内容正文:
外场影响下的激子
为类似与自由激子,但是由于混晶散射,相驰豫时间很短.
外场影响下的激子
磁场
1. 磁场强度划分
①两个能量单位
电场:激子的里德堡常数
表示激子的
电离能.
●高能端发光谱与扩展态→局域态跃迁有关:扩展态激子在运动过程中被非辐射中心俘获,即发射声子被局域.该局域激子进一步辐射发光,或进一步达到更低的局域态. 局域激子能量越低,局域态密度越小, 局域激子驰豫几率降低.
●高温情况下,即
大部分局域激
子可以热激发到扩展态. 扩展态激子的行
发光谱
扩展态激子激发
局域态激子激发
CdS
磁场:激子的朗道能级
回旋能量为
其中
是激子约
化质量. 朗道能级跃迁满足
激子能量
其中
为磁场不存在下能带极值.
平行磁场波矢.
为
态密度
类似一维
态密度.
为
时态密度.
②三个范围
●弱磁场:
即
磁场视为微扰.
●强磁场:
即
首先考虑朗道能级,然后考虑库仑能量.
●中等强度磁场:
~
2.能级变化
①抗磁移动
●基态激子
角动量为0,因此固
有磁矩为0.但是在磁场作用下,由于电子
和空穴受到洛伦兹力的作用,激子产生角
动量,且正比于
方向反平行
生感应磁矩.
相应也产
●相应磁矩在磁场中附加能量
其中
所以抗磁移动
随着
增加而增加. CdS中A激子,
②塞曼能移
●在
情况下,激子中电子和空穴具有
自旋磁矩,该磁矩在磁场中产生附加能量
其中“+”对于三重态激子
,“-”对于单
态激子
3.光谱
●反射谱
随着
激子能级产生塞曼分裂.
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