反射光以及透射光
(b) 图中存在振荡,这是因为平板的厚
度
反射光以及透射光产生相干
叠加, 形成FP模.
而
区域内不存在传播模,
因此,任何情况下平板都不可能形
成FP模.
③在
区域, 随
增加,
减
小.
这是由于
增大,减弱了后界面
光的反射.
在
区域, 随
增加,
增加.
这是由于
减弱,从而后界面光的反
射增强.
④
和
谱的变化相反.
4.5邻近共振的相互作用
考虑样品存在两个相邻的共振频率
(如ZnO中
设在这两个相邻的共振频率处振子
强度相同,且不考虑阻尼和空间色
散,那么介电函数为
激子),假
其中
ZnO
非交叉原理:如果两个能级
与
发生耦合,则两个能级无交叉点. 交
叉点的分裂与两个能级的耦合强度
成正比.
而介质(振子)的极化又产生电磁辐射,
反作用于入射电磁波.光与介质强耦
合导致极化激元的产生.
●强耦合:入射电磁波使介质极化
5.1极化激元
1.极化波
●极化强度
上式表明:在
或
条
件下,从
~半导体的最高本征
频率范围内,
即介质的极化现
象总是存在的,由此极化波总是存在
的.固体中,从IR,VIS至UV, “力学”
极化波与电磁波总是混合存在的.
●极化波
不同离子的相对运动: 格波.
独立共振时:
同时共振时:
原因:紧邻能级之间相互排斥。
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